铝碳化硅热沉基板及其制备方法与流程

技术特征：

技术总结
本发明公开一种铝碳化硅热沉基板及其制备方法，其采用低温玻璃粉和调油墨组配制浆料，再烧结于铝碳化硅衬底上，大幅度降低绝缘层的烧结温度至450‑550℃，制得的铝碳化硅热沉基板具有良好的层间结合力和绝缘性能，热膨胀系数低，厚膜绝缘层的耐热性良好。

技术研发人员：吴世清
受保护的技术使用者：深圳市光器新能源有限公司
技术研发日：2017.02.20
技术公布日：2017.07.28