技术总结
本发明公开了一种在SrTiO3衬底上制备高质量的FeGa薄膜方法，首先对SrTiO3衬底进行预处理：将SrTiO3衬底在体积为10~12wt%的溶液中腐蚀20~30s，接着在900~950℃氧气流通气氛下退火2~2.5h；其次利用射频磁控溅射技术，采用Fe81Ga19靶材，在SrTiO3衬底上制备高（100）取向的Fe81Ga19薄膜；最后将制备的Fe81Ga19薄膜在真空下600℃退火。通过以上步骤，与没有进行衬底处理的相比，本发明制备的薄膜晶粒大小均匀，排列紧密，结晶度好，矫顽力较小，饱和磁化强度较大。
技术研发人员：马亚茹;曹梦雄;王兴宇;马春林;周卫平;谭伟石
受保护的技术使用者：南京理工大学
技术研发日：2017.03.03
技术公布日：2018.09.14