本发明涉及真空镀膜装置领域，具体是一种新型真空镀膜装置。
背景技术：
真空镀膜装置是一种由物理方法产生薄膜材料的技术，在真空室内材料的原子从加热源离析出来打到被镀物体的表面上，此项技术最先用于生产光学镜片，如航海望远镜镜片等，后延伸到其他功能薄膜，唱片镀铝、装饰镀膜和材料表面改性等，如手表外壳镀仿金色，机械刀具镀膜，改变加工红硬性，在真空中制备膜层，包括镀制晶态的金属、半导体、绝缘体等单质或化合物膜。虽然化学汽相沉积也采用减压、低压或等离子体等真空手段，但一般真空镀膜是指用物理的方法沉积薄膜。真空镀膜有三种形式，即蒸发镀膜、溅射镀膜和离子镀。
目前阶段的真空镀膜装置存在诸多的不足之处，例如，通用性能差，安装拆卸不方便，不方便使用。
技术实现要素：
本发明的目的在于提供一种新型真空镀膜装置，以解决现有技术中的通用性能差，安装拆卸不方便，不方便使用的问题。
为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种新型真空镀膜装置，包括机箱，所述机箱的一侧安装有真空室，所述真空室的内部底端安装有加热炉，所述真空室的内部下方通过固定架安装有坩埚，所述真空室的上方安装有密封盖，所述密封盖的顶部安装有第二把手，所述密封盖的下方安装有镶嵌板，所述镶嵌板的下方安装有基片固定板，所述基片固定板上安装有夹板，所述夹板的一侧安装有弹簧，所述机箱的上方安装有控制面板，所述控制面板的上方安装有真空罩，所述真空罩的一侧安装有氩气充入口，所述真空罩的顶端一侧安装有第一把手，所述真空罩的内部下方安装有阳极板，所述阳极板的顶部安装有第一基片，所述真空罩的内部上方通过支架安装有阴极板，所述阴极板的下方安装有溅射靶材。
优选的，所述加热炉位于坩埚的正下方，且坩埚位于第二基片的正下方。
优选的，所述镶嵌板的两侧均设置有滑槽，且镶嵌板通过滑槽与真空室的内侧壁滑动连接。
优选的，所述溅射靶材与第一基片正对安装，且第一基片通过夹具固定在阴极板上。
优选的，所述夹板共设置有六个，且六个夹板之间通过弹簧连接。
与现有技术相比，本发明的有益效果是：本发明安装有真空罩和真空室，在真空罩内安装有阴极板和阳极板，通过溅射镀膜原理进行镀膜，且在真空室的内部安装有坩埚，在坩埚的下方安装有加热炉，通过其可以通过蒸发镀膜原理进行镀膜，两种不同的镀膜方式同时使用，大大增大了装置的通用性，提高了适用范围，且第二基片安装在基片固定板上，在基片固定板上安装有通过弹簧控制的夹板，方便其安装拆卸，且基片固定板安装在镶嵌板的下方，在镶嵌板的上方安装有密封盖，在密封盖的顶部安装有第二把手，通过此种设计大大方便了基片固定板的安装拆卸。
附图说明
图1为本发明的结构示意图。
图2为本发明的基片固定板的仰视图。
图中：1-支架、2-阴极板、3-溅射靶材、4-氩气充入口、5-第一基片、6-阳极板、7-控制面板、8-机箱、9-固定架、10-坩埚、11-加热炉、12-真空罩、13-第一把手、14-第二把手、15-密封盖、16-镶嵌板、17-基片固定板、18-第二基片、19-真空室、20-弹簧、21-夹板。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
请参阅图1～2，本发明实施例中，一种新型真空镀膜装置，包括机箱8，机箱8的一侧安装有真空室19，真空室19用来蒸发镀膜，真空室19的内部底端安装有加热炉11，加热炉11用来对坩埚10进行加热，真空室19的内部下方通过固定架9安装有坩埚10，坩埚10用来盛放蒸发物质，真空室19的上方安装有密封盖15，密封盖15用来对真空室19的顶端进行密封，密封盖15的顶部安装有第二把手14，密封盖15的下方安装有镶嵌板16，镶嵌板16方便基片固定板17安装在真空室19内，镶嵌板16的下方安装有基片固定板17，基片固定板17用来固定第二基片18，基片固定板17上安装有夹板21，夹板21用来对第二基片18进行夹持固定，夹板21的一侧安装有弹簧20，机箱8的上方安装有控制面板7，控制面板7的上方安装有真空罩12，真空罩12用来溅射镀膜，真空罩12的一侧安装有氩气充入口4，氩气充入口4用来向真空罩12内充入氩气，真空罩12的顶端一侧安装有第一把手13，真空罩12的内部下方安装有阳极板6，阳极板6的顶部安装有第一基片5，真空罩12的内部上方通过支架1安装有阴极板2，阴极板2的下方安装有溅射靶材3，加热炉11位于坩埚10的正下方，且坩埚10位于第二基片18的正下方，镶嵌板16的两侧均设置有滑槽，且镶嵌板16通过滑槽与真空室19的内侧壁滑动连接，溅射靶材3与第一基片5正对安装，且第一基片5通过夹具固定在阴极板2上，溅射靶材3与第一基片5正对安装，且第一基片5通过夹具固定在阴极板2上。
本发明的工作原理是：该设备在使用时，将真空罩12掀开，将第一基片5安装在阳极板6上，将第二基片18固定在基片固定板17上，通过镶嵌板16将基片固定板17送入真空室19内，在真空罩12内，通过系统抽至高真空后充入10~1帕的氩气，在阳极板6和阴极板2之间加几千伏电压，两极间即产生辉光放电，放电产生的正离子在电场作用下飞向阴极，与溅射靶材3表面原子碰撞，受碰撞从靶面逸出的靶原子称为溅射原子,溅射原子在第一基片5表面沉积成膜，且在真空室19内，将蒸发物质放入坩埚10内，通过加热炉11对坩埚10内的蒸发物质进行蒸发，蒸发物质的原子或分子以冷凝方式沉积在第二基片18上。
对于本领域技术人员而言，显然本发明不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本发明的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本发明。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本发明的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本发明内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。