基板处理装置的制作方法

本发明涉及基板处理装置。

背景技术：

公知有一种批量式的基板处理装置，其中，在将多张基板呈多层保持到基板保持器具的状态下，能够对多张基板进行成膜处理等。

作为批量式的基板处理装置，公知有一种装置，该装置具有：内管，其收容基板；外管，其包围内管；气体排气口，其设置于内管的侧壁；以及排气单元，其对被内管和外管夹着的空间进行排气(参照例如专利文献1)。在该装置中，通过使气体排气口的开口宽度随着靠近排气单元而逐渐变窄，来对排气的平衡进行调整，使向基板的表面供给的气体的流速在基板间均匀化。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特许第5284182号公报

技术实现要素：

发明要解决的问题

然而，在上述的技术中，气体排气口的开口形状按照各基板处理装置决定，因此，存在由于工艺条件、处理张数的变化而无法获得所期望的面间均匀性的情况。其原因在于，无法按照工艺条件、处理张数调整排气的平衡。

因此，在本发明的一形态中，目的在于提供一种能够控制面间均匀性的基板处理装置。

用于解决问题的方案

为了达成上述目的，本发明的一形态的基板处理装置具有：内管，其收容多张基板；外管，其包围所述内管；可动壁，其设置成能够在所述内管的内部或所述内管与所述外管之间移动；气体供给部件，其向所述基板供给处理气体；以及排气部件，其对向所述基板供给的所述处理气体进行排气，在所述内管的侧壁形成有第1开口部，在所述可动壁形成有第2开口部，所述排气部件经由所述第1开口部和所述第2开口部对向所述基板供给的所述处理气体进行排气。

发明的效果

根据公开的基板处理装置，能够控制面间均匀性。

附图说明

图1是第1实施方式的基板处理装置的概略图。

图2是用于说明图1的基板处理装置的处理容器的横剖视图。

图3是用于说明图1的基板处理装置的内管的一个例子的立体图。

图4是用于说明图1的基板处理装置的可动壁的一个例子的立体图。

图5是用于说明通用开口部的图。

图6是用于说明使用了图4的可动壁的情况的第1开口部与第2开口部之间的位置关系的图。

图7是用于说明可动壁的旋转机构的一个例子的纵剖视图。

图8是用于说明第1实施方式的基板处理方法的图。

图9是第2实施方式的基板处理装置的概略图。

图10是用于说明图9的基板处理装置的内管的一个例子的立体图。

图11是用于说明图9的基板处理装置的可动壁的一个例子的图。

图12是用于说明使用了图11的可动壁的情况的第1开口部与第2开口部之间的位置关系的图。

图13是用于说明第3实施方式的基板处理装置的可动壁的一个例子的图。

图14是用于说明使用了图13的可动壁的情况的第1开口部与第2开口部之间的位置关系的图。

图15是用于说明面间均匀性的图。

附图标记说明

1、基板处理装置；41、排气部件；44、内管；46、外管；52、第1开口部；76、气体喷嘴；78、气体喷嘴；80、气体喷嘴；100、可动壁；102、第2开口部；104、旋转轴；106、电动机；110、控制部件；w、晶圆。

具体实施方式

以下，参照附图对用于实施本发明的形态进行说明。此外，在本说明书和附图中，对实质上相同的结构标注相同的附图标记，省略重复的说明。

〔第1实施方式〕

(基板处理装置)

对本发明的第1实施方式的基板处理装置进行说明。图1是第1实施方式的基板处理装置的概略图。图2是用于说明图1的基板处理装置的处理容器的横剖视图。图3是用于说明图1的基板处理装置的内管的一个例子的立体图。图4是用于说明图1的基板处理装置的可动壁的一个例子的立体图。

如图1所示，基板处理装置1具有：处理容器34，其收容作为基板的半导体晶圆(以下称为“晶圆w”。)；盖部36，其气密地堵塞在处理容器34的下端的开口部侧；基板保持器具38，其以预定的间隔保持多张晶圆w而相对于处理容器34内插入脱离；气体供给部件40，其向处理容器34内导入预定的气体；排气部件41，其对处理容器34内的气体进行排气；以及加热部件42，其对晶圆w进行加热。

处理容器34具有：有顶的圆筒形状的内管44，其下端部开放；以及有顶的圆筒形状的外管46，其下端部开放，且覆盖内管44的外侧。内管44和外管46由石英等耐热性材料形成，并呈同轴状配置而成为两层管构造。

内管44的顶部例如平坦。在内管44的一侧沿着其长度方向(上下方向)形成有收容气体喷嘴的喷嘴收容部48。在第1实施方式中，如图2所示，使内管44的侧壁的一部分朝向外侧突出而形成凸部50，凸部50内形成为喷嘴收容部48。

另外，如图3所示，在内管44的与喷嘴收容部48相对而位于相反侧的侧壁，沿着其长度方向(上下方向)形成有宽度l1的矩形形状的第1开口部52。

第1开口部52是形成为能够对内管44内的气体进行排气的气体排气口。第1开口部52的长度形成得与基板保持器具38的长度相同，或比基板保持器具38的长度长且沿着上下方向分别延伸。即、第1开口部52的上端向与基板保持器具38的上端相对应的位置以上的高度延伸而定位，第1开口部52的下端向与基板保持器具38的下端相对应的位置以下的高度延伸而定位。具体而言，如图1所示，基板保持器具38的上端与第1开口部52的上端之间的高度方向上的距离l2处于0mm～5mm程度的范围内。另外，基板保持器具38的下端与第1开口部52的下端之间的高度方向上的距离l3处于0mm～350mm程度的范围内。另外，第1开口部52的宽度l1处于10mm～400mm程度的范围内，优选处于40mm～200mm程度的范围内。另外，第1开口部52的4个角部中的两个角部被倒角。

处理容器34的下端被由例如不锈钢形成的圆筒形状的歧管54支承。在歧管54的上端部形成有凸缘部56，将外管46的下端部设置并支承于凸缘部56上。使o形密封圈等密封构件58介于凸缘部56与外管46的下端部之间，使外管46内成为气密状态。

在歧管54的上部的内壁设置有环状的支承部60，将内管44的下端部设置于支承部60上而将其支承。盖部36夹着o形密封圈等密封构件62气密地安装于歧管54的下端的开口部，将处理容器34的下端的开口部侧、即、歧管54的开口部气密地堵塞。盖部36由例如不锈钢形成。

旋转轴66隔着磁性流体密封部64贯穿设置于盖部36的中央部。旋转轴66的下部旋转自由地支承于由舟皿升降机构成的升降部件68的臂68a，利用电动机69(参照图7)进行旋转。

在旋转轴66的上端设置有旋转板70，在旋转板70上隔着石英制的保温台72载置用于保持晶圆w的基板保持器具38。因而，通过使升降部件68升降，盖部36和基板保持器具38一体地上下移动，能够使基板保持器具38相对于处理容器34内插入脱离。

气体供给部件40设置于歧管54，向内管44内导入处理气体、吹扫气体等气体。气体供给部件40具有多根(例如3根)石英制的气体喷嘴76、78、80。各气体喷嘴76、78、80在内管44内沿着其长度方向设置，并且其基端部弯曲成l字状而以贯穿歧管54的方式被支承。

如图2所示，气体喷嘴76、78、80以在内管44的喷嘴收容部48内沿着周向成为一列的方式设置。在各气体喷嘴76、78、80，沿着其长度方向以预定的间隔形成有多个气孔76a、78a、80a，能够利用各气孔76a、78a、80a朝向水平方向释放各气体。预定的间隔设定成与支承于例如基板保持器具38的晶圆w的间隔相同。另外，高度方向的位置设定成各气孔76a、78a、80a位于在上下方向上相邻的晶圆w间的中间，能够将各气体向晶圆w间的空间部高效地供给。

作为气体的种类，使用原料气体、氧化气体和吹扫气体，能够一边对各气体进行流量控制一边根据需要经由各气体喷嘴76、78、80供给各气体。使用含硅气体作为原料气体，使用臭氧(o3)气体作为氧化气体，使用氮(n2)气体作为吹扫气体，能够利用原子层堆积(ald：atomiclayerdeposition)法形成氧化硅膜。此外，所使用的气体的种类能够根据要成膜的膜的种类适当选择。

另外，在歧管54的上部的侧壁且在支承部60的上方形成有气体出口82，能够对经由内管44与外管46之间的空间部84从第1开口部52排出的内管44内的气体进行排气。在气体出口82设置有排气部件41。排气部件41具有与气体出口82连接的排气通路86，在排气通路86上依次夹设有压力调整阀88和真空泵90，能够对处理容器34内进行抽真空。第1开口部52的宽度l1设定成10mm～400mm的范围内的大小，能够有效地对内管44内的气体进行排气。

在外管46的外周侧以覆盖外管46的方式设置有圆筒形状的加热部件42，对晶圆w进行加热。

另外，在内管44的内部沿着内管44的内侧壁设置有可动壁100。如图4所示，可动壁100具有半圆筒形状，在其侧壁形成有第2开口部102。

第2开口部102是形成为能够对内管44内的气体进行排气的气体排气口。例如，如图4所示，第2开口部102是与第1开口部52不同的形状，形成为平行四边形状。例如，如图1所示，第2开口部102的上端向与第1开口部52的上端相对应的位置的高度延伸而被定位。例如，如图1所示，第2开口部102的下端向与第1开口部52的下端相对应的位置的高度延伸而被定位。

旋转轴104借助磁性流体密封部64贯穿设置于可动壁100。旋转轴104构成为利用电动机106(参照图7)相对于旋转轴66可独立地移动(可旋转)。通过使旋转轴104旋转而使可动壁100旋转，能够使第2开口部102相对于第1开口部52的位置变化。由此，能够使第1开口部52与第2开口部102重叠的区域(以下称为“通用开口部ca”。)的形状变化。其结果，对内管44内的气体的排气的平衡进行调整，能够对向晶圆w的表面供给的气体的流速进行控制。

返回图1，如此形成的基板处理装置1的整体的动作被由例如计算机等构成的控制部件110控制，进行该动作的计算机的程序存储于存储介质112。存储介质112由例如软盘、光盘、硬盘、闪存、dvd等构成。

图5是用于说明通用开口部的图。图5的(a)是用于说明第2开口部的一部分与第1开口部重叠的情况的通用开口部的图。图5的(b)是图5的(a)中的以“top”所示的位置处的处理容器的横剖视图。图5的(c)是图5的(a)中的以“ctr”所示的位置处的处理容器的横剖视图。图5的(d)是图5的(a)中的以“btm”所示的位置处的处理容器的横剖视图。此外，“top”表示处理容器的上方侧的位置，“ctr”表示处理容器的中央部的位置，“btm”表示处理容器的下方侧的位置。

如图5的(a)所示，在以第2开口部102的一部分与第1开口部52重叠的方式定位可动壁100的情况下，通用开口部ca的开口宽度从top侧朝向btm侧变窄。

具体而言，在“top”的位置，如图5的(b)所示，第2开口部102与第1开口部52完全重叠。因此，通用开口部ca的开口宽度成为第1开口部52的宽度。另外，在“ctr”的位置，如图5的(c)所示，第2开口部102的一部分与第1开口部52重叠。因此，通用开口部ca的开口宽度成为第1开口部52和第2开口部102重叠的部分的宽度，比“top”的位置处的通用开口部ca的开口宽度窄。另外，在“btm”的位置，如图5的(d)所示，第2开口部102的极小一部分与第1开口部52重叠。因此，通用开口部ca的开口宽度成为第1开口部52和第2开口部102重叠的部分的宽度，比“ctr”的位置处的通用开口部ca的开口宽度窄。如此，通用开口部ca的开口宽度从top侧朝向btm侧变窄。

图6是用于说明使用了图4的可动壁的情况的第1开口部与第2开口部之间的位置关系的图。图6的(a)～图6的(f)表示通过使可动壁100移动(旋转)来使第2开口部102相对于第1开口部52的位置变化时的通用开口部ca的形状的变化。

如图6的(a)～图6的(f)所示，通过使可动壁100旋转，能够使通用开口部ca的形状变化。

在图6的(a)中，第1开口部52和第2开口部102完全没有重叠，通用开口部ca的开口面积是0。由此，内管44内的气体没有进行排气、或几乎没有进行排气。

在图6的(b)中，在第1开口部52的上方侧，第1开口部52与第2开口部102重叠。与此相对，在第1开口部52的下方侧，第1开口部52与第2开口部102没有重叠。由此，内管44内的气体没有从第1开口部52的下方侧进行排气，从第1开口部52的上方侧选择性地进行排气。

在图6的(c)中，在第1开口部52的上方侧和下方侧，第1开口部52和第2开口部102重叠，对于其重叠宽度，在第1开口部52的上方侧比在第1开口部52的下方侧宽。由此，与第1开口部52的下方侧相比，内管44内的气体易于从第1开口部52的上方侧进行排气。

在图6的(d)中，第2开口部102与第1开口部52完全重叠。由此，内管44内的气体从第1开口部52的整体进行排气。

在图6的(e)中，在第1开口部52的上方侧和下方侧，第1开口部52与第2开口部102重叠，对于其重叠宽度，在第1开口部52的下方侧比在第1开口部52的上方侧宽。由此，与第1开口部52的上方侧相比，内管44内的气体易于从第1开口部52的下方侧进行排气。

在图6的(f)中，在第1开口部52的下方侧，第1开口部52和第2开口部102重叠。与此相对，在第1开口部52的上方侧，第1开口部52和第2开口部102没有重叠。由此，内管44内的气体没有从第1开口部52的上方侧进行排气，从第1开口部52的下方侧选择性地进行排气。

通过如此使可动壁100旋转，能够使通用开口部ca的形状变化。由此，根据工艺条件、处理张数的变化使可动壁100的位置移动，从而能够根据工艺条件、处理张数对排气的平衡进行调整。其结果，能够获得所期望的面间均匀性。

图7是用于说明可动壁的旋转机构的一个例子的纵剖视图。

如图7所示，旋转板70和可动壁100构成为能够利用设置于盖部36的两层轴的磁性流体密封部64独立地旋转。具体而言，旋转板70借助旋转轴66与电动机69连接，利用电动机69对旋转轴66的旋转速度和旋转角度进行调整，以预定的旋转速度旋转预定的旋转角度。可动壁100借助旋转轴104与电动机106连接，利用电动机106对旋转轴104的旋转角度和旋转速度进行调整，以预定的旋转速度旋转预定的旋转角度。

另外，在旋转轴66与旋转轴104之间的间隙、以及旋转轴66与盖部36之间的间隙设置有吹扫气体喷嘴108，能够供给n2气体等吹扫气体。由此，能够防止由于在处理容器34内进行基板处理而生成的物质附着于磁性流体密封部。

(基板处理方法)

基于图8对使用了上述的基板处理装置1的基板处理方法的一个例子进行说明。图8是用于说明第1实施方式的基板处理方法的图。

在第1实施方式中，列举使用基板处理装置1并利用ald法在晶圆w的表面形成氧化硅膜的情况为例进行说明。在该情况下，通过交替地供给作为原料气体的含硅气体和作为氧化气体的o3气体，在晶圆w的表面形成氧化硅膜。另外，在切换含硅气体和o3气体之际，供给作为吹扫气体的n2气体，对处理容器34内进行吹扫。

首先，在预先设定成预定的温度的处理容器34内，从其下方使载置有例如50张～150张晶圆w的状态的基板保持器具38上升而装载于该处理容器34内。接下来，利用盖部36将歧管54的下端的开口部封闭，从而将处理容器34内密闭。

接着，对处理容器34内进行抽真空并维持于预定的工艺压力，并且增大向加热部件42的供给电力，从而使晶圆w的温度上升并维持在工艺温度。

接着，从气体喷嘴76向处理容器34内供给含硅气体，使含硅气体吸附于晶圆w的表面(步骤s1)。此时，使可动壁100移动，以使例如通用开口部ca的开口面积成为0，即、第1开口部52与第2开口部102不重叠。因此，内管44内的气体没有进行排气、或、几乎没有进行排气。由此，从气体喷嘴76供给的含硅气体的流速变小，能够提高含硅气体的活性度。

接着，停止来自气体喷嘴76的含硅气体的供给，从气体喷嘴80向处理容器34内供给n2气体，对处理容器34进行吹扫(步骤s2)。此时，使可动壁100移动，以使例如通用开口部ca的开口面积成为最大，即、第1开口部52和第2开口部102重叠的区域成为最大。由此，能够提高吹扫效率，能够缩短对处理容器34内进行吹扫所需要的时间。

接着，停止来自气体喷嘴80的n2气体的供给，从气体喷嘴78向处理容器34内供给o3气体，使吸附到晶圆w的表面的含硅气体氧化(步骤s3)。此时，使可动壁100移动，以使得与例如在第1开口部52的下方侧相比，在第1开口部52的上方侧，第1开口部52与第2开口部102重叠的区域较大。由此，与作为距气体出口82较近的位置的第1开口部52的下方侧相比，内管44内的气体易于从作为距气体出口82较远的位置的第1开口部52的上方侧进行排气。因此，能够使向晶圆w的表面供给的气体的流速在晶圆w间均匀化。

接着，停止来自气体喷嘴78的o3气体的供给，从气体喷嘴80向处理容器34内供给n2气体，对处理容器34进行吹扫(步骤s4)。此时，使可动壁100移动，以使例如通用开口部ca的开口面积最大，即、第1开口部52和第2开口部102重叠的区域最大。由此，能够提高吹扫效率，能够缩短对处理容器34内进行吹扫所需要的时间。

通过反复进行以上的步骤s1～步骤s4预定的次数，能够在晶圆w的表面形成具有所期望的膜厚的氧化硅膜。

在第1实施方式的基板处理方法中，根据工艺条件使可动壁100移动，从而对内管44内的气体的排气的平衡进行调整，能够对向晶圆w的表面供给的气体的流速进行控制。其结果，能够获得所期望的面间均匀性。

此外，在第1实施方式的基板处理方法中，以每次对向处理容器34供给的气体进行切换都使可动壁100移动的情况为例来进行了说明，但使可动壁100移动的时刻并不限定于此。

〔第2实施方式〕

对本发明的第2实施方式的基板处理装置进行说明。图9是第2实施方式的基板处理装置的概略图。图10是用于说明图9的基板处理装置的内管的一个例子的立体图。图11是用于说明图9的基板处理装置的可动壁的一个例子的图。

第2实施方式的基板处理装置1a具有与前述的第1实施方式的基板处理装置1不同的内管44a和可动壁100a。此外，针对其他的点，具有与第1实施方式的基板处理装置1同样的结构，因此，对与第1实施方式的基板处理装置1同样的结构，省略说明，对不同的结构进行说明。

如图10所示，在内管44a上，宽度l11、长度l12的矩形形状的开口部沿着内管44a的长度方向(上下方向)隔开第1间隔l13设置有多个，从而形成有第1开口部52a。

第1开口部52a是形成为能够对内管44内的气体进行排气的气体排气口。位于第1开口部52a中的最上方的矩形形状的开口部的上端向与基板保持器具38的上端相对应的位置以上的高度延伸而被定位。另外，位于第1开口部52a中的最下方的矩形形状的开口部的下端向与基板保持器具38的下端相对应的位置以下的高度延伸而被定位。具体而言，如图9所示，基板保持器具38的上端与第1开口部52a中的位于最上方的矩形形状的开口部的上端之间的高度方向上的距离l2处于0mm～5mm程度的范围内。另外，基板保持器具38的下端与第1开口部52a中的位于最下方的矩形形状的开口部的下端之间的高度方向上的距离l3处于0mm～350mm程度的范围内。

另外，在内管44a的内部，沿着内管44a的内侧壁设置有可动壁100a。如图11所示，可动壁100a具有圆筒形状，在其侧壁形成有第2开口部102a。

第2开口部102a是形成为能够对内管44a内的气体进行排气的气体排气口。例如，如图11所示，通过将宽度l21、长度l22的矩形形状的开口部沿着内管44a的长度方向(上下方向)隔开第2间隔l23地设置有多个，从而形成有第2开口部102a。第2开口部102a的第2间隔l23形成得比第1间隔l13小。

在可动壁100a连接有未图示的升降机构，可动壁100a构成为利用升降机构能够进行升降(能够移动)。通过使升降机构动作而使可动壁100a升降，能够使第2开口部102相对于第1开口部52的位置变化。即、能够使通用开口部ca的位置变化。由此，能够对内管44内的气体的排气的平衡进行调整，对向晶圆w的表面供给的气体的流速进行控制。

图12是用于说明使用了图11的可动壁的情况的第1开口部与第2开口部之间的位置关系的图。图12的(a)和图12的(b)表示通过使可动壁100a移动(升降)、使第2开口部102a相对于第1开口部52a的位置变化时的通用开口部ca的位置的变化。

如图12的(a)和图12的(b)所示，通过使可动壁100a升降，能够使通用开口部ca的位置变化。

如图12的(a)所示，若使可动壁100a向上方向移动，以使第1开口部52a中的位于最上方的矩形形状的开口部的上端与第2开口部102a中的位于最上方的矩形形状的开口部的上端一致，则由于第2间隔l23比第1间隔l13小，因此，在第1开口部52a的上方侧，第1开口部52a和第2开口部102a重叠的面积较大，在第1开口部52a的下方侧，第1开口部52a与第2开口部102a重叠的面积变小。由此，与第1开口部52a的下方侧相比，内管44a内的气体易于从第1开口部52a的上方侧进行排气。

如图12的(b)所示，若可动壁100a向下方向移动，以使第1开口部52a中的位于最下方的矩形形状的开口部的下端与第2开口部102a中的位于最下方的矩形形状的开口部的下端一致，则由于第2间隔l23比第1间隔l13小，因此，在第1开口部52a的下方侧，第1开口部52a和第2开口部102a重叠的面积较大，在第1开口部52a的上方侧，第1开口部52a和第2开口部102a重叠的面积变小。由此，与第1开口部52a的上方侧相比，内管44a内的气体易于从第1开口部52a的下方侧进行排气。

通过如此使可动壁100a升降，能够使通用开口部ca的位置变化。由此，根据工艺条件、处理张数的变化使可动壁100a的位置移动，从而能够根据工艺条件、处理张数对排气的平衡进行调整。其结果，能够获得所期望的面间均匀性。

〔第3实施方式〕

对本发明的第3实施方式的基板处理装置进行说明。图13是用于说明第3实施方式的基板处理装置的可动壁的一个例子的图。

第3实施方式的基板处理装置具有与前述的第1实施方式的基板处理装置1不同的可动壁100b。此外，对于其他的点，具有与第1实施方式的基板处理装置1同样的结构，因此，对于与第1实施方式的基板处理装置1同样的结构，省略说明，对不同的结构进行说明。

如图13所示，可动壁100b具有半圆筒形状，形成有第2开口部102b1、102b2。

第2开口部102b1、102b2是形成为能够对内管44内的气体进行排气的气体排气口。第2开口部102b1、102b2形成为与第1开口部52的形状不同的形状。另外，第2开口部102b1、102b2具有彼此不同的形状，形成为例如不平行的两边的夹角不同的平行四边形状。在图13中，表示第2开口部102b1的形状是与前述的第2开口部102同样的形状的情况。此外，第2开口部102b1、102b2的形状并不限定于此，能够设为各种形状。

对第1开口部52与第2开口部102b1、102b2之间的位置关系进行说明。

对于第1开口部52与第2开口部102b1之间的位置关系，与第1实施方式相同，因此，省略说明。

图14是用于说明使用了图13的可动壁100b的情况的第1开口部52与第2开口部102b2之间的位置关系的图。图14的(a)～图14的(f)表示通过使可动壁100b移动(旋转)、使第2开口部102b2相对于第1开口部52的位置变化了时的通用开口部ca的形状的变化。

如图14的(a)～图14的(f)所示，通过使可动壁100b旋转，能够使通用开口部ca的形状变化。

在图14的(a)中，第1开口部52与第2开口部102b2完全不重叠，通用开口部ca的开口面积是0。由此，内管44内的气体未进行排气、或、几乎不进行排气。

在图14的(b)中，在第1开口部52的上方侧，第1开口部52与第2开口部102b2重叠。与此相对，在第1开口部52的下方侧，第1开口部52不与第2开口部102b2重叠。由此，内管44内的气体不从第1开口部52的下方侧进行排气，从第1开口部52的上方侧选择性地进行排气。

在图14的(c)中，在第1开口部52的上方侧和下方侧，第1开口部52和第2开口部102b2重叠，对于其重叠宽度，在第1开口部52的上方侧比在第1开口部52的下方侧的宽。另外，在从第1开口部52的上方侧到中央部的高度中，第1开口部52与第2开口部102b2完全重叠。即、在比第1开口部52的中央部靠上方侧的位置，通用开口部ca成为i型的形状，在比第1开口部52的中央部靠下方侧的位置，通用开口部ca成为v型的形状。由此，与第1开口部52的下方侧相比，内管44内的气体易于从第1开口部52的上方侧进行排气。

在图14的(d)中，第2开口部102b2与第1开口部52大致完全重叠。由此，内管44内的气体从第1开口部52的整体进行排气。

在图14的(e)中，在第1开口部52的上方侧和下方侧，第1开口部52和第2开口部102b2重叠，对于其重叠宽度，在第1开口部52的下方侧比在第1开口部52的上方侧宽。另外，在从第1开口部52的下方侧到中央部的高度中，第1开口部52和第2开口部102b2完全重叠。即、在比第1开口部52的中央部靠上方侧的位置，通用开口部ca成为v型的形状，在比第1开口部52的中央部靠下方侧的位置，通用开口部ca成为i型的形状。由此，与第1开口部52的上方侧相比，内管44内的气体易于从第1开口部52的下方侧进行排气。

图14的(f)中，在第1开口部52的下方侧，第1开口部52与第2开口部102b2重叠。与此相对，在第1开口部52的上方侧，第1开口部52不与第2开口部102b2重叠。由此，内管44内的气体不从第1开口部52的上方侧进行排气，从第1开口部52的下方侧选择性地进行排气。

如此，在第3实施方式的基板处理装置中，通过使可动壁100b旋转，能够使第2开口部102b1和第2开口部102b2中的一者与第1开口部52重叠。由此，能够增加通用开口部ca的形状的变化。因此，与第1实施方式相比，能够更细致对排气的平衡地进行调整。其结果，能够以更高的精度对面间均匀性进行控制。

此外，在第3实施方式中，列举在内管44形成有1个第1开口部52的情况为例进行了说明，但也可以形成有多个第1开口部52。在该情况下，优选多个第1开口部52各自的形状彼此不同。由此，能够进一步增加由于第1开口部52与第2开口部102b1、102b2之间的重叠而形成的通用开口部ca的形状的变化。在该情况下，第2开口部既可以是1个，也可以是多个。

(实施例)

对使通用开口部ca的形状变化时的、在晶圆w的表面形成的膜的膜厚的面间均匀性进行说明。图15是用于说明面间均匀性的图。图15的(a)是用于说明第1开口部的形状的图。图15的(b)表示晶圆w的位置与在晶圆w形成的氧化硅膜的膜厚之间的关系。在图15的(b)中，横轴表示晶圆w的位置，纵轴表示在晶圆w的表面形成的氧化硅膜的膜厚(nm)。另外，在图15的(b)中，“top”表示处理容器的上方侧的位置，“ctr”表示处理容器的中央部的位置，“btm”表示处理容器的下方侧的位置。另外，在图15中，“t-c”表示“top”与“ctr”之间的位置，“c-b”表示“ctr”与“btm”之间的位置。

在图15中，作为一个例子，列举使用六氯乙硅烷(hcd)气体作为原料气体、使用o3气体作为氧化气体来形成了氧化硅膜的情况为例来进行说明。此外，在实施例中，通过对第1开口部52的形状进行变更，虚拟地形成了使通用开口部ca的形状变化时的状态。具体而言，将第1开口部52的形状变更成v型(表示在图15的(a)的左侧。)、或i型(表示在图15的(a)的右侧。)。

如图15的(b)所示，可知：在第1开口部52的形状是v型的情况和i型的情况下，在晶圆w形成的氧化硅膜的膜厚的面间均匀性大幅度不同。具体而言，在第1开口部52的形状是v型的情况下，在“btm”的位置处的晶圆w形成的氧化硅膜的膜厚变薄。考虑到其原因在于，向btm侧供给的hcd气体在内管44内向第1开口部52的开口面积较大的top侧流动。与此相对，在第1开口部52的形状是i型的情况下，在“btm”的位置处的晶圆w形成的氧化硅膜的膜厚比第1开口部52的形状是v型的情况厚，面间均匀性提高。考虑到其原因在于，与第1开口部52的形状是v型的情况相比较，“top”的位置处的开口宽度较窄，因此，向btm侧供给的hcd气体在内管44内不会向top侧流动。

考虑到：通过如此使第1开口部52的形状变化，能够对在晶圆w的表面形成的膜的膜厚的面间均匀性进行控制，通过使通用开口部ca的形状变化，能够对在晶圆w的表面形成的膜的膜厚的面间均匀性进行控制。

以上，对用于实施本发明的形态进行了说明，但上述内容并不限定发明的内容，能够在本发明的范围内进行各种变形和改良。

在上述的实施方式中，对可动壁100沿着内管44的内侧壁设置的形态进行了说明，但并不限定于此，也可以设置于例如内管44与外管46之间。在该情况下，沿着内管44的外侧壁设置可动壁100。

另外，在上述的实施方式中，列举对氧化硅膜进行成膜的情况为例进行了说明，但与应该成膜的膜种类没有关系地能够适用本发明。另外，在上述的实施方式中，列举使用ald法的情况为例进行了说明，但并不限定于此，也能够将本发明适用于例如使用cvd法的情况。

另外，在上述的实施方式中，对没有使用等离子体的成膜处理进行了说明，但并不限定于此，也能够将本发明适用于使用了等离子体的成膜处理。在该情况下，在例如划分喷嘴收容部48的凸部50的分隔壁的外侧沿着其长度方向设置施加等离子体产生用的高频电力的电力板而使等离子体产生。

另外，在上述的实施方式中，作为基板，列举半导体晶圆为例进行了说明，但半导体晶圆也包括硅基板、gaas、sic、gan等化合物半导体基板。而且，并不限定于这些基板，也能够将本发明适用于液晶显示装置所使用的玻璃基板、陶瓷基板等。