采用蒸发镀膜制备倾斜纳米线阵列结构碲化锑基膜的方法与流程

技术特征：

1.一种采用蒸发镀膜制备倾斜纳米线阵列结构碲化锑基膜的方法，其特征在于包括以下制备步骤：

(1)将质量百分比纯度为99.99％的Sb2Te3、Te和Bi粉末，质量比Sb2Te3:Te:Bi＝10:0.8～1.2:0.8～1.2均匀混合，在8MPa～10MPa压力下压制Sb2Te3、Te和Bi混合材料成块体；所述Sb2Te3、Te和Bi粉末的平均粒径小于50μm；

(2)基底在丙酮、无水乙醇和去离子水中分别超声清洗5min～10min后取出，并用高纯度99.999％氮气吹干；

(3)将0.1g～0.2g的Sb2Te3、Te和Bi混合材料压制成的块体放入真空镀膜机的真空室的钨舟中，把基底放置于样品台中央，调节样品台与水平面的夹角θ＝0°～50°；调节基底中央与钨舟的距离d＝8cm～11cm；

(4)向真空室内充入2min～5min氮气后停止，随后对真空室抽真空，使真空室内真空度达到2.0×10^－4Pa～5.0×10^－4Pa；

(5)真空度达到2.0×10^－4Pa～5.0×10^－4Pa时，打开加热控温电源，设定加热温度240℃～280℃，开始对基底升温；

(6)温度升至预定温度240℃～280℃后，在PID控制器上设定沉积速率10nm/min～20nm/min，沉积时间2h～3h；

(7)开启交流电源，调节输出电流160A～170A；开始在基底上沉积制备倾斜纳米线阵列结构(Sb,Bi)2Te3膜；

(8)制备完毕，关闭交流电源，随真空镀膜机冷却至20℃～40℃后，取出制得在基底上沉积具有倾斜纳米线阵列结构(Sb,Bi)2Te3膜。

2.根据权利要求1所述的采用蒸发镀膜制备倾斜纳米线阵列结构碲化锑基膜的方法，其特征在于该方法优选以下制备步骤：

在玻璃基底上蒸发镀膜制备倾斜纳米线阵列结构(Sb,Bi)2Te3膜：

(1)将质量百分比纯度为99.99％的Sb2Te3、Te和Bi粉末，质量比Sb2Te3:Te:Bi＝10:1.0:1.0均匀混合，在9MPa压力下压制Sb2Te3、Te和Bi混合材料成块体；所述Sb2Te3、Te和Bi粉末的平均粒径小于50μm；

(2)基底在丙酮、无水乙醇和去离子水中分别超声清洗8min后取出，并用高纯度99.999％氮气吹干；

(3)将0.12g的Sb2Te3、Te和Bi混合材料压制成的块体放入真空镀膜机的真空室的钨舟中，把基底放置于样品台中央，调节样品台与水平面的夹角θ＝45°；调节基底中央与钨舟的距离d＝10cm；

(4)向真空室内充入5min氮气后停止，随后对真空室抽真空，使真空室内真空度达到4.0×10^－4Pa；

(5)真空度达到4.0×10^－4Pa时，打开加热控温电源，设定加热温度250℃，开始对基底升温；

(6)温度升至预定温度250℃后，在PID控制器上设定沉积速率15nm/min，沉积时间2h；

(7)开启交流电源，调节输出电流165A；开始在基底上沉积制备倾斜纳米线阵列结构(Sb,Bi)2Te3膜；

(8)制备完毕，关闭交流电源，随真空镀膜机冷却至30℃后，取出制得在基底上沉积具有倾斜纳米线阵列结构(Sb,Bi)2Te3膜。