技术总结
本发明涉及一种采用蒸发镀膜制备倾斜纳米线阵列结构碲化锑基膜的方法，制备步骤包括：(1)将质量百分比纯度为99.99％的Sb2Te3、Te和Bi粉末，质量比Sb2Te3:Te:Bi＝10:0.8～1.2:0.8～1.2均匀混合，在8～10MPa压力下压制Sb2Te3、Te和Bi混合材料成块体；(2)基底在丙酮、无水乙醇和去离子水中分别超声清洗并用氮气吹干；(3)将0.1～0.2g的Sb2Te3、Te和Bi混合材料压制成的块体放入真空镀膜机的真空室的钨舟中；(4)向真空室内充入2～5min氮气，使真空度达到2.0×10－4～5.0×10－4Pa；(5)设定加热温度240～280℃；(6)温升后，在PID控制器上设定沉积速率10～20nm/min，沉积时间2～3h；(7)开启交流电源，调节输出电流160～170A；开始制备倾斜纳米线阵列结构(Sb,Bi)2Te3膜。本发明制备简单，效果非常显著。
技术研发人员：谭明;郝延明;谢宁;秦月婷;焦永芳;吴泽华
受保护的技术使用者：天津科技大学
技术研发日：2018.01.08
技术公布日：2018.06.29