1.一种腔室，在所述腔室内设置有工艺组件及用于在腔室空闲时烘烤所述工艺组件的加热装置，其特征在于，还包括温度监控装置，用于监测所述工艺组件的温度；根据所述工艺组件的温度，来调节所述加热装置的输出功率，以将所述工艺组件的温度维持在目标温度。
2.根据权利要求1所述的腔室，其特征在于，所述温度监控装置包括非接触式温度传感器，所述非接触式温度传感器设置在所述腔室的外部，且能够将光信号发送至所述工艺组件所处位置；
在所述腔室的腔室壁且与所述非接触式温度传感器相对应的位置处设置有窗口，所述窗口能够使所述光信号透过。
3.根据权利要求2所述的腔室，其特征在于，所述非接触式温度传感器包括红外温度传感器或者红外热像仪。
4.根据权利要求2所述的腔室，其特征在于，所述窗口所采用的材料包括zns或者znse。
5.根据权利要求2所述的腔室，其特征在于，所述温度监控装置还包括位置调节机构，所述位置调节机构用于调节所述非接触式温度传感器发送光信号的方向。
6.根据权利要求1所述的腔室，其特征在于，将所述加热装置的输出功率调节至所述加热装置的额定功率的40％。
7.根据权利要求1-6任意一项所述的腔室，其特征在于，还包括温度控制单元和功率调节单元，其中，
所述温度监控装置监测所述工艺组件的温度，并将所述工艺组件的温度发送至所述温度控制单元；
所述温度控制单元用于计算所述工艺组件的温度与所述目标温度之间的差值，并根据所述差值控制所述功率调节单元调节所述加热装置的输出功率。
8.根据权利要求1-6任意一项所述的腔室，其特征在于，所述工艺组件包括屏蔽环和沉积环，其中，
在所述腔室内设置有基座，所述沉积环环绕在所述基座的周围；
所述屏蔽环的环绕在所述沉积环的周围，并且在所述屏蔽环的内周壁与所述沉积环的外周壁之间具有间隙，所述间隙的径向宽度小于等于0.2mm。
9.根据权利要求8所述的腔室，其特征在于，所述沉积环的上表面包括经表粗糙度处理的环形区域；所述环形区域的宽度大于等于11mm。
10.一种半导体加工设备，其特征在于，包括权利要求1-9任意一项所述的腔室。