技术特征：
技术总结
本发明涉及一种自支撑Ga2O3薄膜及其制备方法，所述制备方法具体为：在衬底上生长一层Sr3Al2O6薄膜后，再在所述Sr3Al2O6薄膜上生长一层Ga2O3薄膜；将覆有两层薄膜的衬底放入水中，待Sr3Al2O6薄膜溶解后，分离衬底和Ga2O3薄膜，即得自支撑Ga2O3薄膜。本发明所述的制备方法工艺可控性强，易操作；本发明所制得的自支撑Ga2O3薄膜表面致密、厚度稳定均一、可大面积制备、重复性好。
技术研发人员：唐为华;王霞
受保护的技术使用者：北京镓族科技有限公司
技术研发日：2018.05.31
技术公布日：2018.10.16