技术特征：
技术总结
本发明提供了一种靶材的制备方法，其步骤包括依次制备粉末氧化物、球磨料、坯料、靶材坯体、靶材成品；其中靶材原料通过冷等静压成形得到靶材坯体，将靶材坯体放在氧气和空气的混合气氛下进行阶段升温烧结，烧结时混合气氛中的氮气和氧气补充了靶材烧结过程中氧化物的氧化还原过程，能够减少靶材的宏观及微观空隙，减少靶材裂纹和缺陷，减少后期磁控溅射时的靶材结瘤现象。本发明制备的ITO靶材相对致密度为99.7％，电阻率为1.38μΩ·cm，使用该靶材进行磁控溅射时贴合率达到99％，连续溅射100h后靶材表面结瘤率不超过10％。
技术研发人员：李喜峰;杨祥;姜姝;潘成超;蒋文亚;李阿杰;谈艳阳
受保护的技术使用者：上海大学
技术研发日：2018.09.28
技术公布日：2019.01.15