1.一种化学机械研磨设备，其特征在于，包括：
抛光台，用于对晶圆进行研磨；
在所述抛光台外侧设置有晶圆保湿装置，所述晶圆保湿装置包括晶圆放置部件以及去离子水喷洒部件；
控制装置，所述控制装置在所述晶圆需要进行等待时将所述晶圆从所述抛光台上移动到所述晶圆保湿装置中并控制所述去离子水喷洒部件喷洒实现对所述晶圆保湿，以防止所述晶圆上的膜层被残留在所述晶圆表面上残留的研磨液腐蚀。
2.如权利要求1所述的化学机械研磨设备，其特征在于：化学机械研磨设备包括装载杯，所述抛光台包括研磨头，所述研磨头从所述装载杯上取放所述晶圆。
3.如权利要求2所述的化学机械研磨设备，其特征在于：所述装载杯包括晶圆托架，所述晶圆托架设置在底座上，在所述底座上设置有第一碰嘴，所述第一碰嘴用于从底部向上喷洒清洗液并实现对所述研磨头的清洗。
4.如权利要求3所述的化学机械研磨设备，其特征在于：所述晶圆保湿装置设置在所述装载杯上，所述晶圆托架作为所述晶圆放置部件，所述去离子水喷洒部件设置在所述晶圆托架上。
5.如权利要求4所述的化学机械研磨设备，其特征在于：所述晶圆托架包括第一圆环和多个辐条；
所述第一圆环的内径小于所述晶圆的半径，所述第一圆环的外径大于所述晶圆的半径；
各所述辐条设置在所述第一圆环的圆心和内径之间；
在所述辐条上设置有多个第二碰嘴，所述第二碰嘴和去离子水供应管相连并作为所述去离子水喷洒部件。
6.如权利要求1所述的化学机械研磨设备，其特征在于：所述控制装置将所述晶圆从所述抛光台上移动到所述晶圆保湿装置中进行保湿的控制条件包括：
化学机械研磨设备发生故障报警而停止研磨。
7.如权利要求1所述的化学机械研磨设备，其特征在于：所述抛光台包括多个研磨垫，各所述研磨垫都能对所述晶圆进行研磨；
所述控制装置将所述晶圆从所述抛光台上移动到所述晶圆保湿装置中进行保湿的控制条件包括：
当所述晶圆在一个研磨垫上研磨完成，所述晶圆的下一步研磨工艺对应的研磨垫没有空时，所述晶圆需要等待，所述控制装置计算所述晶圆的等待时间，将等待时间大于预设值作为将所述晶圆从所述抛光台上移动到所述晶圆保湿装置中进行保湿的条件。
8.如权利要求1至7中任一权项所述的化学机械研磨设备，其特征在于：化学机械研磨设备实现对钨层的研磨。
9.一种化学机械研磨方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤一、在抛光台对晶圆进行研磨；
步骤二、控制装置监控所述晶圆湿法需要进行等待，在所述晶圆需要进行等待时将所述晶圆从所述抛光台上移动到晶圆保湿装置对所述晶圆保湿，以防止所述晶圆上的膜层被残留在所述晶圆表面上残留的研磨液腐蚀；
所述晶圆保湿装置设置在所述抛光台外侧，所述晶圆保湿装置包括晶圆放置部件以及去离子水喷洒部件；所述控制装置通过控制所述晶圆保湿装置的去离子水喷洒部件喷洒实现所述晶圆保湿。
10.如权利要求9所述的化学机械研磨方法，其特征在于：化学机械研磨设备包括装载杯，所述抛光台包括研磨头，所述研磨头从所述装载杯上取放所述晶圆。
11.如权利要求10所述的化学机械研磨方法，其特征在于：所述装载杯包括晶圆托架，所述晶圆托架设置在底座上，在所述底座上设置有第一碰嘴，所述第一碰嘴用于从底部向上喷洒清洗液并实现对所述研磨头的清洗。
12.如权利要求11所述的化学机械研磨方法，其特征在于：所述晶圆保湿装置设置在所述装载杯上，所述晶圆托架作为所述晶圆放置部件，所述去离子水喷洒部件设置在所述晶圆托架上。
13.如权利要求12所述的化学机械研磨方法，其特征在于：所述晶圆托架包括第一圆环和多个辐条；
所述第一圆环的内径小于所述晶圆的半径，所述第一圆环的外径大于所述晶圆的半径；
各所述辐条设置在所述第一圆环的圆心和内径之间；
在所述辐条上设置有多个第二碰嘴，所述第二碰嘴和去离子水供应管相连并作为所述去离子水喷洒部件。
14.如权利要求9所述的化学机械研磨方法，其特征在于：所述控制装置将所述晶圆从所述抛光台上移动到所述晶圆保湿装置中进行保湿的控制条件包括：化学机械研磨设备发生故障报警而停止研磨；
所述抛光台包括多个研磨垫，各所述研磨垫都能对所述晶圆进行研磨；
所述控制装置将所述晶圆从所述抛光台上移动到所述晶圆保湿装置中进行保湿的控制条件还包括：当所述晶圆在一个研磨垫上研磨完成，所述晶圆的下一步研磨工艺对应的研磨垫没有空时，所述晶圆需要等待，所述控制装置计算所述晶圆的等待时间，将等待时间大于预设值作为将所述晶圆从所述抛光台上移动到所述晶圆保湿装置中进行保湿的条件。
15.如权利要求9至14中任一权项所述的化学机械研磨方法，其特征在于：步骤一实现对所述晶圆上的钨层进行研磨。