一种用于镀膜机的银钯喷溅装置的制作方法

1.本发明属于晶片镀膜领域，具体为一种用于镀膜机的银钯喷溅装置。


背景技术：

2.晶片在镀膜加工的时候，是将晶片放置于真空的电场和磁场下，将钯材喷溅到晶片的表面，形成镀膜层，镀膜层的厚度的不同，制作完成后的晶振频率就会不一样，这样就会导致晶振在电路中的效果产生不同的差异，因此在实际镀膜加工的时候，需要保证晶片镀膜的厚度统一性，保证加工质量，由于晶片放置在晶片夹具上，每一颗晶片的位置各不相同，因此在实际加工的时候，由于钯材上的镀膜离子是以散射的方式飞出，吸附在晶片夹具上的时候，晶片夹具中间位置的晶片的镀膜厚度会明显高于两端的厚度，因此，导致各个位置的晶片的镀膜厚度不均匀。


技术实现要素：

3.本发明的目的是针对以上问题，提供一种用于镀膜机的银钯喷溅装置，保证镀膜均匀。
4.为实现以上目的，本发明采用的技术方案是：一种用于镀膜机的银钯喷溅装置，包括设备箱体，所述设备箱体内设置工作空间，所述工作空间内设置镀膜机构和转移机构；
5.所述转移机构包括转动设置在所述工作空间内的转动部，所述转动部上固定设置若干个晶片夹具，所述晶片夹具上是待镀膜的晶片；
6.所述镀膜装置包括设置于所述工作空间的顶壁上的若干个第一钯材和若干个第二钯材，所述晶片夹具从若干个所述第一钯材之间的间隙走过时镀第一层膜，从若干个所述第二钯材之间的间隙走过时镀第二层膜。
7.进一步的，所述工作空间的上侧设置空腔，所述空腔内设置驱动源，所述驱动源控制若干个所述第一钯材之间同步转动，并驱动若干个所述第二钯材之间同步转动。
8.进一步的，所述镀膜机构还包括设置于所述工作空间的顶面上的进气管，所述进气管上连接气源；所述工作空间的顶面上还固定设置若干个分隔部，所述分隔部套在所述第一钯材、所述第二钯材的外侧，与所述第一钯材、所述第二钯材之间转动连接。
9.进一步的，所述分隔部的一侧设置缺口，所述缺口正面朝向所述晶片夹具，所述分隔部的外侧面上设置可上下调节的补正件，所述补正件位于所述晶片夹具和所述第二钯材之间的间隙内，所述补正件使镀在所述晶片夹具的晶片上的膜的厚度均匀。
10.进一步的，所述分隔部的外侧面上设置滑道，所述滑道内滑动设置卡座，所述补正件被卡接在所述卡座内，所述分隔部的外侧面上设置指示所述补正件上下高度的刻度，所述分隔部上固定设置指针。
11.进一步的，所述补正件为圆环，其宽度为2
‑
4mm，材质为不导磁材质。
12.进一步的，所述转动部的顶部设置若干个插接座，所述晶片夹具插接于所述插接座上，所述转动部上连接驱动其转动的驱动源。
13.进一步的，所述第一钯材、所述第二钯材内设置提供磁场的磁极；所述第一钯材、所述第二钯材连接负极，所述晶片夹具及所述晶片夹具上的晶片连接正极，所述第一钯材与所述晶片夹具之间，以及所述晶片夹具和所述第二钯材之间形成电场。
14.本发明的有益效果：本发明提供了一种用于镀膜机的银钯喷溅装置，1、通过设置转移机构，使晶片在进行镀膜时能够进行位置的切换，实现同时对更多的晶片进行镀膜加工。
15.2、通过设置补正件，在进行镀膜的时候，能够将中间部分的银钯挡住，从而分散向晶片夹具的两端，使晶片夹具上的晶片镀膜时更加的均匀，并且通过在分隔部上设置滑道和刻度、卡座，使在调节补正件的上下高度的时候更加方便，也更加方便掌控调节的高度。
附图说明
16.图1为本发明整体结构示意图；
17.图2为图1中a处的局部放大结构示意图；
18.图3为分隔部的结构示意图；
19.图4为图3中b
‑
b方向的剖视示意图；
20.图5为改善的前后的频率对比折线图。
21.图中所述文字标注表示为：10、设备箱体；11、工作空间；12、转动部；13、晶片夹具；14、第一钯材；15、第二钯材；16、空腔；17、进气管；18、分隔部；19、缺口；20、补正件；21、滑道；22、刻度；23、指针；24、卡座；25、插接座；26、磁极。
具体实施方式
22.为了使本领域技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图对本发明进行详细描述，本部分的描述仅是示范性和解释性，不应对本发明的保护范围有任何的限制作用。
23.如说明书附图1
‑
4所示，本发明的具体结构为：一种用于镀膜机的银钯喷溅装置，包括设备箱体10，所述设备箱体10内设置工作空间11，所述工作空间11内设置镀膜机构和转移机构；镀膜机构主要是将钯材镀到晶片的表面上，转移机构是将待镀膜的晶片进行输送，使晶片的位置发生变化，从而对多个的晶片进行镀膜操作；
24.所述转移机构包括转动设置在所述工作空间11内的转动部12，转动部12为转动盘，所述转动部12上连接驱动其转动的驱动源，驱动源是固定设置在设备箱体10内的电动机，所述转动部12上固定设置若干个晶片夹具13，所述晶片夹具13上是待镀膜的晶片，所述转动部12的顶部设置若干个插接座25，所述晶片夹具13插接于所述插接座25上，插接座25可以上下方向的调节高度，根据实际的需要进行调节；
25.所述镀膜装置包括设置于所述工作空间11的顶壁上的若干个第一钯材14和若干个第二钯材15，本实施例中，第一钯材14和第二钯材15分别设置两个，两个第一钯材14之间，以及两个第二钯材15之间是分别相对设置，第一钯材14和第二钯材15之间的位置在转动部12的直径所在的直线方向的两端，第一钯材14为铬钯，第二钯材15为银钯，晶片夹具13的位置位于两个第一钯材14的间隙，以及两个第二钯材15之间的间隙之间，且与第一钯材14、第二钯材15之间存在空隙，并不直接接触，所述晶片夹具13从两个所述第一钯材14之间
的间隙走过时镀第一层膜，从两个所述第二钯材15之间的间隙走过时镀第二层膜，在镀膜的过程中，必须是先使用第一钯材14镀第一层膜，然后才能使用第二钯材15镀第二层膜，所述第一钯材14、所述第二钯材15内设置提供磁场的磁极26；具体的，钯材包裹在磁极26的外侧，每两个第一钯材14之间，以及每两个第二钯材15之间的磁极之间为磁场，所述第一钯材14、第二钯材15连接负极，所述晶片夹具13及所述晶片夹具13上的晶片连接正极，在钯材和晶片之间形成电场。
26.优选的，如说明书附图1
‑
2所示，所述工作空间11的上侧设置空腔16，所述空腔16内设置驱动源，驱动源是固定设置在空腔16的底面上的电动机，第一钯材14和第二钯材15上设置有与设备箱体10之间相互转动设置的转动轴，转动轴向上贯穿空腔16的底面，且与电动机之间通齿轮进行传动，两个第一钯材14和两个第二钯材15的转动轴上的齿轮分别在同一个电动机的控制下进行转动，因此在进行镀膜加工的时候电动机是控制两个所述第一钯材14之间同步的以相同的方向进行转动，并驱动两个所述第二钯材15之间同步的以相同的方向转动，这样的设置使为了让第一钯材14和第二钯材15上消耗的更加均匀，主要是因为第一钯材14和第二钯材15在镀膜的时候以最外侧的一面消耗的钯材最多，通过转动的设置，可以使钯材面对最外侧的部分一直处于变化的状态，从而使钯材在消耗的时候是均匀的进行消耗。
27.优选的，如说明书附图1
‑
2所示，所述镀膜机构还包括设置于所述工作空间11的顶面上的进气管17，所述进气管17上连接气源，气源内包含的气体是氩气，氩气在高压电场的环境下被电离成ar
+
，ar
+
撞击钯材，使钯材析出相应的cr
+
和ag
+
，cr
+
和ag
+
会吸附在晶片上形成镀膜层，；所述工作空间11的顶面上还固定设置若干个分隔部18，分隔部18为中间空心的管状，分隔部18的数量和第一钯材14、第二钯材15的数量是对应的，所述分隔部18套在所述第一钯材14、所述第二钯材15的外侧，与所述第一钯材14、所述第二钯材15之间转动连接，主要是对第一钯材14、第二钯材15起到保护的作用，减缓钯材的消耗，使消耗的钯材都能够直接作用在晶片的表面上。
28.优选的，如说明书附图1
‑
2所示，所述分隔部18的一侧设置缺口19，所述缺口19正面朝向所述晶片夹具13，缺口19的作用是让钯材裸露，便于和ar
+
接触，将钯材撞击，使cr
+
和ag
+
飞出，所述分隔部18的外侧面上设置可上下调节的补正件20，所述补正件20为圆环，其宽度为2
‑
4mm，优选3mm，材质为不导磁材质，不导磁的材质的主要是为了防止补正件20在磁场中导磁后，对磁场产生影响，所述补正件20是悬空设置，位于所述晶片夹具13和所述第二钯材15之间的间隙内，所述补正件20使让飞出的ag
+
能够被阻挡，尤其是阻挡住位于晶片夹具13中间位置较多的ag
+
，从而使吸附在晶片夹具13的晶片上的ag
+
减少，而两端的ag
+
不变，从而使镀在所述晶片夹具13的各个区域的晶片上的镀膜厚度均匀；
29.在实际的生产过程中，由于晶片的体积小，晶片的镀膜厚度无法进行测量，因此晶片的厚度(t)是通过计算得到的，计算公式如下：
30.t＝1670/f
31.其中：f—待测晶片的频率
32.因此，晶片的厚度和晶片的频率是呈现出反比的情况，只需要通过测量处晶片的频率(f)，即可以计算出晶片的镀膜厚度(t)，在实际测试晶片的频率时，将晶片夹具13上的晶片分为上、中、下三部分，晶片的频率实际以区域性的数值进行体现，具体的实验数据汇
总成下表：
33.改善前：
[0034][0035][0036]
在将补正件20加入，改善后：
[0037] 上中下平均值
‑
1,649.95
‑
1,623.02
‑
1,624.341
‑
2,304.20
‑
2,214.77
‑
2,210.122
‑
1,275.35
‑
1,420.05
‑
1,655.933
‑
1,519.98
‑
1,337.16
‑
1,401.524
‑
1,777.72
‑
1,765.57
‑
1,745.535
‑
1,598.55
‑
1,612.64
‑
1,763.816
‑
1,747.46
‑
1,826.09
‑
1,150.397
‑
1,693.37
‑
1,492.01
‑
1,442.088
‑
1,586.74
‑
1,434.55
‑
1,323.289
‑
2,310.81
‑
2,236.88
‑
2,105.4410
‑
1,501.36
‑
1,363.69
‑
1,491.3811
‑
2,021.19
‑
2,147.44
‑
2,050.2712
‑
769.65
‑
457.91
‑
421.9513
‑
972.35
‑
802.76
‑
733.30
14
‑
1,492.43
‑
1,627.49
‑
1,262.6015
‑
1,411.87
‑
1,539.42
‑
1,720.8116
‑
1,389.63
‑
1,199.63
‑
1,584.6717
‑
2,226.00
‑
2,046.28
‑
2,060.2618
‑
1,948.25
‑
2,285.20
‑
2,247.7619
‑
1,693.43
‑
1,684.64
‑
2,292.5220
‑
1,758.65
‑
1,966.32
‑
1,823.11
[0038]
通过对比上、中、下三个位置的频率的平均值；
[0039]
在改善：
‑
2537、
‑
3627、
‑
1848
[0040]
加入补正件20改善后：
‑
1649.95、
‑
1623.02、
‑
1624.34
[0041]
并将其制作成折线图(如说明书附图5所示)，显然在将补正件20加入之后，三个位置的频率的一致性明显提高，也说明了在加入补正件20之后，让镀膜的厚度的更加均匀的效果是非常乐观的。
[0042]
如说明书附图3
‑
4所示，在所述分隔部18的外侧面上设置滑道21，所述滑道21内滑动设置卡座24，滑道21和卡座24设置至少两个，本实施例中是设置的两个，以保证补正件20在安装时的稳定性，所述补正件20被卡接在所述卡座24内，所述分隔部18的外侧面上设置指示所述补正件20上下高度的刻度22，所述分隔部18上固定设置指针23，因此在需要调节补正件20的位置的时候，通过刻度22能够之间直观的看到运动的高度，另外在确定补正件20的上下高度的时候，通过测量处上、中、下三个位置的晶振的频率，确定晶片厚度一致性最好的时的位置即为补正件20的最终位置。
[0043]
本发明的使用原理是：首先将待镀膜的晶片放置在插接座25上，然后将晶片夹具13、第一钯材14通电形成电场，并向工作空间11充入氩气，氩气在电场内电离成ar
+
，ar
+
撞击钯材，首先使第一钯材14析出成cr
+
，并吸附在晶片上，形成第一层镀膜，然后对晶片夹具13、第二钯材15通电，使第二钯材15析出ag
+
吸附在晶片上，形成第二层镀膜，在镀膜的过程中，驱动第一钯材14、第二钯材15转动的电动机启动，控制第一钯材14、第二钯材15进行持续性的转动，从而使第一钯材14和第二钯材15能够均匀的被消耗，当一个晶片夹具13上的晶片镀膜完成之后，转动部12上连接的电动机驱动转动部12和晶片夹具13转动，进行切换到下一个晶片夹具13，并对下一个晶片夹具13上的晶片进行镀膜，
[0044]
通过补正件20使晶片夹具13上的晶片的镀膜的厚度根据均匀，更加趋于一致性，在需要对补正件20的位置进行确定的时候，直接对晶片夹具13上的晶片的位置进行测频，根据实际的测量结果来调节补正件20的上下方向的最佳位置。
[0045]
需要说明的是，在本文中，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。
[0046]
本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想。以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，由于文字表达的有限性，而客观上存在无限的具体结构，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进、润饰或变化，也可以将
上述技术特征以适当的方式进行组合；这些改进润饰、变化或组合，或未经改进将发明的构思和技术方案直接应用于其它场合的，均应视为本发明的保护范围。