r>[0058](I)第一次冷轧:采用0.23mm厚普通取向硅钢作为钢带原料，分剪宽度为200mm，在室温下，进行第一次冷轧，轧制变形率为75%，冷轧道次为3?7道次，冷轧过程采用本领域所知的冷却液；
[0059](2)中间退火:在氢气-氮气保护气氛下，进行连续中间退火，退火的温度为8200C，退火速度为6.5米/分钟，形成次再结晶组织；
[0060](3)第二次冷轧:在室温下，在65%变形率下，进行第二次冷轧，冷轧道次为3?7道次，终轧厚度为0.02mm；
[0061](4)再结晶退火:在氢气-氮气保护气氛下，进行连续再结晶退火，退火的温度为9700C，退火速度为7.5米/分钟，形成再结晶组织；
[0062](5)涂覆:连续涂覆绝缘涂层，得到超薄取向硅钢薄带。
[0063]所制备的超薄取向硅钢薄带的实际测量厚度为0.023mm，符合国际公差范围(±0.005mm)，试验测得的磁感强度Bltl。。为1.64T，铁损P。.3/3。。。小于28w/kg。
[0064]实施例5
[0065]本实施例中所述的一种超薄取向硅钢薄带的制造工艺，包括如下步骤:
[0066](I)第一次冷轧:采用0.25mm厚普通取向硅钢作为钢带原料，分剪宽度为200mm，在室温下，进行第一次冷轧，轧制变形率为71 %，冷轧道次为3?7道次，冷轧过程采用本领域所知的冷却液；
[0067](2)中间退火:在氢气-氮气保护气氛下，进行连续中间退火，退火的温度为1050°C，退火速度为15米/分钟，形成再结晶组织；
[0068](3)第二次冷轧:在室温下，在72%变形率下，进行第二次冷轧，冷轧道次为3?7道次，终轧厚度为0.02mm；
[0069](4)再结晶退火:在氢气-氮气保护气氛下，进行连续再结晶退火，退火的温度为800°C，退火速度为18米/分钟，形成再结晶组织；
[0070](5)涂覆:连续涂覆绝缘涂层，得到超薄取向硅钢薄带。
[0071 ] 所制备的超薄取向硅钢薄带的实际测量厚度为0.022mm，符合国际公差范围(±0.005mm)，试验测得的磁感强度B1000为1.65T，铁损Ρα3/3_小于28w/kg。
[0072]实施例6
[0073]本实施例中所述的一种超薄取向硅钢薄带的制造工艺，包括如下步骤:
[0074](I)第一次冷轧:采用0.27mm厚普通取向硅钢作为钢带原料，分剪宽度为200mm，在室温下，进行第一次冷轧，轧制变形率为85 %，冷轧道次为3?7道次，冷轧过程采用本领域所知的冷却液；
[0075](2)中间退火:在氢气-氮气保护气氛下，进行连续中间退火，退火的温度为850°C，退火速度为12米/分钟，形成再结晶组织；
[0076](3)第二次冷轧:在室温下，在50%变形率下，进行第二次冷轧，冷轧道次为3?7道次，终轧厚度为0.02mm；
[0077](4)再结晶退火:在氢气-氮气保护气氛下，进行连续再结晶退火，退火的温度为1100°C，退火速度为9米/分钟，形成再结晶组织；
[0078](5)涂覆:连续涂覆绝缘涂层，得到超薄取向硅钢薄带。
[0079]所制备的超薄取向硅钢薄带的实际测量厚度为0.024mm，符合国际公差范围(±0.005mm)，试验测得的磁感强度Bltl。。为1.62T，铁损P。.3/3。。。小于28w/kg。
[0080]实施例7
[0081]本实施例中所述的一种超薄取向硅钢薄带的制造工艺，包括如下步骤:
[0082](I)第一次冷轧:采用0.25mm厚普通取向硅钢作为钢带原料，分剪宽度为200mm，在室温下，进行第一次冷轧，轧制厚度为0.065mm,轧制变形率为74%，冷轧道次为3?7道次，冷轧过程采用本领域所知的冷却液，如水冷却液或高压喷雾冷却液；
[0083](2)中间退火:在氢气保护气氛下，进行连续中间退火，退火的温度为830°C，退火速度为6米/分钟，形成再结晶组织；
[0084](3)第二次冷轧:在室温下，在69%变形率下，进行第二次冷轧，冷轧道次为3?7道次，终轧厚度为0.02mm；
[0085](4)再结晶退火:在氢气保护气氛下，进行连续再结晶退火，退火的温度为860°C，退火速度为14米/分钟，形成再结晶组织；
[0086](5)涂覆:连续涂覆绝缘涂层，得到超薄取向硅钢薄带。
[0087]所制备的超薄取向硅钢薄带的实际测量厚度为0.021mm，符合国际公差范围(±0.005mm)，试验测得的磁感强度Bltl。。为1.65T，铁损P。.3/3。。。小于28w/kg。
[0088]实施例8
[0089]本实施例中所述的一种超薄取向硅钢薄带的制造工艺，包括如下步骤:
[0090](I)第一次冷轧:采用0.27mm厚普通取向硅钢作为钢带原料，分剪宽度为200mm，在室温下，进行第一次冷轧，轧制厚度为0.095mm,轧制变形率为65%，冷轧道次为3?7道次，冷轧过程采用本领域所知的冷却液；
[0091](2)中间退火:在氢气保护气氛下，进行连续中间退火，退火的温度为780°C，退火速度为5米/分钟，形成再结晶组织；
[0092](3)第二次冷轧:在室温下，在79%变形率下，进行第二次冷轧，冷轧道次为3?7道次，终轧厚度为0.02mm；
[0093](4)再结晶退火:在氢气-氮气保护气氛下，进行连续再结晶退火，退火的温度为950°C，退火速度为3米/分钟，形成再结晶组织；
[0094](5)涂覆:连续涂覆绝缘涂层，得到超薄取向硅钢薄带。
[0095]所制备的超薄取向硅钢薄带的实际测量厚度为0.023mm，符合国际公差范围(±0.005mm)，试验测得的磁感强度Bltl。。为1.64T，铁损P。.3/3。。。小于28w/kg。
[0096]实施例9
[0097]本实施例中所述的一种超薄取向硅钢薄带的制造工艺，包括如下步骤:
[0098](I)第一次冷轧:采用0.30mm厚普通取向硅钢作为钢带原料，分剪宽度为200mm，在室温下，进行第一次冷轧，乳制厚度为0.08_，轧制变形率为73%，冷轧道次为3?7道次，冷轧过程采用本领域所知的冷却液，如水冷却液或高压喷雾冷却液；
[0099](2)中间退火:在氢气-氮气保护气氛下，进行连续中间退火，退火的温度为870°C，退火速度为14米/分钟，形成再结晶组织；
[0100](3)第二次冷轧:在室温下，在75%变形率下，进行第二次冷轧，冷轧道次为3?7道次，终轧厚度为0.02mm；
[0101](4)再结晶退火:在氢气保护气氛下，进行连续再结晶退火，退火的温度为760V，退火速度为12米/分钟，形成再结晶组织；
[0102](5)涂覆:连续涂覆绝缘涂层，得到超薄取向硅钢薄带。
[0103]所制备的超薄取向硅钢薄带的实际测量厚度为0.022mm，符合国际公差范围(±0.005mm)，试验测得的磁感强度Bltl。。为1.61T，铁损P。.3/3。。。小于28w/kg。
[0104]以上各实施例所制备的超薄取向硅钢薄带，可以卷绕加工为各种形状的铁芯，方便实际应用。
[0105]以上所述的仅是本发明的一些实施方式。对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明创造构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。
【主权项】
1.超薄取向娃钢薄带的制造工艺，其特征在于，至少包括如下步骤: (1)第一次冷轧:采用普通取向硅钢作为钢带原料，在室温下，保证一定的变形率范围下，进行第一次冷轧； (2)中间退火:在还原气氛下，进行中间退火，退火的温度为750°C?1150 °C，形成再结晶组织； (3)第二次冷轧:在室温下，保证一定的变形率范围下，进行第二次冷轧，终轧厚度为0.02mm ； (4)再结晶退火:在还原气氛下，进行再结晶退火，退火的温度为750°C?1150°C，形成再结晶组织； (5)涂覆:连续涂覆绝缘涂层，得到超薄取向硅钢薄带。
2.根据权利要求1所述的超薄取向娃钢薄带的制造工艺，其特征在于，步骤(I)中所述第一次冷轧的所述变形率范围为50%?88%，步骤(3)中所述第二次冷轧的所述变形率范围为40%?80%。
3.根据权利要求1或2所述的超薄取向娃钢薄带的制造工艺，其特征在于，步骤(3)中所述第二次冷轧的所述变形率范围为65%?80%。
4.根据权利要求1所述的超薄取向娃钢薄带的制造工艺，其特征在于，步骤(I)中所述普通取向硅钢的厚度为0.2?0.3mm。
5.根据权利要求1所述的超薄取向娃钢薄带的制造工艺，其特征在于，步骤(I)中所述第一次冷轧的轧到的厚度为0.065?0.095mm。
6.根据权利要求1所述的超薄取向娃钢薄带的制造工艺，其特征在于，步骤(2)中所述中间退火为连续退火，退火速度为2?20米/分钟。
7.根据权利要求1所述的超薄取向娃钢薄带的制造工艺，其特征在于，步骤(4)中所述再结晶退火为连续退火，退火速度为2?20米/分钟。
8.根据权利要求1或6或7所述的超薄取向娃钢薄带的制造工艺，其特征在于，所述还原气氛是指氢气或氢气-氮气混合气体。
【专利摘要】本发明公开了一种超薄取向硅钢薄带的制造工艺，包括以下步骤：(1)第一次冷轧：在室温下，将钢带原料进行第一次冷轧；(2)中间退火：在还原气氛下，进行中间退火，退火的温度为750℃～1150℃；(3)第二次冷轧：在室温下，进行第二次冷轧，终轧厚度为0.02mm；(4)再结晶退火：在还原气氛下，进行再结晶退火，退火的温度为750℃～1150℃；(5)涂覆：连续涂覆绝缘涂层，得到超薄取向硅钢薄带。本发明公开的超薄取向硅钢薄带的制造工艺，不仅生产难度小，设备负荷低，且生产效率高，易于实现批量化生产，同时，所生产的超薄取向硅钢薄带的成品具有良好的磁性能，利于实际应用。
【IPC分类】C21D8-12
【公开号】CN104831038
【申请号】CN201510239650
【发明人】桂福生
【申请人】苏州巨磁功能材料有限公司
【公开日】2015年8月12日
【申请日】2015年5月12日