沉积源130及/或气体分离单元120的类似的支撑件可额外地或选择性地提供 有冷却通道或加热元件。藉此，碟件310的温度可各别地控制。因此，碟件310的热膨胀可 独立于涂布鼓轮的温度来做控制。藉此，在电极与基板或基板支撑件表面间的距离的宽度 可分别地调整，且主要由滚轮1412定义。可理解的是，滚轮1412为气体分离单元、沉积源 及/或沉积源的电极提供连接元件或支撑件，特别是与涂布鼓轮或涂布鼓轮的轴的机械式 连接。再者，藉由上述所述的类似的支撑件可得出数个实施例。
[0147] 根据此处所述不同实施例，提供了用于涂布薄膜于基板上的设备。此设备包括基 板支撑件及气体分离单元，基板支撑件具有外表面，用于导引基板通过第一真空处理区域 及至少第二真空处理区域，气体分离单元用于分离第一真空处理区域与至少一第二真空处 理区域，且适用于形成狭缝，基板可通过基板支撑件的外表面与气体分离单元之间的该狭 缝，其中气体分离单元适用于控制在第一真空处理区域与第二真空处理区域之间的流体连 通，且其中流体连通藉由调整气体分离单元的位置来控制。根据该设备典型的调整，可提 供下列特性、细节、方面的至少一者：至少一气体分离单元可包括致动器，设置以调整狭缝 的宽度；基板支撑件可为涂布鼓轮且其中至少一气体分离单元包括支撑元件，机械式连接 于气体分离单元及涂布鼓轮的轴；其它支撑元件可例如是碟件或碟件的一部分，其中碟件 或碟件的该部分具有本质上相同于涂布鼓轮的直径或具有本质上相同于涂布鼓轮加狭缝 的宽度的直径，其中碟件或碟件的该部分由一材料所组成，此材料与具有不同的热膨胀系 数的涂布鼓轮的材料不同，其中碟件或碟件的该部分保持于相同于鼓轮的温度或不同于鼓 轮的一合适的温度，以调整碟件或碟件的该部分的直径成为涂布鼓轮或支撑元件的直径； 或其中碟件或碟件的该部分具有本质上相同于涂布鼓轮的直径或具有本质上相同于涂布 鼓轮加狭缝的宽度的直径，其中碟件或碟件的该部分由一材料所组成，此材料相同于涂布 鼓轮的材料，且其中碟件保持于相同的温度或者碟件或碟件的该部分保持于合适的温度水 平，以调整碟件或碟件的该部分的直径成为涂布鼓轮的直径。根据可与此处所述其它实施 例结合的再其它实施例，此设备可更包括监控装置，用于监控狭缝的宽度及/或至少两个 等离子体沉积源，其中做为一其它选择式或额外调整，监控装置包括光学或电力监控器，用 以光学地或电力地监控狭缝的宽度；以及/或其中监控装置为等离子体监控器，连接于至 少两个等离子体式的沉积源的至少一者，用以监控一或数个等离子体条件。更进一步的细 节、方面及特性可额外地或选择性地包括至少一气体入口及/或一真空通道，至少一气体 入口用以提供分离气体于气体分离单元与基板间的狭缝中，真空通道用以连接真空泵浦。
[0148] 根据再其它实施例，提供于沉积设备的两个沉积源之间的气体分离的方法被提 供。此方法包括导引基板于基板支撑件的上方（见例如图15中的步骤1502)，以及变化气 体分离单元与基板支撑件的距离，气体分离单元设置用于气体分离（见例如是图15中的 步骤1504)，特别是其中距离根据基板支撑件的温度及/或位置变化。根据其再其它额外 或选择性的调整，距离可藉由致动器改变；径向距离可藉由用于分离单元的支承件的热膨 胀改变；及/或基板支撑件可为涂布鼓轮。根据甚至更其它实施例，提供了于沉积设备中 沉积薄膜于基板上的方法。此方法包括导引基板于基板支撑件的上方（见例如图15中的 步骤1502);以及变化等离子体沉积源的电极与基板支撑件的距离（见例如图15中的步骤 1506)，特别是其中距离根据基板支撑件的温度及/位置变化。根据其再其它额外或选择性 的调整，距离可藉由致动器改变及/或基板支撑件可为涂布鼓轮，且其中距离为径向距离， 径向距离藉由用于等离子体沉积源的支承件的热膨胀来变化。如上所述，除了在步骤1506 中的电极的距离的变化，气体分离单元与基板支撑件的距离可在步骤1504中变化，气体分 离单元设置用于气体分离。虽然图15绘示步骤1504及1506,可理解的是，根据此处所述实 施例，或者是步骤1504、或者是步骤1506、或者是步骤1504以及步骤106两者可根据此处 所述实施例提供。再者，作为此处所述的沉积站的位置的另一选择性实现，沉积站包括一或 数个气体分离单元，电极及其它元件可以作为一体的方式做变化。
[0149] 根据再其它实施例，提供了用于沉积薄膜于基板上的设备。此设备包括基板支撑 件、第一沉积源及至少一第二沉积源，基板支撑件具有外表面，用于导引基板沿着基板支撑 件的表面通过第一真空处理区域及至少一第二真空处理区域，第一沉积源对应于第一真空 处理区域，且至少一第二沉积源对应于至少一第二真空处理区域，其中至少第一沉积源包 括电极、处理气体入口及处理气体出口、以及至少一分离气体入口，电极具有一表面，其中 电极的表面相对于基板支撑件的表面，其中处理气体入口及处理气体出口配置于电极的表 面的相对侧，至少一分离气体入口具有一或数个分离气体入口开口，其中一或数个分离气 体入口开口至少提供于电极的表面的相对侧的其中一者，使得处理气体入口及/或处理气 体出口提供于一或数个分离气体入口开口及电极的表面间。此设备更包括一或数个真空法 兰，提供至少一其它气体出口于第一沉积源与至少一第二沉积源之间。根据该设备典型的 调整，可提供下列特性、细节、方面的至少一者：此一或数个真空法兰可提供于第一沉积源 的至少一分离气体入口的第一分离气体入口与第二沉积源的至少一分离气体入口的第二 分离气体入口之间；至少第一沉积源的分离气体入口包括此一或数个分离气体入口开口， 使得此一或数个分离气体入口开口环绕电极的表面或分布于电极的表面的附近；至少第一 沉积源可更包括：至少一第一分离墙，其中该至少一第一分离墙提供于电极的表面的相对 侦牝使得处理气体入口及处理气体出口提供于该至少一第一分离墙及电极的表面之间；特 别是其中该至少一第一分离墙环绕电极的表面；其中处理气体入口及处理气体出口提供于 第一分离墙的周边内；以及/或至少第一沉积源可更包括：至少一第二分离墙，其中该至少 一第二分离墙提供于电极的表面的相对侧，使得该至少一分离气体入口提供于该至少一第 二分离墙及该至少一第一分离墙之间，特别是其中该至少一第二分离墙环绕电极的表面， 其中该至少一分离气体入口提供于第二分离墙的周边内。根据可与此处所述其它实施例结 合的再其它实施例，基板支撑件的表面是涂布鼓轮的弯曲表面，且电极的表面为弯曲表面， 且特别是其中涂布鼓轮的弯曲表面以及至少第一沉积源的电极的弯曲表面具有一距离，且 其中此距离可藉由至少第一沉积源的定位来调整；至少第一沉积源可被包括于沉积站中， 且其中沉积站包括沉积源、对应的处理气体入口、对应的处理气体出口、以及该至少一分离 气体入口，沉积源、对应的处理气体入口、对应的处理气体出口、以及该至少一分离气体入 口形成一个单元，特别是其中该至少一分离墙形成气体分离单元，气体分离单元包括致动 器，致动器设置以调整气体分离单元的位置，特别是其中气体分离单元包括支撑元件，机械 式连接于气体分离单元及基板支撑件；及/或基板可为柔性的基板，且其中柔性的基板自 放卷滚轮经由涂布鼓轮及数个配置的滚轮导引至收卷滚轮，且其中数个滚轮的配置使得仅 柔性的基板的背侧被接触。
[0150] 根据再其它实施例，提供了以第一沉积源及至少一第二沉积源沉积至少两层于基 板上的再其它的方法。此方法包括沿着一表面于基板支撑件的上方导引基板（见例如图16 中的步骤1602)、提供分离气体于至少第一沉积源的相对侧的至少两个位置（见例如图16 中的步骤1606)、在该至少两个位置间提供处理气体且排出处理气体（见例如图16中的步 骤1604)、以及抽取在第一沉积源及该至少一第二沉积源间的至少一真空出口（见例如图 16中的步骤1608)。根据该方法的典型的应用，分离气体可为氢、氮或惰性气体；及/或在 至少一真空出口的压力可小于在第一沉积源及该至少一第二沉积源的任何区域内的压力。
[0151] 根据再其它实施例，提供了用于沉积薄膜于基板上的设备。此设备包括基板支撑 件、等离子体沉积源及致动器，基板支撑件具有外表面，用于导引基板通过真空处理区域， 等离子体沉积源用以于真空处理区域中沉积薄膜于基板上，其中等离子体沉积源包括电 极，致动器设置用以调整电极与外表面的距离。此设备可包括一或数个下述的方面、细节及 特性：基板支撑件可为涂布鼓轮及基板为柔性的基板；等离子体沉积源可包括支撑元件， 机械式连接于电极及涂布鼓轮的轴；支撑元件可为碟件或碟件的一部分，其中碟件或碟件 的该部分具有本质上相同于涂布鼓轮的直径或具有本质上相同于涂布鼓轮加真空处理区 域的宽度的直径，其中碟件或碟件的该部分由一材料所组成，此材料与具有不同的热膨胀 系数的涂布鼓轮的材料不同，其中碟件或碟件的该部分保持于一合适的温度水平，以调整 碟件或碟件的该部分的直径成为涂布鼓轮或支撑元件的直径；其中碟件或碟件的该部分具 有本质上相同于涂布鼓轮的直径或具有本质上相同于涂布鼓轮加狭缝的宽度的直径，其中 碟件或碟件的该部分由一材料所组成，此材料相同于涂布鼓轮的材料，且其中碟件保持于 相同的温度或者碟件或碟件的该部分保持于合适的一温度水平，以调整碟件或碟件的该部 分的直径成为涂布鼓轮的直径；此设备可更包括监控装置，用于监控真空处理区域的宽度； 特别是其中监控装置可包括光学或电力监控器，用以光学地或电力地监控真空处理区域的 宽度；举例来说，监控装置可为等离子体监控器，连接于等离子体沉积源，用以监控一或数 个等离子体条件。根据可与此处所述其它实施例结合的再其它实施例，此设备更可包括气 体分离单元，用以分离真空处理区域与其它第二真空处理区域，且适用于形成狭缝，基板可 经由此狭缝通过基板支撑件的外表面与气体分离单元间，其中气体分离单元适用于控制在 真空处理区域与其它真空处理区域之间的流体连通，其中流体连通藉由调整气体分离单元 的位置来控制；特别是其中至少一气体分离单元包括致动器，设置以调整狭缝的宽度及/ 或其中基板支撑件为涂布滚轮且其中该至少一气体分离单元包括支撑元件，机械式连接于 气体分离单元及涂布鼓轮的轴。
[0152] 综上所述，虽然本发明的实施例揭露如上，然而在不脱离本发明的基本范围内，当 可设计本发明的其他和进一步实施例，因此，本发明的保护范围当视后附的权利要求所界 定者为准。
【主权项】
1. 一种设备，用于沉积薄膜于基板上，包括： 基板支撑件，具有外表面，用于导引所述基板通过真空处理区域； 等离子体沉积源，用以沉积所述薄膜于所述真空处理区域中的所述基板上，其中所述 等离子体沉积源包括电极；以及 致动器，配置用以调整所述电极和所述外表面之间的距离。2. 如权利要求1所述的设备，其中所述基板支撑件为涂布鼓轮，所述基板为柔性的基 板。3. 如权利要求2所述的设备，其中所述等离子体沉积源包括支撑元件，所述支撑元件 机械式连接于所述电极及所述涂布鼓轮的轴。4. 如权利要求3所述的设备，其中所述支撑元件为碟件或碟件的一部分，其中所述碟 件或所述碟件的所述部分具有本质上相同于所述涂布鼓轮的直径或具有本质上相同于所 述涂布鼓轮加所述真空处理区域的宽度的直径，其中所述碟件或所述碟件的所述部分由一 材料所组成，所述材料与具有不同的热膨胀系数的所述涂布鼓轮的材料不同，其中所述碟 件或所述碟件的所述部分保持于合适的温度水平，以调整所述碟件或所述碟件的所述部分 的直径成为所述涂布鼓轮的直径。5. 如权利要求3所述的设备，其中所述支撑元件为碟件或碟件的一部分，其中所述碟 件或所述碟件的所述部分具有本质上相同于所述涂布鼓轮的直径或具有本质上相同于所 述涂布鼓轮加狭缝的宽度的直径，其中所述碟件或所述碟件的所述部分由一材料所组成， 所述材料相同于所述涂布鼓轮的材料，且其中所述碟件保持于相同的温度或者所述碟件或 所述碟件的所述部分保持于合适的温度水平，以调整所述碟件或所述碟件的所述部分的直 径成为所述涂布鼓轮的直径。6. 如权利要求1至5中任一项所述的设备，更包括： 监控装置，用于监控所述真空处理区域的宽度。7. 如权利要求6所述的设备，其中所述监控装置包括光学或电力监控器，用以光学地 或电力地监控所述真空处理区域的宽度。8. 如权利要求6至7中任一项所述的设备，其中所述监控装置为等离子体监控器，连接 于所述等离子体沉积源，用以监控一或多个等离子体条件。9. 如权利要求1至8中任一项所述的设备，更包括： 气体分离单元，用以分离所述真空处理区域与其它第二真空处理区域，且适用于形成 狭缝，所述基板可经由所述狭缝通过所述基板支撑件的所述外表面与所述气体分离单元 间， 其中所述气体分离单元适用于控制在所述真空处理区域与所述其它第二真空处理区 域之间的流体连通，其中所述流体连通藉由调整所述气体分离单元的位置来控制。10. 如权利要求9所述的设备，其中所述至少一个气体分离单元包括致动器，配置用以 调整所述狭缝的宽度。11. 如权利要求9至10中任一项所述的设备，其中所述基板支撑件为涂布鼓轮且其中 所述至少一个气体分离单元包括支撑元件，所述支撑元件机械式连接于所述气体分离单元 及所述涂布鼓轮的所述轴。12. -种于沉积设备中在基板上沉积薄膜的方法，包括： 于基板支撑件的上方导引基板；以及 调整等离子体沉积源的电极与所述基板支撑件的距离，特别地其中所述距离根据所述 基板支撑件的温度及/或位置来调整。13. 如权利要求12所述的方法，其中所述距离藉由致动器调整。14. 如权利要求12至13中任一项所述的方法，其中所述基板支撑件为涂布鼓轮，且其 中所述距离为径向距离，所述径向距离藉由用于所述等离子体沉积源的支承件的热膨胀而 变化。15. 如权利要求12至14中任一项所述的方法，更包括： 调整气体分离单元与所述基板支撑件的距离，所述气体分离单元设置用于气体分离， 特别地其中所述距离根据所述基板支撑件的温度及/或位置而调整。
【专利摘要】描述了一种用于沉积薄膜于基板上的设备。此设备包括基板支撑件、等离子体沉积源及致动器。基板支撑件具有外表面，用于导引基板通过真空处理区域。等离子体沉积源用以沉积薄膜于真空处理区域中的基板上，其中等离子体沉积源包括电极。致动器配置用以调整电极和外表面之间的距离。
【IPC分类】C23C14/56, H01J37/32
【公开号】CN104968830
【申请号】CN201480006817
【发明人】W·布施贝克, F·里斯, T·斯托利
【申请人】应用材料公司
【公开日】2015年10月7日
【申请日】2014年1月28日
【公告号】EP2762607A1, US20140212599, WO2014118177A1