层积体、层积体的制造方法、电极、el元件、面发光体以及太阳能电池的制作方法
【专利摘要】本层积体包含基材、所述基材之上的底涂层以及所述底涂层之上的无机膜。所述无机膜材料为导电性的金属氧化物以及导电性的金属氮化物中的至少一种材料。将用原子力显微镜拍摄的所述无机膜的表面的图像进行傅立叶变换得到的图像中，将从所述傅立叶变换得到的图像的中心朝向0点方向的方位角作为0°，从0°开始，每隔10°沿径向绘制亮度值图而得到36个亮度值的第一近似曲线，在所述36个亮度值的第一近似曲线中，18个以上的第一近似曲线中可以观察到最大值。
【专利说明】层积体、层积体的制造方法、电极、EL元件、面发光体以及 太阳能电池
【技术领域】
[0001] 本发明涉及层积体、层积体的制造方法、电极、EL元件、面发光体以及太阳能电池。 本申请基于2012年7月25日于日本申请的日本专利特愿2012-164352号主张优先权， 并在此处援引其内容。
【背景技术】
[0002] 作为面发光体，所知的有利用了有机EL(电致发光）元件和无机EL元件的面发光 体。作为有机EL元件，所知的有包含以下部件的有机EL元件：透明基材、设置于透明基材 表面的透明电极、与透明电极相离设置的由金属薄膜构成的背电极、设置于透明电极和背 电极之间的含有机化合物发光材料的发光层。
[0003] 这种有机EL元件中，通过来自透明电极的空穴与来自背电极的电子于发光层结 合，发光层会发光。发光层发出的光透过透明电极和透明基材，从出射面（透明基材的表 面）被取出。此外，发光层发出的光的一部分被背电极的金属薄膜反射后，透过发光层、透 明电极以及透明基材，从出射面被取出。
[0004] 这种有机EL元件中，存在发光层和透明电极的界面、透明电极和透明基材的界 面、透明基材和外部空气的界面。在界面处的临界角由形成界面的各种材料的折射率决定。 向界面入射临界角以上的光时，在界面发生全反射。例如，从发光层入射临界角以上的光在 发光层和透明电极的界面时，由于全反射，被封闭发光层的内部。同样的，临界角以上的角 度的光入射在透明电极和透明基材的界面以及透明基材和外部空气的界面（出射面）等 时，在界面发生全反射，光被封闭面发光体的内部。因此，存在无法将部分光取出至外部、光 的取出效率低的问题。
[0005] 作为这个问题的解决方法，在专利文献1中，提出了将基层和有机EL层褶曲的方 法。此外，在专利文献2中，提出了利用用具有凹凸结构的模具转印的凹凸结构的方法。 现有技术文献 专利文献
[0006] 专利文献1 :日本专利特开2009-21089号公报 专利文献2 :国际公开第2012-043828号公报
【发明内容】
本发明所要解决的技术问题
[0007] 然而，专利文献1提出的方法中，由于在有机EL元件整体上形成有凹凸结构，发光 稳定性存在问题。此外，由于该制造方法基材被限定为可收缩的拉伸膜，对有机EL元件整 体施加热和压力，气体阻隔性和尺寸稳定性差，不适合显示装置和照明等被要求具有长寿 命的用途。此外，专利文献2提出的方法中，含有从模具转印而形成凹凸结构的工序，生产 率难以谓之足够。
[0008] 本发明的目的在于提供一种层积体，以获得具有优良的光取出效率的面发光体和 优良的光封闭效率的太阳能电池。 另外，本发明的目的在于提供一种制造方法，可以高效地获得在凹凸结构的表面具有 无机膜的层积体。
[0009] (1)本发明一种实施方式涉及一种层积体，其包含基材、所述基材之上的底涂层以 及所述底涂层之上的无机膜；所述无机膜的材料为导电性的金属氧化物以及导电性的金属 氮化物中的至少一种材料，将用原子力显微镜拍摄的所述无机膜的表面的图像进行傅立叶 变换得到的图像中，将从所述图像的中心朝向0点方向的方位角作为0°，从0°开始，每隔 10°沿径向绘制亮度值图而得到36个亮度值的第一近似曲线，在所述36个亮度值的第一 近似曲线中，18个以上的第一近似曲线中可以观察到最大值。
[0010] (2) (1)的层积体中，在拟合所述36个亮度值的图得到的图的第二近似曲线中， 将频率0. 2ynT1与亮度值为最大值的频率之间、亮度值为最小值的频率设为频率A，亮度 值为最大值的一半的频率中最大的频率设为频率B，频率A的倒数与频率B的倒数的差为 0? 01um?10um〇
[0011] (3) (1)及（2)的层积体中，所述无机膜表面的凹凸结构的平均间距可以为 0. 05um~ 4um。
[0012] (4) (1)至（3)的层积体中，所述无机膜表面的凹凸结构的凸部的平均高度可以为 0? 01um?2um〇
[0013] (5) (1)至（4)的层积体中，所述无机膜的表面的表面粗糙度Ra、线粗糙度Ra'、线 粗糙度的最大值Ra'（max)以及线粗糙度的最小值Ra'（min)可以满足下述式（1)的权利要 求1记载的积层体。 0. 13 ^ (Ra' (max)-Ra' (min))/Ra^ 0. 82(1)
[0014] (6)⑴至（5)的层积体中，所述底涂层的弹性模量可以为ISOOMPa以下。
[0015] (7) (1)至（6)的层积体中，所述无机膜的材料可以为选自铟锡氧化物、铟锌氧化 物、氧化铟、氧化锌、氧化锡、氧化锫、氮化铟、氮化镓、氮化错、氮化锫以及氮化钛形成的组 中的至少一种材料。
[0016] (8)此外，本发明的其他实施方式涉及一种层积体的制造方法，在基材上涂布活化 能射线固化性组合物，所述活化能射线固化性组合物含有具有氨基甲酸酯基、苯基以及氧 化烯基中的至少一种官能团的单体；照射活化能射线，将所述活化能射线固化性组合物固 化形成底涂层；通过溅射法、蒸镀法以及CVD方法中的任一种方法，在所述底涂层之上层积 导电性的金属氧化物以及导电性的金属氮化物中的至少一种材料的无机膜，在表面形成凹 凸结构。
[0017] (9) (8)的层积体的制造方法中，所述无机膜的材料可以为选自铟锡氧化物、铟锌 氧化物、氧化铟、氧化锌、氧化锡、氧化锫、氮化铟、氮化镓、氮化错、氮化锫、氮化钛形成的组 中的至少一种材料。
[0018] (10) (8)和（9)的层积体的制造方法中，所述底涂层的层积方法可以为溅射法或 蒸镀法。
[0019] (11)本发明另一其他实施方法涉及一种电极，包含所述⑴至（7)的层积体中的 一种。该电极含基材、所述基材之上的底涂层、设置于所述底涂层之上的表面具有凹凸结构 的导电性的无机膜。 (12) 本发明另一其他实施方式涉及一种EL元件，包含所述（1)至（7)的层积体中的一 种。 (13) 本发明另一其他实施方式涉及一种包含所述EL元件的面发光体。该面发光体包 含基材、所述基材之上的底涂层、设置于所述底涂层之上的表面设有凹凸结构的第一电极、 与第一电极相离设置的第二电极、以及设置于第一电极和第二电极之间的发光层。 (14) 本发明另一其他实施方法涉及包含所述（1)至（7)的层积体中的一种的太阳能电 池。该太阳能电池包含基材、所述基材之上的底涂层、设置于所述底涂层之上的表面具有凹 凸结构的透明电极、光电转换层以及背电极。 发明的效果
[0020] 通过本发明一种实施方式中的层积体，可以得到光取出效率优良的面发光体以及 光封闭效率优良的太阳能电池。 此外，通过本发明的其他实施方式中的层积体的制造方法，可以高效地得到在凹凸结 构表面上具有无机膜的层积体，通过得到的层积体，可以得到光取出效率优良的面发光体 以及光封闭效率优良的太阳能电池。
[0021] 此外，通过本发明的另一实施方式的电极，可以得到光取出效率优良的面发光体 以及光封闭效率优良的太阳能电池。 此外，通过本发明的另一实施方式的EL元件，可以得到光取出效率优良的面发光体。 此外，本发明的另一实施方式的面发光体的光取出效率优良。 进一步地，本发明的另一实施方式的太阳能电池的光封闭效率优良。
【专利附图】
【附图说明】
[0022][图1]表不本发明的一例层积体的截面图。
[图2]表示本发明的一例面发光体的截面图。
[图3]表示本发明的一例面发光体的截面图。
[图4]表示本发明的一例太阳能电池的截面图。
[图5]表示本发明的一例太阳能电池的截面图。
[图6]实施例5得到的层积体的表面形状测定结果（50ymX50ym)。
[图7]实施例10得到的层积体的表面形状测定结果（50ymX50ym)。
[图8]实施例12得到的层积体的表面形状测定结果（50ymX50ym)。
[图9]实施例15得到的层积体的表面形状测定结果（50ymX50ym)。
[图10]本发明的层积体的表面形状测定结果（50iimX50iim)的一例。
[图11]将本发明的层积体的表面形状测定结果进行傅立叶变换得到的图像的一例。 [图12]从图11所示傅立叶变换得到的图像中得到的亮度值的图。
[图13]算出图12所示曲线的移动平均线，重新绘制的图。
[图14]从图13所示的图作出的第一 6次多项式近似曲线。
[图15]第二6次多项式近似曲线的一例。
[图16]实施例21得到的层积体的表面形状测定结果（50ymX50ym)。
[图17]比较例9得到的层积体的表面形状测定结果（50ymX50ym)。 符号说明 10,210,211，310,311 层积体 11基材 12底涂层 13无机膜 20面发光体 21发光层 22第二电极 23第一电极 30太阳能电池 31光电转换层 32背电极 33透明电极
【具体实施方式】
[0023] 以下，参照附图对本发明的实施方式进行说明，但本发明的实施并不限于这些附 图。 本说明书中，活化能射线是指可见光、UV(紫外线）、电子束、等离子体和热射线（红外 线等）等。 本说明书中，（聚）亚烷基二醇是指聚亚烷基二醇或亚烷基二醇。 此外，本说明书中，（甲基）丙烯酸酯是指丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯。
[0024](层积体 10) 本实施方式的层积体10包含基材11、底涂层12以及无机膜13,将其按该顺序进行层 积。 作为本发明的层积体10,例如，可以列举图1所示的层积体10等。
[0025](基材11) 作为基材11的形状，例如可以列举薄膜、薄片、板、箔等。 基材11的厚度可以根据用途适当选择，优选25ym?5000ym，进一步优选50ym? 2500iim，更进一步优选 100iim?1000iim。
[0026] 作为基材11的材料，例如可以列举玻璃、陶瓷等的无机材料；SUS(不锈钢）、铜、铝 等的金属；以及聚酯类树脂（聚对苯二甲酸乙二酯、聚对苯二甲酸丁二酯、聚萘二甲酸乙二 酯等）、丙烯酸类树脂（聚甲基丙烯酸甲酯等）、碳酸酯类树脂、氯乙烯类树脂、苯乙烯类树 月旨（聚苯乙烯、ABS树脂等）、纤维素类树脂（二乙酰纤维素、三乙酰纤维素）、烯烃类树脂、 酰亚胺类树脂、芳纶类树脂等的树脂。这些基材11的材料中，从尺寸稳定性和耐热性优良 的点来说，优选玻璃、金属材料、聚酯类树脂以及酰亚胺类树脂，进一步优选玻璃和金属。此 夕卜，使用树脂为基材11的材料时，从阻气性优良的点来说，优选在基材11的表面制氧化硅、 氮化硅等无机化合物的膜。 本实施方式的层积体10作为面发光体和太阳能电池使用时，从尺寸稳定性优良的点 来说，基材11的材料优选玻璃、聚酯类树脂以及酰亚胺类树脂，进一步优选玻璃。
[0027] (底涂层 12) 底涂层12的材料，从容易发生形成凹凸结构的皱折现象来说，优选弹性模量lOMPa以 上、1800MPa以下的材料，进一步优选弹性模量15MPa以上、1600MPa以下的材料，更进一步 优选弹性模量20MPa、1500MPa以下的材料。 此外，弹性模量通过使用显微硬度计，在力强度50mN/10秒、蠕变时间5秒的条件下，测 定5个位置的弹性模量得到的平均值。
[0028] 底涂层12向基材11的层积方法，从层积容易进行来说，优选涂布底涂层形成用的 活化能射线固化性组合物，通过活化能射线照射固化的层积方法。 作为活化能射线固化性组合物向基材11的涂布方法，可以列举公知的涂布方法，例 如，可以列举刷涂、喷涂、浸涂、旋涂和流涂等。这些涂布方法中，从涂布的操作性、活化能射 线固化性组合物的平滑性、均匀性优良来说，优选喷涂或旋涂。 活化能射线源使用高压水银灯时，紫外线的累积光量可以根据使用的活化能射线固 化性组合物进行适当选择，优选200mJ/cm2?6000mJ/cm2,进一步优选300mJ/cm2? 5000mJ/cm2。
[0029] 从活化能射线固化性组合物和无机膜13的粘合性优良、满足作为底涂层12的材 料的弹性模量、容易发生形成凹凸结构的皱折现象来说，优选含有具有氨基甲酸酯基、苯基 或氧化烯基中的至少一种官能团的单体（A)、(A)以外的单体（B)以及光聚合引发剂（C)的 组合物。
[0030] (单体⑷） 单体（A)具有氨基甲酸酯基、苯基和氧化烯基中的至少一种官能团。 作为单体（A)，例如，可以列举二异氰酸酯化合物（甲苯二异氰酸酯、异佛尔酮二异氰 酸酯、二甲苯二异氰酸酯、二环己基甲烷二异氰酸酯等）与含羟基的（甲基）丙烯酸（2-羟 乙基（甲基）丙烯酸酯、2-羟丙基（甲基）丙烯酸酯、4-羟丁基（甲基）丙烯酸酯等）反 应得到的化合物，醇类（烷二醇、聚醚二醇、聚酯二醇、螺环二醇等的一种或两种以上）的羟 基中加成异氰酸酯化合物、残留的异氰酸酯基与含羟基的（甲基）丙烯酸反应得到的化合 物等的含氨基甲酸酯基单体；苯基（甲基）丙烯酸酯、苄基（甲基）丙烯酸酯、苯乙烯、二 乙烯基苯、邻苯二甲酸二（甲基）丙烯酸酯、对苯二甲酸二（甲基）丙烯酸酯等的含苯基单 体；季戊四醇乙氧基改性的四（甲基）丙烯酸酯、三乙氧基化三羟甲基丙烷三（甲基）丙 烯酸酯、乙氧基化季戊四醇三（甲基）丙烯酸酯、环氧乙烷改性的三羟甲基丙烷（甲基）丙 烯酸酯、环氧丙烷改性的三羟甲基丙烷（甲基）丙烯酸酯、环氧乙烷改性的甘油三（甲基） 丙烯酸酯、环氧丙烷改性的甘油三（甲基）丙烯酸酯、四乙二醇二（甲基）丙烯酸酯、三丙 二醇二（甲基）丙烯酸酯、聚丁二醇二（甲基）丙烯酸酯、聚乙二醇二（甲基）丙烯酸酯、 聚丙二醇二（甲基）丙烯酸酯、聚乙氧基化环己烷二甲醇二（甲基）丙烯酸酯、聚丙氧基化 环己烷二甲醇二（甲基）丙烯酸酯、聚乙氧基化双酚A二（甲基）丙烯酸酯、聚丙氧基化双 酚A二（甲基）丙烯酸酯、聚乙氧基化氢化双酚A二（甲基）丙烯酸酯、聚丙氧基化氢化双 酚A二（甲基）丙烯酸酯、新戊二醇的己内酯加成物的二（甲基）丙烯酸酯、丁二醇的己内 酯加成物的二（甲基）丙烯酸酯、环氧乙烷改性磷酸（甲基）丙烯酸酯、羟基封端的聚乙二 醇单（甲基）丙烯酸酯、羟基封端的聚丙二醇单（甲基）丙烯酸酯、羟基封端的聚丁二醇单 (甲基）丙烯酸酯、烷基封端的聚乙二醇单（甲基）丙烯酸酯、烷基封端的聚丙二醇单（甲 基）丙烯酸酯、烷基封端的聚丁二醇单（甲基）丙烯酸酯等的具有氧化烯基团的单体；以 及苯氧基聚乙二醇（甲基）丙烯酸酯、苯氧基聚丙二醇（甲基）丙烯酸酯以及苯氧基聚丁 二醇（甲基）丙烯酸酯等的具有苯基以及氧化烯基团的单体等。这些单体（A)可以一种单 独使用，也可以两种以上并用。这些单体（A)中，从固化材料和基材的粘合性优良来说，优 选具有氨基甲酸酯基的单体、苄基（甲基）丙烯酸酯、季戊四醇乙氧基改性的四（甲基）丙 烯酸酯、三乙氧基化三羟甲基丙烷三（甲基）丙烯酸酯、乙氧基化季戊四醇三（甲基）丙烯 酸酯、环氧乙烷改性的三羟甲基丙烷（甲基）丙烯酸酯、环氧丙烷改性的三羟甲基丙烷（甲 基）丙烯酸酯、环氧乙烷改性的甘油三（甲基）丙烯酸酯、环氧丙烷改性的甘油三（甲基） 丙烯酸酯、四乙二醇二（甲基）丙烯酸酯、三丙二醇二（甲基）丙烯酸酯、聚丁二醇二（甲 基）丙烯酸酯、聚乙二醇二（甲基）丙烯酸酯、聚丙二醇二（甲基）丙烯酸酯、聚乙氧基化 双酚A(甲基）丙烯酸酯、聚丙氧基化双酚A二（甲基）丙烯酸酯、聚乙氧基化氢化双酚A 二（甲基）丙烯酸酯、聚丙氧基化氢化双酚A二（甲基）丙烯酸酯、丁二醇的己内酯加成物 的二（甲基）丙烯酸酯、羟基封端的聚乙二醇单（甲基）丙烯酸酯、羟基封端的聚丙二醇单 (甲基）丙烯酸酯、羟基封端的聚丁二醇单（甲基）丙烯酸酯、烷基封端的聚乙二醇单（甲 基）丙烯酸酯、烷基封端的聚丙二醇单（甲基）丙烯酸酯、烷基封端的聚丁二醇单（甲基） 丙烯酸酯、苯氧基聚乙二醇（甲基）丙烯酸酯、苯氧基聚丙二醇（甲基）丙烯酸酯以及苯氧 基聚丁二醇（甲基）丙烯酸酯，进一步优选具有氨基甲酸酯基的单体、苄基（甲基）丙烯酸 酯、季戊四醇乙氧基改性四（甲基）丙烯酸酯、三乙氧基化三羟甲基丙烷三（甲基）丙烯酸 酯、环氧乙烷改性的三羟甲基丙烷（甲基）丙烯酸酯、环氧丙烷改性的三羟甲基丙烷（甲 基）丙烯酸酯、环氧乙烷改性的甘油三（甲基）丙烯酸酯、环氧丙烷改性的甘油三（甲基） 丙烯酸酯、聚丁二醇二（甲基）丙烯酸酯、聚乙二醇二（甲基）丙烯酸酯、聚丙二醇二（甲 基）丙烯酸酯、聚乙氧基化双酚A二（甲基）丙烯酸酯、聚丙氧基化双酚A二（甲基）丙烯 酸酯、聚乙氧基化氢化双酚A二（甲基）丙烯酸酯、聚丙氧基化氢化双酚A二（甲基）丙烯 酸酯、苯氧基聚乙二醇（甲基）丙烯酸酯、苯氧基聚丙二醇（甲基）丙烯酸酯以及苯氧基聚 丁二醇（甲基）丙烯酸酯；更进一步优选具有氨基甲酸酯基的单体、季戊四醇乙氧基改性的 四（甲基）丙烯酸酯、环氧乙烷改性的三羟甲基丙烷（甲基）丙烯酸酯、环氧丙烷改性的三 羟甲基丙烷（甲基）丙烯酸酯、环氧乙烷改性的甘油三（甲基）丙烯酸酯、环氧丙烷改性的 甘油三（甲基）丙烯酸酯、聚丁二醇二（甲基）丙烯酸酯、聚乙二醇二（甲基）丙烯酸酯、 聚丙二醇二（甲基）丙烯酸酯、聚乙氧基化双酚A二（甲基）丙烯酸酯、聚丙氧基化双酚A 二（甲基）丙烯酸酯、以及聚乙氧基化氢化双酚A二（甲基）丙烯酸酯。
[0031](单体⑶） 作为单体⑶，例如，可以列举1，4-丁二醇二（甲基）丙烯酸酯、1，6-己二醇二（甲基） 丙烯酸酯、壬二醇二（甲基）丙烯酸酯、新戊二醇二（甲基）丙烯酸酯、甲基戊二醇二（甲 基）丙烯酸酯、二乙基戊二醇二（甲基）丙烯酸酯、羟基特戊酸三环癸烷二甲醇二（甲基） 丙烯酸酯、环己烷二甲醇二（甲基）丙烯酸酯、新戊二醇改性的三羟甲基丙烷二（甲基）丙 烯酸酯、羟基特戊酸新戊二醇的e-己内酯加成物的二（甲基）丙烯酸酯、羟基特戊酸新戊 二醇的丁内酯加成物的二（甲基）丙烯酸酯、环己烷二甲醇的己内酯加成物的二（甲 基）丙烯酸酯、二环戊烷二醇的己内酯加成物的二（甲基）丙烯酸酯等的二（甲基）丙烯 酸酯类；（甲基）丙烯酸甲酯、（甲基）丙烯酸乙酯、（甲基）丙烯酸正丙酯、（甲基）丙烯 酸异丙酯、（甲基）丙烯酸正丁酯、（甲基）丙烯酸异丁酯、（甲基）丙烯酸仲丁酯、（甲基） 丙烯酸叔丁酯、（甲基）丙烯酸正己酯、（甲基）丙烯酸环己酯、（甲基）丙烯酸正辛酯、（甲 基）丙烯酸-2-乙基己基酯、（甲基）丙烯酸十二烷基酯、（甲基）丙烯酸硬脂基酯、（甲 基）丙烯酸-2-羟乙基酯、（甲基）丙烯酸-2-羟丙基酯、（甲基）丙烯酸-4-羟丁基酯、 (甲基）丙烯酸异冰片酯、（甲基）丙烯酸降冰片酯、2_(甲基）丙烯酰氧基甲基-2-甲基双 环庚烷、（甲基）丙烯酸金刚烷酯、二环戊烯基（甲基）丙烯酸酯、二环戊基（甲基）丙烯 酸酯、四环十二烷基（甲基）丙烯酸酯、环己烷二甲醇单（甲基）丙烯酸酯等的单（甲基） 丙烯酸酯类；（甲基）丙烯酰胺、N，N-二甲基（甲基）丙烯酰胺、N-羟甲基（甲基）丙烯 酰胺、N-叔丁基（甲基）丙烯酰胺、羟乙基（甲基）丙烯酰胺、亚甲基双（甲基）丙烯酰胺 等的（甲基）丙烯酰胺类；以及乙烯、丙烯、丁烯等的烯烃类等。这些单体（B)可以单独使 用一种，也可以两种以上并用。这些单体（B)中，从满足作为底涂层12的材料的弹性模量， 形成的凹凸结构容易发生皱折现象来说，优选二（甲基）丙烯酸酯类、单（甲基）丙烯酸酯 类，进一步优选二（甲基）丙烯酸酯类。
[0032](光聚合引发剂（〇) 作为光聚合引发剂（C)，例如，可以列举苯偶姻、苯偶姻单甲醚、苯偶姻异丙醚、苯偶姻 异丁基醚、乙偶姻、苯偶酰、二苯甲酮、对甲氧基二苯甲酮，二乙氧基苯乙酮、苄基二甲基缩 酮、2, 2-二乙氧基苯乙酮、1-羟基环己基苯基酮、甲基苯基乙醛酸乙酯、苯基乙醛酸甲酯、 2-羟基-2-甲基-1-苯基丙烷-1-酮、2-乙基蒽醌等的羰基化合物；四甲基秋兰姆单硫化 物、四甲基秋兰姆二硫化物等的硫化合物；以及2, 4, 6-三甲基苯甲酰基二苯基氧化膦等的 酰基膦氧化物等。这些光聚合引发剂（C)可以一种单独使用，也可以两种以上并用。这些光 聚合引发剂（C)中，从与单体的相溶性良好来说，优选羰基化合物，进一步优选二苯甲酮、 1_轻基环己基苯基酮。
[0033]活化能射线固化性组合物的组成比，从其与无机膜13的粘合性优良、满足作为底 涂层12的材料的弹性模量、形成的凹凸结构容易发生皱折现象来说，活化能射线固化性组 合物总量中，优选单体（A)为10质量％?95质量％、单体（B)为1质量％?70质量％、光 聚合引发剂（C) 0. 1质量％?20质量％，进一步优选单体（A)为30质量％?90质量％、单 体⑶为5质量％?60质量％、光聚合引发剂（C)1质量％?10质量％。
[0034](其他成分） 在不损害活化能射线固化组合物性能的范围内，可以根据需要含光敏剂、有机溶剂、其 他各种添加剂（流平剂、消泡剂、防沉剂、润滑剂、研磨剂、防锈剂、抗静电剂、光稳定剂、紫 外线吸收剂、阻聚剂等）、聚合物（聚酯类树脂，丙烯酸类树脂等）等中的至少一种材料。
[0035] 作为光敏剂，例如，可以列举4-二甲基氨基苯甲酸甲酯、4-二甲基氨基苯甲酸乙 酯、4-二甲基氨基苯甲酸戊酯和4-二甲基氨基苯乙酮等。
[0036] 作为有机溶剂，例如，可以列举：丙酮、甲基乙基酮、环己酮、甲基异丁基等的酮类 化合物；乙酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸丁酯、乳酸乙酯、乙酸甲氧基乙酯等的酯类化合物；乙 醇、异丙醇、丁醇等的醇类化合物；二乙醚、乙二醇二甲醚、丙二醇单甲醚、二乙二醇单乙醚、 二乙二醇单丁醚、二丙二醇单甲醚、二恶烷等的醚类化合物；甲苯、二甲苯等的芳香族化合 物；以及戊烷、己烷、石油石脑油等脂肪族化合物等。活化能射线固化性组合物中含有机溶 剂时，活化能射线固化性组合物总量中，有机溶剂的含量优选10质量％?80质量％。
[0037] 活化能射线固化性组合物中含有机溶剂时，活化能射线固化性组合物固化前加热 涂膜，使有机溶剂挥发。加热温度可以根据有机溶剂的种类适当选择，从热历史的观点来 说，优选40°C?150°C，进一步优选60°C?130°C。加热时间可以根据有机溶剂的种类适当 选择，从热历史的观点来说，优选1分钟?30分钟，进一步优选3分钟?20分钟。作为加 热装置，可以使用公知的加热装置等。例如，可以列举热板、红外加热器和暖风等。
[0038] 从容易发生形成凹凸结构的皱折现象来说，底涂层12的厚度优选0.lym? 100Um，进一步优选0? 2um?80um，更进一步优选0? 5um?40um。 此外，底涂层12的厚度为层积无机膜13前的厚度，定义为单位面积ImmX1mm中的平 均厚度。
[0039](无机膜 13) 无机膜13的表面具有凹凸结构。从容易发生形成凹凸结构的皱折现象来说，无机膜13 的层积方法优选溅射法、蒸镀法、CVD法（化学气相沉积法）以及离子镀法，进一步优选溅 射法、蒸镀法、CVD法，更进一步优选溅射法。 此外，皱折现象是指向底涂层12上层积无机膜13时发生的、由于底涂层12与无机膜 13的热收缩率差和弹性模量差形成凹凸结构。 本实施方式中，通过上述的层积方法，在底涂层12上层积无机膜13,以自组织形式在 底涂层12和无机膜13上形成凹凸结构。
[0040] 溅射法是指在真空中导入非活性气体（氩气为主）的同时，在基板和靶之间施加 直流或交流电（高频），离子化的非活性气体轰击靶，积层溅射的靶物质的方法等的总称。 蒸镀法是指使蒸发容器内为真空状态加热金属等的物质，真空中成为气体的金属等物 质轰击并附着于基板，层积物质的方法等的总称。 CVD法是指在热的基板上，供给含有目标物质成分的原料气体，在基板表面或气相中， 通过化学反应层积物质的方法等的总称。 离子镀法是指金属等的物质通过加热蒸发，经由通过等离子体中使其带正电荷，在附 加负电荷的基板上，吸附蒸发后的金属等的物质，层积物质的方法等的总称。
[0041] 为了提高无机膜13和底涂层12之间的粘合性，在层积无机膜13前，可以对底涂 层12表面实施UV臭氧处理、等离子体处理、电晕处理等的至少一种处理。此外，为除去基 材11和底涂层12中含有的溶解气体、未反应单体等，在层积无机膜13前，可以对层积体实 施加热处理、真空处理或加热真空处理等。
[0042] 无机膜13的材料为导电性的金属氧化物和导电性的金属氮化物的至少一种材 料。 作为导电性的金属氧化物和导电性的金属氮化物的至少一种材料的无机膜13的材 料，例如，可以列举：IT0 (铟锡氧化物）、IZ0 (铟锌氧化物）、FT0 (氟掺杂锡氧化物）、GZ0 (镓 掺杂锌氧化物）、AZ0(错掺杂锌氧化物）、AT0(铺掺杂锡氧化物）、氧化铟、氧化锌、氧化锡、 氧化钛、氧化镁、氧化锆、二氧化硅等的金属氧化物；以及氮化铟、氮化镓、氮化铝、氮化锆、 氮化钛、氮化硅等的金属氮化物。这些无机膜13的材料可以一种单独使用，也可以两种以 上并用。这些无机膜13的材料中，从硬度和热稳定性优良来说，优选ITO、IZ0、氧化铟、氧 化锌、氧化锡、氧化锆、氮化铟、氮化镓、氮化铝、氮化锆、氮化钛，进一步优选ITO、IZ0、氧化 铟、氧化锌、氧化锡、氧化锫，更进一步优选ITO、IZ0、氧化铟、氧化锡。 本实施方式的层积体10用作面发光体和太阳能电池时，由于其表面具有导电性的无 机膜13,层积体10可以直接用作电极。
[0043] 形成无机膜13时，可以使用任何掩膜，得到仅在特定位置形成无机膜13的层积体 10。特别的，通过隔着电极图案掩膜而形成导电性的无机膜13,可以使表面具有导电性的无 机膜13的凹凸结构与面发光体和太阳能电池电极的形状匹配形成。
[0044] 从容易发生形成凹凸结构的皱折现象来说，无机膜13的厚度优选0.lnm? lOOOnm，进一步优选lnm?800nm，更进一步优选5nm?500nm。 此外，无机膜13的厚度，定义为单位面积ImmX1mm中的平均厚度。
[0045](层积体10的凹凸结构） 本实施方式的层积体10,如后述的详细说明，在以原子力显微镜拍摄的无机膜13的 表面的图像通过傅立叶变换得到的图像中，以从图像中心至〇点的方向的方位角为0°，从 〇°开始，每隔10°沿径向绘制亮度值图而得到36个亮度值的近似曲线，其中，18个以上的 近似曲线中可以观察到最大值。
[0046] 本说明书中原子力显微镜拍摄的条件为：以微悬臂DFM(DynamicForcemode)在 50ymX50ym的范围使用原子力显微镜拍摄，得到灰度图像。 得到的以原子力显微镜拍摄的图像中，白度越高表示凹凸结构的凸部的顶部越高，白 度越小表示凹凸结构的凹部的底部越深。
[0047] 本说明书中傅立叶变换的条件为将所述得到的灰度图像全体进行傅立叶变化得 到图像。 傅立叶变换得到的图像中，白色部分表示凹凸结构的图案等。 此外，图像的中心是指上述傅立叶变换得到的图像的中心，即上述傅立叶变换得到的 图像的对角线的交点。
[0048] 本说明书的近似曲线的绘制方法如下所示。首先，将原子力显微镜拍摄的图像 A(图10)通过傅立叶变换得到图像B。（图11)此处，以从图像B的中心至0点方向的方位 角为0°。从0°开始，每隔10°沿径向绘制亮度值图，得到36个亮度值的图。例如，图12 所示的亮度值的图为方位角90°的亮度值。分别算出得到的36个亮度值的图的移动平均 线，重新绘图。例如，图13为算出图12所示的亮度值的图的移动平均线、重新进行绘图的 图。对得到的移动平均化后的36个亮度值的图分别绘制6次多项式近似曲线。此为第一 6次多项式近似曲线。例如图14为对图13所示的曲线拟合绘制得到的第一 6次多项式近 似曲线。
[0049] 上述得到的36个亮度值的第一 6次多项式近似曲线中，本实施方式的层积体10 在频率0. 2ynT1?200ynT1下，18个以上的第一 6次多项式近似曲线中可以观察到最大值， 优选24个以上的第一 6次多项式近似曲线中可以观察到最大值，进一步优选30个以上的 第一 6次多项式近似曲线中可以观察到最大值。 第一 6次多项式近似曲线能够观察到的最大值越多，意味着具有各向同性，表示层积 体10表面的凹凸结构为沿不规则方向延伸的结构，取出或封闭光的角度、波长的不均匀性 小。 此外，第一 6次多项式近似曲线中，频率0. 2iinT1?200iinT1中的最大的亮度值的十分 之一以下的亮度值的峰识别为噪音，不作为最大值识别。
[0050] 将得到的36个亮度值的图进行拟合，算出移动平均线重新进行绘图，对得到的移 动平均化的曲线拟合绘制6次多项式近似曲线。此为第二6次多项式近似曲线。在第二6 次多项式近似曲线中，本实施例的层积体10在频率〇. 2iinT1?200iim下，频率0. 2iim 和亮度值为最大值的频率之间，亮度值最小值的频率设为频率A，亮度值为最大值的一半的 频率中最大的频率设为频率B，频率A的倒数和频率B的倒数的差优选为0. 01ym?10ym， 进一步优选为0? 05ym?8ym，更进一步优选为0? 10iim?7ym，特别优选0? 33ym? 5. 49ym〇 此外，与上述傅立叶变化得到的图像的中心对应的点的频率为0UnT1。且第二6次多 项式近似曲线中，频率〇. 2iinT1?200iinT1中的最大的亮度值的十分之一以下的亮度值的 峰识别为噪音，不作为最大值识别。
[0051] 第二6次多项式近似曲线如图15所示。 频率0. 21111^和亮度值为最大值的频率之间的亮度值为最小值的频率A，在图15中用A频率表示。 亮度值为最大值的一半的频率中的最大频率B，在图15中用B频率表示。 频率A的倒数和频率B的倒数的差越大，意味着频率分布越广，表示层积体10的表面 的凹凸结构的周期分布广，有效地让光衍射或散射。
[0052] 本实施方式的层积体10的无机膜13的表面凹凸结构的平均间距可以根据用途适 当选择，为容易形成凹凸结构，优选〇? 01ym?10lim，进一步优选0? 1lim?5lim，更进一 步优选〇? 3um?4um，特别优选1. 01um?3. 02um。 本实施方式的层积体10用作面发光体时，从光的衍射效率优良来说，凹凸结构的平均 间距优选〇? 01Um?10um，进一步优选0? 3um?5um。 本实施方式的层积体10用作太阳能电池时，为有效地让光衍射或散射、且使光的角度 和波长的不均勻性减少，凹凸结构的平均间距优选〇. 1ym?10lim，进一步优选0. 3lim? 5um〇 此外，本实施方式中凹凸结构的平均间距表示凹凸结构的凹或凸的平均周期，是指对 如前所述得到的36个亮度值的近似曲线进行平均化的曲线中频率0. 21111^?ZOOilnr1中 最大值的频率的倒数。
[0053] 本实施方式的层积体10的无机膜13的表面的凹凸结构的凸部的平均高度可以根 据用途适当选择，从容易形成凹凸结构来说，优选0. 01ym?2lim，进一步优选0. 02lim? 1. 5um，更进一步优选0? 03um?1. 2um，特别优选0? 05um?0? 95um。 本实施方式的层积体10作为面发光体使用时，从光取出效率优良来说，凹凸结构的凸 部的平均高度优选〇. 01ym?1. 5ym，进一步优选0. 05ym?1. 2ym。 本实施方式的层积体10用作太阳能电池时，从太阳能电池的光封闭效率优良、太阳能 电池的转换效率优良来说，凹凸结构的凸部的平均高度优选0. 03ym?2ym，进一步优选 0. 05um~ 1. 5um。 此外，凹凸结构的凸部的平均高度，可以通过在以原子力显微镜拍摄的图像中，绘 制截面图，算出与该绘制的截面图中相邻的凸部的顶点和凹部的底点的高度差。通过在 50ym?50ym的范围测量五个点，算出凹凸结构的凸部的平均高度。
[0054] 优选本实施方式的层积体10的无机膜13的表面粗糙度Ra、线粗糙度Ra'、线粗糙 度的最大值Ra'（max)以及线粗糙度的最小值Ra'（min)满足下述式（1)，进一步优选满足下 述式（2)。 另外，表面粗糙度Ra、线粗糙度Ra'以JISB0601-1994为基准测量。
[0055] 0? 13 彡（Ra，（max) -Ra'（min))/Ra彡 0? 82 (1)
[0056] 0? 20 < (Ra，（max) -Ra'（min))/Ra< 0? 80 (2)
[0057] 无机膜13满足上述式（1)时，凹凸结构既不是有序结构，也不是无规结构，为其中 间结构，即意味着凹凸结构为具有适当的有序性且具有适当的无序性的结构。无机膜（13) 满足上述式（1)时，光可以有效衍射或散射，光的角度和波长中不均匀性小。
[0058] 因此，本实施方式的层积体10,在上述得到的36个亮度值的第一 6次多项式近似 曲线中，在频率0. 2ynT1?200ynT1下，24个以上的第一 6次多项式近似曲线可以观察到 最大值，第二6次多项式近似曲线中，在频率0.ZiinT1?ZOOiinT1下，频率0.ZiinT1和亮度 值与最大值的频率之间的亮度值最小值的频率设为频率A，亮度值的最大值的一半的频率 中最大的频率设为频率B，频率A的倒数和频率B的倒数的差优选为0. 05ym?8ym。 此时，无机膜13表面的凹凸结构的平均间距可以为0.lum?5iim。 进一步，此时无机膜13表面的凹凸结构的凸部的平均高度可以为0. 05ym?1. 5ym。 进一步，此时底涂层的弹性模量可以为lOMPa以上、1800MPa以下。
[0059] 优选本实施方式的层积体10,在上述得到的36个亮度值的第一 6次多项式近似曲 线中，在频率0. 21111^?200iinT1下，24个以上的第一 6次多项式近似曲线中可以观察到 最大值，无机膜13表面的凹凸结构的平均间距0. 1iim?5ym。 此时，无机膜13表面的凹凸结构的凸部的平均高度可以为0.05iim?1.5iim。 进一步，此时底涂层的弹性模量可以为lOMPa以上、1800MPa以下。
[0060] 在上述得到的36个亮度值的第一 6次多项式近似曲线中，本实施方式的层积体10 在频率0. 2ynT1?200ynT1下，24个以上的第一 6次多项式近似曲线可以观察到最大值， 无机膜13表面的凹凸结构的凸部的平均高度可以为0. 05ym?1. 5ym。 此时，底涂层的弹性模量可以为lOMPa以上、1800MPa以下。
[0061] 在上述得到的36个亮度值的第一 6次多项式近似曲线中，本实施方式的层积体10 在频率0. 2ynT1?200ynT1下，30个以上的第一 6次多项式近似曲线可以观察到最大值， 第二6次多项式近似曲线中，在频率0. 2iinT1?200iim4下，频率0. 2iim4和亮度值为最大 值的频率之间的亮度值为最小值的频率为频率A，亮度值的最大值的一半的频率中最大的 频率为频率B，频率A的倒数和频率B的倒数的差优选为0. 05ym?8ym。 此时，无机膜13表面的凹凸结构的平均间距可以为0.lum?5iim。 进一步，此时无机膜13表面的凹凸结构的凸部的平均高度可以为0. 02ym?1. 5ym。 更进一步，此时底涂层的弹性模量可以为lOMPa以上、1800MPa以下。
[0062] 在上述得到的36个亮度值的第一 6次多项式近似曲线中，本实施方式的层积体10 在频率0. 2ynT1?200ynT1下，30个以上的第一 6次多项式近似曲线可以观察到最大值， 无机膜13表面的凹凸结构的平均间距优选为0. 1ym?5ym。 此时，无机膜13表面的凹凸结构的凸部的平均高度可以为0.02iim?1.5iim。 进一步，此时底涂层的弹性模量可以为lOMPa以上、1800MPa以下。
[0063] 在上述得到的36个亮度值的第一 6次多项式近似曲线中，本实施方式的层积体10 在频率0. 2ynT1?200ynT1下，30个以上的第一 6次多项式近似曲线可以观察到最大值， 无机膜13表面的凹凸结构的凸部的平均高度可以为0. 02ym?1. 5ym。 此时，底涂层的弹性模量可以为lOMPa以上、1800MPa以下。
[0064] 本实施方式的层积体10包含无机材料基材、设置于所述基材之上的氨基甲酸酯 丙烯酸酯混合物固化形成的底涂层、设置于所述底涂层上的其表面具有凹凸结构的无机 膜，所述无机膜的材料为导电性的金属氧化物和导电性的金属氮化物中的至少一种材料， 在用原子力显微镜拍摄的所述无机膜的表面的图像进行傅立叶变换得到的图像中，将从所 述图像的中心朝向〇点方向的方位角作为0°，从0°开始，每隔10°沿径向绘制亮度值图 而得到36个亮度值的第一近似曲线，其中，18个以上的第一近似曲线中可以观察到最大 值。
[0065] 本实施方式的层积体10包含玻璃基材、设置于所述基材之上的氨基甲酸酯丙烯 酸酯混合物固化形成的底涂层、设置于所述底涂层之上的其表面具有凹凸结构的无机膜， 所述无机膜的材料为导电性的金属氧化物和导电性的金属氮化物中的至少一种材料，在用 原子力显微镜拍摄的所述无机膜的表面的图像进行傅立叶变换得到的图像中，将从所述图 像的中心朝向0点方向的方位角作为0°，从0°开始，每隔10°沿径向绘制亮度值图而得 到36个亮度值的第一近似曲线，其中，18个以上的第一近似曲线中可以观察到最大值。 [0066] 本实施方式的层积体10包含树脂基材、设置于所述基材之上的氨基甲酸酯丙烯 酸酯混合物固化形成的底涂层、所述底涂层上设置的其表面具有凹凸结构的无机膜，所述 无机膜的材料为导电性的金属氧化物和导电性的金属氮化物中的至少一种材料，将用原子 力显微镜拍摄的所述无机膜的表面的图像进行傅立叶变换得到的图像中，将从所述图像的 中心朝向〇点方向的方位角作为0°，从0°开始，每隔10°沿径向绘制亮度值图而得到36 个亮度值的第一近似曲线，其中，18个以上的第一近似曲线中可以观察到最大值。
[0067] 本实施方式的层积体10包含聚酯类树脂基材、设置于所述基材之上的氨基甲酸 酯丙烯酸酯混合物固化形成的底涂层、设置于所述底涂层之上的其表面具有凹凸结构的 无机膜，所述无机膜的材料为导电性的金属氧化物和导电性的金属氮化物中的至少一种材 料，将用原子力显微镜拍摄的所述无机膜的表面的图像进行傅立叶变换得到的图像中，将 从所述图像的中心朝向〇点方向的方位角作为0°，从0°开始，每隔10°沿径向绘制亮度 值图而得到36个亮度值的第一近似曲线，其中，18个以上的第一近似曲线中可以观察到最 大值。
[0068] 本实施方式的层积体10包含无机材料基材、设置于所述基材之上的氨基甲酸酯 丙烯酸酯混合物固化形成的底涂层、设置于所述底涂层之上的其表面具有凹凸结构的无机 膜，所述无机膜的材料为导电性的金属氧化物和导电性的金属氮化物中的至少一种材料， 将用原子力显微镜拍摄的所述无机膜的表面的图像进行傅立叶变换得到的图像中，将从所 述图像的中心朝向〇点方向的方位角作为0°，从0°开始，每隔10°沿径向绘制亮度值图 而得到36个亮度值的第一近似曲线，其中，18个以上的第一近似曲线中可以观察到最大 值。
[0069] 本实施方式的层积体10包含玻璃基材、设置于所述基材之上的聚乙二醇二丙烯 酸酯固化形成的底涂层、设置于所述底涂层之上的其表面具有凹凸结构的无机膜，所述无 机膜的材料为导电性的金属氧化物和导电性的金属氮化物中的至少一种材料，将用原子力 显微镜拍摄的所述无机膜的表面的图像进行傅立叶变换得到的图像中，将从所述图像的中 心朝向0点方向的方位角作为0°，从0°开始，每隔10°沿径向绘制亮度值图而得到36个 亮度值的第一近似曲线，其中，18个以上的第一近似曲线中可以观察到最大值。
[0070] 本实施方式的层积体10包含树脂基材、设置于所述基材之上的聚乙二醇二丙烯 酸酯固化形成的底涂层、设置于所述底涂层之上的其表面具有凹凸结构的无机膜，所述无 机膜的材料为导电性的金属氧化物和导电性的金属氮化物中的至少一种材料，将用原子力 显微镜拍摄的所述无机膜的表面的图像进行傅立叶变换得到的图像中，将从所述图像的中 心朝向〇点方向的方位角作为0°，从0°开始，每隔10°沿径向绘制亮度值图而得到36个 亮度值的第一近似曲线，其中，18个以上的第一近似曲线中可以观察到最大值。
[0071] 本实施方式的层积体10包含聚酯类树脂基材、设置于所述基材之上的聚乙二醇 二丙烯酸酯固化形成的底涂层、设置于所述底涂层之上的其表面具有凹凸结构的无机膜， 所述无机膜的材料为导电性的金属氧化物和导电性的金属氮化物中的至少一种材料，将用 原子力显微镜拍摄的所述无机膜的表面的图像进行傅立叶变换得到的图像中，将从所述图 像的中心朝向0点方向的方位角作为0°，从0°开始，每隔10°沿径向绘制亮度值图而得 到36个亮度值的第一近似曲线，其中，18个以上的第一近似曲线中可以观察到最大值。
[0072](用途） 本实施方式的层积体10的表面具有导电性的无机膜13,表面有皱纹状的凹凸结构，可 以期待其用作多种用途。例如，通过将层积体10用作电极，可以将该电极用于面发光体和 太阳能电池。
[0073](电极） 本实施方式中的层积体10可以用作电极。本实施方式中的电极如图1所示，包含基材 11、底涂层12、导电性的无机膜13。
[0074]作为导电性的无机膜13,例如，可以列举导电性的金属氧化物、导电性的金属氮化 物以及能够形成具有光透过性的金属薄膜的金属等。 作为导电性的金属氧化物和导电性的金属氮化物，可以列举：IT0、IZ0、FT0、GZ0、AZ0、AT0、氧化铟、氧化锌、氧化锡、氧化钛、氧化镁、氧化锆、二氧化硅等的金属氧化物；以及氮化 铟、氮化镓、氮化铝、氮化锆、氮化钛、氮化硅等的金属氮化物等。这些导电性的金属氧化物、 导电性的金属氮化物可以一种单独使用，也可以两种以上并用。这些导电性的金属氧化物、 导电性的金属氮化物中，从导电性来说，优选ITO、IZ0、氧化铟、氧化锌、氧化锡、氧化锆、氮 化铟、氮化镓、氮化错、氮化锫以及氮化钛，进一步优选ITO、IZ0、氧化铟、氧化锌、氧化锡、氧 化锆，更进一步优选ITO、IZ0、氧化铟以及氧化锡。 作为能够形成具有光透过性的金属薄膜的金属，例如可以列举金、钼、银、铜和铝等。
[0075] 导电性的无机膜13可以是一层，也可以是两层以上。 从优良的导电性来说，导电性的无机膜13的厚度优选10nm以上，进一步优选50nm以 上。此外，从优良的光透过性来说，导电性的无机膜13的厚度优选lOOOnm以下，进一步优 选500nm以下。且导电性的无机膜的13的厚度通过阶差?表面粗糙度?微细形状测定装 置测定。 本实施方式的导电性的无机膜13的厚度定义为单位面积ImmX1mm中的平均厚度。
[0076] 本实施方式的电极可以用作EL元件的电极以及太阳能电池的电极等。
[0077] (面发光体） 作为本实施方式的面发光体，例如，可以列举包括设置于具有凹凸结构表面的基材上 的EL元件的面发光体等。EL元件至少包含第一电极、与第一电极相离设置的第二电极以及 设置于第一电极和第二电极之间的发光层。图2为显不本实施方式的一例面发光体的截面 图。面发光体20包含层积体210、发光层21以及第二电极22。层积体210包含基材11、底 涂层12以及第一电极23。作为层积体210,可以使用上述层积体10。即，作为层积体210， 可以使用兼具上述具有凹凸结构表面的基材11以及设置于上述凹凸结构表面的第一电极 23的层积体10。 此外，作为表面具有凹凸结构的基材11，可以使用上述层积体10。即，如图3所示，面 发光体20'可以包含层积体211、第一电极23、发光层21以及第二电极22而构成。层积体 211包含基材11、底涂层12以及无机膜13。
[0078] 包含本实施方式的层积体210的面发光体以及包含层积体211的面发光体20'，由 于凹凸结构周期具有较广分布且具有凹凸结构为沿不规则的方向而延伸的结构（即皱纹 状的凹凸结构），通过皱纹状的凹凸结构进行有效的折射和散射，光的角度、波长的不均匀 性低。因此，与现有的面发光体相比，光的取出效率高，可均匀照射大范围。
[0079] 可以使用EL元件直接用作面发光体。为进一步提高光取出效率，可以在EL元件 的光射出面侧的表面上设置光取出部件，作为面发光体使用。
[0080] 作为光取出部件，可以列举公知的光取出部件等，例如，可以列举棱镜片、柱面透 镜片、微透镜片等的具有凹凸结构的部件；以及涂有微粒的部件等。 具有凹凸结构的部件可以根据EL元件的取向分布、材料组成、凹凸结构的形状、凹凸 结构的大小、凹凸结构的配置以及凹凸结构的填充率等适当选择。此外，具有凹凸结构部件 的材料组成可以根据需要含光扩散粒子。 作为涂有微粒的部件的形成方法，例如，可以列举涂布分散在分散介质中的微粒再干 燥分散介质的方法，以及涂布含微粒的固化性组合物后通过紫外线和热等固化的方法等。
[0081] (EL元件） EL元件有底部发光型的EL元件以及顶部发光型的EL元件，本实施方式的层积体210 可以使用任意一型EL元件。 底部发光型指的是于支撑基板上、层积构成EL元件的材料制作元件，通过支撑基板取 出光的类型的EL元件，顶部发光型指的是于支撑基板上、层积构成EL元件的材料制作元 件，从与支撑基板相反一侧取出光的类型的EL元件。
[0082] (第一电极） 第一电极23可以是阳极，也可以是阴扱。通常，第一电极23为阳扱。
[0083] 作为第一电极23的材料，例如，可以列举导电性的金属氧化物、导电性的金属氮 化物、导电性的有机高分子以及可形成具有光透过性的金属薄膜的金属等。 作为导电性的金属氧化物和导电性的金属氮化物，例如，可以列举ITO、IZO、FTO、GZ0、AZO、AT0、氧化铟、氧化锌、氧化锡、氧化钛、氧化镁、氧化锫、二氧化娃等的金属氧化物；以及 氮化铟、氮化镓、氮化铝、氮化锆、氮化钛、氮化硅等的金属氮化物等。这些导电性的金属氧 化物、导电性金属氮化物可以一种单独使用，也可以两种以上并用。这些导电性的金属氧化 物、导电性金属氮化物中，从导电性优良来说，优选ITO、IZ0、氧化铟、氧化锌、氧化锡、氧化 锆、氮化铟、氮化镓、氮化铝、氮化锆以及氮化钛，进一步优选ITO、IZ0、氧化铟、氧化锌、氧化 锡、氧化锆，更进一步优选IT0、IZ0、氧化铟以及氧化锡。导电性的金属氧化物、导电性的金 属氮化物可以直接用作本实施方式的层积体的无机膜13。 作为导电性的有机高分子，例如，可以列举聚苯胺及其衍生物、聚噻吩、PED0T-PSS(聚 3,4-乙撑二氧噻吩-聚苯乙烯磺酸）及其衍生物等。 作为可以形成具有光透过性的金属薄膜的金属，例如可以列举金、钼、银、铜和铝等。
[0084] 第一电极23可以是一层，也可以是两层以上。 第一电极23,在表面具有凹凸结构。 从优良的导电性来说，第一电极23的厚度优选10nm以上，进一步优选50nm以上。此 夕卜，从优良的光透过性来说，第一电极的厚度优选l〇〇〇nm以下，进一步优选500nm以下。另 夕卜，第一电极的厚度可以通过阶差?表面粗糙度?微细形状测定装置测定。 本实施方式的第一电极23的厚度定义为单位面积ImmX1mm中的平均厚度。
[0085](第二电极） 第二电极22可以是阳极，也可以是阴扱。通常，第二电极22为阴极。
[0086] 作为第二电极22的材料，例如，可以列举锂、钠、钾、铷、铯、铍、镁、钙、锶、钡、铝、 钪、钒、锌、钇、铟、铈、钐、铕、铽、镱等的金属；这些金属中的两种以上组合的合金；这些金 属的氟化物等的金属盐类；以及这些中的一种以上与金、银、钼、铜、锰、钛、钴、镍、钨、锡中 的一种以上的合金等。作为合金，例如，可以列举镁_银合金、镁-铟合金、镁-铝合金、 铟-银合金、锂-铝合金、锂-镁合金、锂-铟合金、钙-铝合金等。
[0087]第二电极22可以是一层，也可以是两层以上。 从优良的导电性来说，第二电极22的厚度优选5nm以上，进一步优选10nm以上。此外， 从耐久性优良来说，第二电极22的厚度优选lOOOnrn以下，进一步优选300nm以下。另外， 第二电极22的厚度可以通过阶差?表面粗糙度?微细形状测定装置测定。 本实施方式的第二电极22的厚度定义为单位面积ImmX1mm中的平均厚度。
[0088]第一电极和第二电极22可以是一方具有透过性另外一方具有反射性，也可以两 者均具有透过性。
[0089](发光层） 面发光体为有机EL兀件时，发光层21含有机化合物的发光材料。面发光体为无机EL兀件时，发光层21含无机化合物的发光材料。 作为有机化合物的发光材料，例如，可以列举铱络化物（三（2-苯基吡啶））铱掺杂的 作为磷光性化合物的基质化合物的咔唑衍生物（4, 4'-N，N'_二咔唑-二苯基等）；8_羟基 喹啉或其衍生物的金属络化物（三（8-羟基喹啉）铝等）；以及其他公知的发光材料等。 发光层21除了发光材料以外，还可含有空穴输送性材料、电子输送性材料等。
[0090] 发光层21可以是一层，也可以是两层以上。例如，面发光体用作白色的有机EL照 明时，发光层21也可以是具有蓝发光层、绿发光层以及红发光层的层积结构。 发光层21的厚度，优选lnm?100nm，进一步优选10nm?50nm。另外，发光层21的厚 度可以通过阶差?表面粗糙度?微细形状测定装置测定。 本实施方式的发光层21的厚度定义为单位面积ImmX1mm中的平均厚度。
[0091] (EL元件的制造方法） 例如，EL元件通过下述工序1(工序（A)?（B))或下述工序2(工序（a)?（c))的方 法等制造。这些EL元件的制造方法中，从可以减少工序数而得到EL元件来说，优选工序1。
[0092](工序1) 为形成如图2所示的面发光体20中包含的EL元件的、由工序（A)?（B)构成的工序 1如下所示。 工序（A):在本实施方式的层积体210的第一电极23的表面，层积发光层21的材料， 形成发光层21的工序。 工序（B):工序（A)后，层积第二电极22的材料，形成第二电极22的工序。
[0093](工序2) 为形成如图3所示的面发光体20'中包含的EL元件的、由工序（a)?（c)构成的工序 2如下所示。 工序（a):在本实施方式的层积体210的无机膜13的表面，层积第一电极的材料，形成 第一电极23的工序。 工序（b):工序（a)后，层积发光层21的材料，形成发光层21的工序。 工序（c):工序（b)后，层积第二电极22的材料，形成第二电极22的工序。
[0094] 作为工序（a)等的层积方法，例如，可以列举溅射法、蒸镀法以及离子镀法等。这 些层积方法中，从容易形成第一电极来说，优选溅射法。为使凹凸结构和第一电极的粘合性 高，在工序（a)前，可以对层积体211的无机膜13的表面实施UV臭氧处理、等离子体处理 以及电晕处理等的至少一种处理。此外，为除去层积体10含有的溶解气体、未反应单体等， 在工序（a)前，也可以实施层积体10的加热处理、真空处理、加热真空处理等的至少一种处 理。
[0095] 作为工序（A)以及工序（b)的层积方法，例如，可以列举溅射法、蒸镀法以及离子 镀法等。这些层积方法中，在发光层21的材料为有机化合物时，为容易形成发光层21，优选 蒸镀法。
[0096] 作为工序⑶以及工序（c)的层积方法，例如，可以列举溅射法、蒸镀法以及离子 镀法等。这些层积方法中，在发光层21的材料为有机物时，为不损害发光层21地容易地形 成第二电极22,优选蒸镀法。
[0097] 在第一电极23和发光层21之间或第二电极22和发光层21之间设置其他功能层 时，在发光层21的形成前后，可以按照与发光层21同样的方法、条件形成其他功能层。 作为其他功能层，例如，可以列举空穴注入层、空穴输送层、空穴阻止层、电子输送层以 及电子注入层等。
[0098] 空穴注入层是含有空穴注入材料的层。 作为空穴注入材料，例如，可以列举氧化钥、氧化钒等的过渡金属类的氧化物；铜酞菁； 具有导电性的有机高分子；以及其他公知的有机的空穴注入材料等。 空穴注入层的厚度，为过渡金属系的氧化物时优选2nm?20nm，进一步优选3nm? 10nm。此外，其为有机的空穴注入材料时优选lnm?100nm，进一步优选10nm?50nm。 [0099](空穴输送层） 空穴输送层为含空穴输送性材料的层。 作为空穴输送层，例如，可以列举三苯基二胺类（4, 4-双（间甲苯基苯基氨基）联苯 等）；以及其他公知的空穴输送性材料等。 空穴输送层的厚度优选lnm?lOOnm，进一步优选10nm?50nm。
[0100](空穴阻止层） 空穴阻止层为含空穴阻止材料的层。 作为空穴阻止材料，例如，可以列举2, 9-二甲基-4, 7-二苯基-1，10-菲咯啉等；以及 其他的公知的空穴阻止材料等。 空穴注入层的厚度优选lnm?100nm，进一步优选5nm?50nm。
[0101](电子输送层） 电子输送层为含电子输送材料的层。 作为电子输送层，可以列举8-羟基喹啉或其衍生物的金属络化物、恶二唑衍生物；以 及其他公知的电子输送性材料。 电子输送层的厚度优选lnm?lOOnm，进一步优选10nm?50nm。
[0102] (电子注入层） 电子注入层为含电子注入材料的层。 作为电子注入材料，例如，可以列举碱金属化合物（氟化锂等）；碱土类金属化合物 (氟化镁等）；金属（锶等）；以及其他公知的电子注入材料。 电子注入层的厚度优选〇?lnm?50nm，进一步优选0? 2nm?10nm。 此外，其他功能层的厚度可以通过阶差?表面粗糙度?微细形状测定装置测定。
[0103](太阳能电池） 作为太阳能电池，例如，可以列举包含表面具有凹凸结构的基材、设置于凹凸结构表面 的透明电极、光电变换层以及背电极的太阳能电池等。图4为显示本实施方式的一例太阳 能电池的截面图。太阳能电池30包含层积体310、光电变换器31以及背电极32。层积体 310包含基材11、底涂层12以及透明电极33。即，作为层积体310,可以使用兼有所述表面 具有凹凸结构的基材11和所述设置于凹凸结构的表面的透明电极33的两者的层积体10。 此外，作为表面具有凹凸结构的基材11，可以使用上述层积体10。即，如图5所示，太 阳能电池30'可以包含层积体311、透明电极33、光电变换层31以及背电极32而构成。层 积体311包含基材11、底涂层12和无机膜13。
[0104] 包含本实施方式的层积体310的太阳能电池30以及包含层积体311的太阳能电 池30'，由于凹凸结构的周期具有较广的分布、且凹凸结构具有沿不规则方向而延伸的结构 (即，皱纹状的凹凸结构），通过皱纹状的凹凸进行有效的衍射或散射。因此，不仅较大范围 的波长的光被封闭，通过衍射或散射，对于太阳能电池，光变为从斜向入射，太阳能电池的 光路长度变长。其结果是，太阳能电池的光封闭效率提高，太阳能电池的转换效率提升。
[0105] 作为基材11的材料，只要是可以透过光的材料就可以，例如，可以列举玻璃、聚酯 类树脂、丙烯酸类树脂、碳酸酯类树脂、苯乙烯类树脂、纤维素类树脂以及烯烃类树脂等。基 材可以使用单独一种材料，也可以层积两种以上。作为基材，可以直接使用本实施方式的层 积体10的基材11。
[0106] 作为透明基材33的材料，例如，可以列举11'0、120、？1'0、620、420、41'0、氧化铟、氧 化锌、氧化锡、氧化钛、氧化镁、氧化锆、二氧化硅等的金属氧化物；以及氮化铟、氮化镓、氮 化铝、氮化锆、氮化钛、氮化硅等的金属氮化物等。这些导电性的金属氧化物、导电性的金属 氮化物可以一种单独使用，也可以两种以上并用。这些导电性的金属氧化物、导电性的金 属氮化物中，从导电性优良来说，优选ITO、IZO、氧化铟、氧化锌、氧化锡、氧化锆、氮化铟、氮 化镓、氮化铝、氮化锆、氮化钛，进一步优选ITO、IZO、氧化铟、氧化锡、氮化铟，更进一步优选 IT0、IZ0、氧化铟、氧化锡。作为透明电极33,可以直接使用本实施方式的层积体10的无机 膜13。
[0107] 光电变换层31为薄膜半导体组成的层。作为薄膜半导体，例如，可以列举非晶硅 类半导体、微晶硅类半导体、化合物半导体（黄铜矿类半导体、CdTe类半导体等）、以及有机 类半导体等。
[0108] 作为背电极32的材料，例如，可以列举金、钼、银、铜、铝等的金属薄膜；以及IT0、 IZ0、氧化铟、氧化锌、氧化锡等的导电性的金属氧化物等。
[0109] 作为透明电极33、光电交换层31、背电极32的层积方法，例如，可以列举溅射法、 蒸镀法以及离子镀法等。为提高各层的粘合性，可以在层积前实施UV臭氧处理、等离子体 处理、电晕处理等的至少一种处理。此外，为除去含有的溶解气体、未反应单体等，在层积 前，可以对凹凸基板实施加热处理、真空处理或加热真空处理等的至少一种处理。 此外，透明电极33、光电交换层31、背电极32的厚度可以通过阶差?表面粗糙度?微 细形状测定装置测定。
[0110] 根据需要，可以在太阳能电池30与30'的光入射面侧的表面设置保护用树脂层， 也可进一步于树脂层的表面设置背膜（A7一卜）。
[0111] 以下，通过实施例对本发明的实施方式进行具体说明，但本发明并不限于这些实 施例。 此外，实施例中的"份"以及" ％ "表示"质量份"以及"质量％ "。
[0112] (弹性模量测定） 在用准分子激光洗净（172nm紫外灯、（株）=^ 7制造）的玻璃基材 (商品名一夕''>XG"。一二 >夕''社制造、长度5cm、宽度5cm、厚度0.7mm)上，滴入底涂 层用的活化能射线固化性组合物（厚度200ym)。在热板上，60°C下加热10分钟后，照射紫 外线（累积光量l〇〇〇mJ/Cm2,固化活化能射线固化性组合物。 活化能射线固化性组合物固化后的玻璃基材使用微小硬度试验机（型号*夂 一义^ 一 7。HM2000，，、7v\ -社制造），在力强度50mN/10秒、蠕变时间5秒的条件 下，测定5个位置的弹性模量，其平均值作为底涂层材料的弹性模量。
[0113](表面形状测定） 实施例1?22记载的层积体的表面形状按照以下的方法测定。对各个层积体，使用 原子力显微镜（型号"VN_8〇10，，、（株）#一工制造、力bw'-DFM/SS mode)，在 50iimX50iim的范围中测定5点。 以50iimX50iim的范围中测定的5点的总范围作为分析范围，根据JISB0601-1994 的表面粗糙度测量，计算5点的平均的算术平均表面粗糙度Ra、最大高度Ry、十点平均高度 Rz、根均方表面粗糙度RMS。 对50iimX50iim的范围中测定的5点，根据JISB0601-1994的线粗糙度测量，划出 45ym宽的测定线，以该45ym宽的测定线为基轴，其中心为旋转中心，以15°为单位旋转， 对各旋转角度，与基轴的测定线相同地划出45pm宽的测定线，测量共12条测定线。计算 该共计12条的测定线中的凹凸平均间隔的5点的平均值Sm。 表面形状测定使用实施例1?22中得到的层积体进行。比较例1?9得到的层积体 由于其层积体的表面平坦，难以进行表面形状测定。
[0114](电阻测量） 实施例1?22以及比较例1?9记载的层积体的无机膜的导电性使用电阻率仪（型 号"口b7夕GP"、三菱化学7U々社制造）和4点探针，根据JISK7194测定。 此外，将十次测定的平均值作为电阻值。
[0115](表面形状分析） 实施例1?22记载的层积体的表面形状的分析按照以下进行。各个层积体使用原 子力显微镜（（型号"VN_8〇10，，、（株）# 一工> 7制造、力> ^bw'-DFM/SSMode)，在 50iimX50iim的范围中拍摄5点，得到灰度图像。得到的灰度图像的图像整体进行傅立叶 变换，得到图像。从得到的图像中心每隔10°进行沿径向绘制亮度值图，得到36个亮度值 的图，作成第一 6次近似曲线。得到的36个亮度值的第一 6次近似曲线中，频率0. 2iinT1? 2001111^中，确认对多少个亮度值的第一 6次近似曲线可以观察到最大值。 此外，在将36个亮度值的第一 6次近似曲线的进行平均的曲线中，频率0. 21111^? 2001111^中的中心和亮度值的最大值之间的亮度值的最小值的频率设为频率A，亮度值为 最大值的一半的频率中的最大频率设为频率B，算出频率A的倒数和频率B的倒数的差。 另外，凹凸结构的平均间距设为在将36个亮度值的第一 6次近似曲线进行平均的第二 6次近似曲线中、频率0. 2iinT1?200iinT1中的最大值的频率的倒数。 进一步，凹凸结构的凸部的平均高度为从以原子力显微镜拍摄的图像绘制截面图、测 定五处该绘制的截面图中的相邻凸部的顶点和凹部的底点的高度差的平均值。
[0116](光取出效率） 实施例23、比较例10、比较例11得到的面发光体（有机EL发光装置）的光取出效 率按照以下方法得到。在面发光体上，配置空有直径l〇mm的孔的厚度0? 1mm的遮光板， 将其配置在积分球（9 7 1 7社制造、大小6英寸）的样品的开口部。在这个状态 下，当在有机EL发光装置（面发光体）中通入10mA的电流点灯时，用分光光度计（分 光器：型号"PMA-12"（滨松*卜二夕义株式会社制造、Software:Soft名"PMA用基本 S〇ftWareU6039-01ver. 3. 3. 1"）测量从遮光板的直径10mm的孔射出的光，使用标准的光度 曲线进行校正，计算出面发光体的光子数。 将比较例10得到的面发光体的光子数设为100%时，得到的面发光体的光子数的百分 比为光取出效率。
[0117][实施例1] 在用准分子激光洗净（172nm紫外灯、（株）=^ 7制造）的玻璃基材 (商品名" ^ 一夕'' >XG"。一二 > 夕''株式会社制造、长度5cm、宽度5cm、厚度0? 7mm)上旋涂 (转数500rpm、厚度3ym)作为形成底涂层用的活化能射线固化型组合物氨基甲酸酯丙烯 酸酯混合物（商品名"夕'' 4 ^匕一^UM-8002"、三菱> 4 3 >株式会社制造）。将旋涂有氨 基甲酸酯丙烯酸酯混合物的玻璃基材在热板上60°C下加热10分钟后，照射紫外线（累积光 量lOOOmJ/cm2)、固化活化能射线固化性组合物。这样，在玻璃基板上层积底涂层。 接着，在底涂层上，使用RF溅射装置（型号"SVC-700RF"、^ >二一电子株式会社制 造），层积20nmITO,得到层积体。 得到的层积体的表面形状等如表1所示。
[0118][实施例2?6] 除IT0的层积体的厚度为表1所示以外，进行实施例1同样的操作，得到层积体。IT0 的厚度为40nm的层积体作为实施例2。IT0的厚度为60nm的层积体作为实施例3。IT0的 厚度为80nm的层积体作为实施例5。IT0的厚度为100nm的层积体作为实施例6。 得到的层积体的表面形状等如表1所示。此外，实施例5得到的层积体的以原子力显 微镜拍摄得到的图像（50ymX50iim)如图6所示。
[0119][比较例1] 除在准分子激光洗净的玻璃基材上，不层积底涂层、层积ITO100nm以外，按照实施例 1进行同样的操作，不能得到表面具有凹凸结构的层积体。 得到的层积体的电阻值如表1所示。
[0120] [实施例7] 除在聚对苯二甲酸乙二酯树脂基板（商品名" =7i4 >A4100，，、东洋纺织株式 会社制造、厚度188ym)上，层积lOOnmIT0以外，进行与实施例1同样的操作，得到层积体。 得到的层积体的表面形状等如表1所示。
[0121] [实施例8?9] 除无机膜的材料为IZ0、无机膜的层积量为表1所示厚度以外，进行与实施例1同样的 操作，得到层积体。IZ0的厚度为50nm的层积体作为实施例8。IZ0的厚度为lOOnm的层积 体作为实施例9。 得到的层积体的表面形状等如表1所示。
[0122] [实施例10?11] 除作为形成底涂层用的活化能射线固化型组合物将氨基甲酸酯丙烯酸酯混合物（商 品名"夕M\匕'一AUM-8003-1，，、三菱b4 3 >株式会社制造）层积为厚度8iim、无机膜的 材料为IZ0、无机膜的层积量为表1所示的厚度以外，进行与实施例1同样的操作，得到层积 体。IZ0的厚度为50nm的层积体作为实施例10。IZ0的厚度为lOOnm的层积体作为实施例 11。 得到的层积体的表面形状等如表1所示。此外，实施例10得到的层积体的以原子力显 微镜拍摄得到的图像（50ymX50iim)如图7所示。
[0123][比较例2] 除在准分子激光洗净的玻璃基材上，不层积底涂层、层积IZOlOOnm以外。进行与实施 例8同样的操作，不能得到表面具有凹凸结构的层积体。 得到的层积体的电阻值如表1所示。
[0124][实施例12?13] 除无机膜的材料为Zr02 (氧化锆、寸>a-电子株式会社制造）、无机膜的层积量如表 1所示厚度以外，进行实施例1同样的操作，得到层积体。21〇2的厚度为5nm的层积体作为 实施例12。Zr02W厚度为36nm的层积体作为实施例13。 得到的层积体的表面形状等如表1所示。此外，实施例12得到的层积体的以原子力显 微镜拍摄得到的图像（50ymX50iim)如图8所示。
[0125][比较例3] 除在准分子激光洗净的玻璃基材上，不层积底涂层，层积Zr025nm以外。进行与实施例 12同样的操作，不能得到表面具有凹凸结构的层积体。 得到的层积体的电阻值如表1所示。
[0126][实施例 14] 除无机膜的材料为Si02 (二氧化硅、寸>a-电子株式会社制造）、无机膜的层积量如 表1所示厚度以外，进行与实施例1同样的操作，得到凹凸基板。 得到的层积体的表面形状等如表1所示。
[0127][比较例4] 除在准分子激光洗净的玻璃基材上，不层积底涂层，层积Si0210nm以外。进行与实施 例14同样的操作，不能得到表面具有凹凸结构的层积体。 得到的层积体的电阻值如表1所示。
[0128][实施例 15] 在实施例12得到的层积体的无机膜上，使用RF溅射装置，进一步层积ITOlOOnm，得到 层积有两层无机膜的层积体。 得到的层积体的表面形状如表2所示。此外，得到的层积体的以原子力显微镜拍摄得 到的图像（50ymX50iim)如图9所示。
[0129][实施例 16] 在实施例12得到的层积体的无机膜上，使用RF溅射装置，进一步层积ITO200nm，得到 层积有两层无机膜的层积体。 得到的层积体的表面形状等如表2所示。
[0130][比较例5] 在比较例3得到的基板的无机膜上，使用RF溅射装置，进一步层积ITO100nm，得到层 积有两层无机膜的层积体。 得到的层积体的电阻值如表2所示。
[0131][比较例6] 在比较例3得到的基板的无机膜上，使用RF溅射装置，进一步层积ITO200nm，得到层 积有两层无机膜的层积体。 得到的基板的电阻值如表2所示。
[0132][实施例 17] 在实施例14得到的层积体的无机膜上，使用RF溅射装置，进一步层积ITO100nm，得到 层积有两层无机膜的层积体。 得到的层积体的表面形状等如表2所示。
[0133][实施例 18] 在实施例14得到的层积体的无机膜上，使用RF溅射装置，进一步层积IZ0 100nm，得到 层积有两层无机膜的层积体。 得到的层积体的表面形状等如表2所示。
[0134][比较例7] 在比较例4得到的基板的无机膜上，使用RF溅射装置，进一步层积ITO100nm，得到层 积有两层无机膜的基板。 得到的基板的电阻值如表2所示。
[0135][比较例8] 在比较例4得到的基板的无机膜上，使用RF溅射装置，进一步层积IZO100nm，得到层 积有两层无机膜的基板。 得到的基板的电阻值如表2所示。
[0136][实施例 19] 除作为底涂层用的活化能射线固化性组合物将聚乙二醇二丙烯酸酯（商品名 "A-200"、新中村化学工业株式会社制造）层积为厚度2ym外，进行与实施例2同样的操 作，得到层积体。 得到的层积体的表面形状等如表2所示。
[0137][实施例 20] 除作为底涂层用的活化能射线固化性组合物将聚乙二醇二丙烯酸酯（商品名 "A-400"、新中村化学工业株式会社制造）层积为厚度2ym的外，进行与实施例2同样的操 作，得到层积体。 得到的层积体的表面形状等如表2所示。
[0138][实施例 21] 除作为底涂层用的活化能射线固化性组合物将聚乙二醇二丙烯酸酯（商品名 "A-1000"、新中村化学工业株式会社制造）层积为厚度2ym外，进行实施例2同样的操作， 得到层积体。 得到的层积体的表面形状等如表2所示。此外，得到的层积体的以原子力显微镜拍摄 得到的图像（50ymX50iim)如图16所示。
[0139][实施例 22] 除作为底涂层用的活化能射线固化性组合物聚丁二醇二丙烯酸酯（商品名 "PB0M2000"、三菱b4 3 >株式会社制造）层积为厚度2iim的外，进行实施例2同样的操 作，得到层积体。 得到的层积体的表面形状等如表2所示。此外，得到的层积体的以原子力显微镜拍摄 得到的图像（SOymXSOym)如图10所示。将该以原子力显微镜拍摄得到的图像通过傅立 叶变换得到的图像如图11所示。
[0140][比较例9] 在20cmX20cm的镜面不锈钢板上，使用喷砂装置（型号名"PAM107"、（株）二7 一制造），在压力0. 3MPa、速度20mm/秒、间距2. 5mm、供给量30%的条件下，通过氧化错颗 粒（商品名"A400S"）在不锈钢板上进行加工，得到模具。 在得到的模具上滴加作为底涂层形成用的活化能射线固化型组合物的聚乙二醇二丙 烯酸酯（商品名"A-200"、新中村化学工业株式会社制造），其上覆盖通过准分子激光洗净 (172nmUV灯、（株）工么? 工今；7制造）的玻璃基材（商品名一夕'' >XG"、。一 二^夕''株式会社制造、长度5cm、宽度5cm、厚度0. 7mm)、用手滚筒推开。透过玻璃照射紫外 线（累积光量lOOOmJ/cm2)，固化活化能射线固化性组合物，从模具剥离在基材上层积底涂 层。 然后，在底涂层上，使用RF溅射装置（型号名"SVC-700RF"、^f>二一电子株式会社制 造），层积ITOlOOnm，得到层积体。 得到层积体的表面形状等如表2所示。此外，得到的层积体的以原子力显微镜拍摄得 到的图像（50ymX50iim)如图17所示。
[0141][表 1]
[0142][表 2]
【权利要求】
1. 一种层积体，其包含基材、所述基材之上的底涂层以及所述底涂层之上的无机膜，其 特征在于， 所述无机膜的材料为导电性的金属氧化物以及导电性的金属氮化物中的至少一种材 料， 将用原子力显微镜拍摄的所述无机膜的表面的图像进行傅立叶变换得到的图像中， 将从所述傅立叶变换得到的图像的中心朝向0点方向的方位角作为0°，从0°开始，每隔 10°沿径向绘制亮度值图而得到36个亮度值的第一近似曲线，在所述36个亮度值的第一 近似曲线中，18个以上的第一近似曲线中可以观察到最大值。
2. 根据权利要求1所述的层积体，其特征在于，在拟合所述36个亮度值的图得到的图 的第二近似曲线中，将频率O^iinT1与亮度值为最大值的频率之间、亮度值为最小值的频 率设为频率A，亮度值为最大值的一半的频率中最大的频率设为频率B，频率A的倒数与频 率B的倒数的差为0. 01 u m?10 u m。
3. 根据权利要求1所述的层积体，其特征在于，所述无机膜表面的凹凸结构的平均间 距为 〇? 05 u m ?4 u m。
4. 根据权利要求1所述的层积体，其特征在于，所述无机膜表面的凹凸结构的凸部的 平均高度为〇. 01 y m?2 u m。
5. 根据权利要求1所述的层积体，其特征在于，所述无机膜表面的表面粗糙度Ra、线粗 糙度Ra'、线粗糙度的最大值Ra'（max)以及线粗糙度的最小值Ra'（min)满足下述式（1); [式1] 0. 13 ^ (Ra' (max)-Ra' (min))/Ra ^ 0. 82 (1)
6. 根据权利要求1所述的层积体，其特征在于，所述底涂层的弹性模量为ISOOMPa以 下。
7. 根据权利要求1所述的层积体，其特征在于，所述无机膜的材料为选自铟锡氧化物、 铟锌氧化物、氧化铟、氧化锌、氧化锡、氧化锫、氮化铟、氮化镓、氮化错、氮化锫以及氮化钛 形成的组中的至少一种材料。
8. -种层积体的制造方法，其特征在于，在基材上涂布活化能射线固化性组合物，所述 活化能射线固化性组合物含有具有氨基甲酸酯基、苯基以及氧化烯基中的至少一种官能团 的单体， 照射活化能射线，将所述活化能射线固化性组合物固化形成底涂层， 通过溅射法、蒸镀法以及CVD方法中的任一种方法，在所述底涂层之上层积导电性的 金属氧化物以及导电性的金属氮化物中的至少一种材料的无机膜，在表面形成凹凸结构。
9. 根据权利要求8所述的层积体的制造方法，其特征在于，所述无机膜的材料为选自 铟锡氧化物、铟锌氧化物、氧化铟、氧化锌、氧化锡、氧化锫、氮化铟、氮化镓、氮化错、氮化 锆、氮化钛形成的组中的至少一种材料。
10. 根据权利要求8所述的层积体的制造方法，其特征在于，所述底涂层的层积方法为 溅射法或蒸镀法。
11. 一种电极，其特征在于，包含权利要求1所述层积体。
12. -种EL元件，其特征在于，包含权利要求1所述层积体。
13. -种面发光体，其特征在于，包含权利要求12所述EL元件。
14. 一种太阳能电池，其特征在于，包含权利要求1所述层积体。
【文档编号】H05B33/14GK104508849SQ201380039381
【公开日】2015年4月8日 申请日期:2013年7月22日 优先权日:2012年7月25日
【发明者】椋木一词, 佐伯裕美子, 服部俊明, 小并谕吉, 古川浩二 申请人:三菱丽阳株式会社