有机发光器件及其制造方法

有机发光器件及其制造方法
【专利摘要】本申请提供：一种包括呈依次堆叠形式的第一电极、有机材料层和第二电极的有机发光器件；及其制造方法。有机材料层包括：发光层；以及位于发光层和第二电极之间的光学长度控制层，其中光学长度控制层包括含有由下述化学式1代表的化合物的第一光学长度控制层，且发光层产生的光穿过第一电极。
【专利说明】有机发光器件及其制造方法

【技术领域】
[0001] 本申请设及一种有机发光器件及其制造方法。
[0002] 本申请要求于2012年5月25日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请第 10-2012-0056400号的优先权及其权益，其全部内容在此通过引证的方式纳入本说明书。

【背景技术】
[0003] 有机发光器件（OLED)通常由两个电极（阳极（anode)和阴极（cathode))形成， 该两个电极之间布置有一层或多层有机材料层。在具有该种结构的有机发光器件中，当在 两个电极之间施加电压时，来自阳极的空穴和来自阴极的电子流入有机材料层。空穴和电 子重新结合形成激子，然后激子跃迁回基态并发出对应于能量差的光子。根据该个原理，有 机发光器件产生可见光。
[0004] 近来，随着有机发光器件应用范围的扩大，对能够改进有机发光器件性能的材料 的研究已积极开展。


【发明内容】

[000引技术问题
[0006] 本公开描述一种具有新型结构的有机发光器件。
[0007] 技术方案
[000引本申请的一个实施方案提供一种有机发光器件，其包括按连续顺序提供的第一电 极、发光层和第二电极，所述有机发光器件还包括位于所述发光层和所述第二电极之间的 光学长度控制层（optical length control layer),所述光学长度控制层包括含有由W下 化学式1代表的化合物的第一光学长度控制层，并且在发光层中产生的光穿过第一电极。
[0009] [化学式U
[0010]

【权利要求】
1. 一种有机发光器件，包括按连续顺序设置的第一电极；发光层；以及第二电极，所述 有机发光器件包括： 设置在发光层和第二电极之间的光学长度控制层， 其中，所述光学长度控制层包括含有由下式1代表的化合物的第一光学长度控制层； 且 发光层中产生的光穿过第一电极： 【化学式1】
其中，在上述化学式1中，Rib至R6b各自选自氢、卤素原子、腈基（-CN)、硝基（_N02)、 磺酰基（_S02R)、亚砜基（-SOR)、磺酰胺基（_S02NR)、磺酸酯基（_S03R)、三氟甲基（_CF3)、酯 基（-COOR)、酰胺基（-CONHR或-CONRR'）、取代或未取代的直链或支链Q-Cu烷氧基、取代 或未取代的直链或支链烷基、取代或未取代的直链或支链Ci-Cu烯基、取代或未取代 的芳族或非芳族杂环基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的单芳胺基或双芳胺基以及 取代或未取代的芳烷基胺基，且上述R和R'各自选自取代或未取代的烷基、取代或 未取代的芳基以及取代或未取代的5至7元杂环基。
2. 权利要求1的有机发光器件，其中光学长度控制层的厚度为50A以上。
3. 权利要求1的有机发光器件，其中光学长度控制层的厚度为大于或等于200A且小 于或等于3,000A。
4. 权利要求1的有机发光器件，其中，当发光层中产生的光为蓝光时，光学长度控制 层的厚度为大于或等于2G0A且小于等于1,000A,或大于或等于1,300A且小于等于 2,500
5. 权利要求1的有机发光器件，其中，当发光层中发出的光为黄光时，光学长度控制层 的厚度为大于或等于200A且小于或等于1,200A，或大于或等于1,500A且小于或等 于 3,000A。
6. 权利要求1的有机发光器件，其中光学长度控制层还包括包含透明导电材料的第二 光学长度控制层。
7. 权利要求6的有机发光器件，其中透明导电材料包括一种或多种选自氧化铟锡 (IT0)、氧化铟锌（IZ0)、氧化铟、氧化锡和氧化锌（ZnO)的金属氧化物。
8. 权利要求1的有机发光器件，还包括： 位于发光层和第二电极之间的m层有机材料层，其中m层有机材料层满足下式1 :
其中，在上式1中，X意指发光层的光波长（nm)，nx意指从发光层到第二电极方向上 第x层有机材料层的折射率，以及dx意指从发光层到第二电极方向上第x层有机材料层的 厚度。
9. 权利要求1的有机发光器件，还包括： 位于发光层和第二电极之间的m层有机材料层，其中m层有机材料层满足下式2 :
其中，在上式2中，A意指发光层的光波长（nm)，nx意指从发光层到第二电极方向上 第x层有机材料层的折射率，以及dx意指从发光层到第二电极方向上第x层有机材料层的 厚度。
10. 权利要求1的有机发光器件，其中第一电极的透明度范围为5%至100%。
11. 权利要求1的有机发光器件，其中第一电极的折射率范围为1. 3至2. 5。
12. 权利要求1的有机发光器件，其中第一电极的材料包括选自金属、金属氧化物和导 电聚合物的材料，其功函数范围为2eV至6eV。
13. 权利要求1的有机发光器件，其中第一电极包括一种或多种选自氧化铟锡（ITO)、 氧化铟锌（IZO)、氧化铟、氧化锡和氧化锌（ZnO)的金属氧化物。
14. 权利要求1的有机发光器件，其中第一电极的厚度范围为300A至1，700A。
15. 权利要求1的有机发光器件，其中第二电极的反射率范围为70%至100%。
16. 权利要求1的有机发光器件，其中第二电极的材料包括选自金属、金属氧化物和导 电聚合物的材料，其功函数范围为2eV至6eV。
17. 权利要求1的有机发光器件，其中第二电极包括一种、两种或多种选自Al、Ag、Au、 、卩(1、11、]\1〇、]\%、〇&、211、丁6、？七和11'的合金。
18. 权利要求1的有机发光器件，其中第二电极的厚度为700A以上。
19. 权利要求1的有机发光器件，还包括： 与发光层相邻的电子传输层， 其中电子传输层包含含有一种或多种选自咪唑基、噁唑基、噻唑基、喹啉基和菲咯啉基 的官能团的化合物。
20. 权利要求19的有机发光器件，其中电子传输层包含n-型掺杂剂。
21. 权利要求20的有机发光器件，其中n-型掺杂剂选自金属、碱土金属、金属卤化物、 金属氧化物、稀土金属、金属化合物、环戊二烯、环庚三烯、6-元杂环以及包括含有这些环的 桐环的材料。
22. 权利要求20的有机发光器件，其中n-型掺杂剂的含量为1重量％至50重量％。
23. 权利要求20的有机发光器件，其中电子传输层设置在发光层和光学长度控制层之 间，且电子传输层的最低未占分子轨道（LUMO)和光学控制层的LUMO能级的能量差为4eV 以下。
24. 权利要求1的有机发光器件，还包括： 与发光层相邻的空穴传输层。
25. 权利要求24的有机发光器件，其中空穴传输层包含p-型掺杂剂。
26. 权利要求25的有机发光器件，其中包含p-型掺杂剂的空穴传输层的最高占据分子 轨道（HOMO)能级为5eV以上。
27. 权利要求1的有机发光器件，还包括： 设置在第一电极和发光层之间的空穴传输层；以及 设置在第一电极和空穴传输层之间的空穴注入层， 其中空穴注入层包含由化学式1代表的化合物。
28. -种照明设备，其包括权利要求1至27中任一项的有机发光器件。
29. -种用于制造有机发光器件的方法，其包括以下步骤：在基板上形成第一电极；在 第一电极上形成发光层；以及在发光层上形成第二电极，用于制造有机发光器件的方法还 包括以下步骤： 在发光层和第二电极之间形成光学长度控制层， 其中光学长度控制层包含含有由下述化学式1代表的化合物的第一光学长度控制层； 且 发光层产生的光穿过第一电极： 【化学式1】
其中，在上述化学式1中，RlbSR6b各自选自氢、齒素原子、腈基（-CN)、硝基（_N02)、磺 酰基（_S02R)、亚砜基（-S0R)、磺酰胺基（_S02NR)、磺酸酯基（_S03R)、三氟甲基（_CF3)、酯基 (-C00R)、酰胺基（-C0NHR或-C0NRR'）、取代或未取代的直链或支链烷氧基、取代或未 取代的直链或支链Q-Cu烷基、取代或未取代的直链或支链C 烯基、取代或未取代的芳 族或非芳族杂环基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的单芳胺基或双芳胺基以及取代 或未取代的芳烷基胺基，且上述R和R'各自选自取代或未取代的烷基、取代或未取 代的芳基以及取代或未取代的5至7元杂环基。
30. 权利要求29的用于制造有机发光器件的方法，其中形成光学长度控制层的步骤还 包括在第一光学长度控制层和第二电极之间形成包含透明导电材料的第二光学长度控制 层的步骤。
31. 权利要求29的用于制造有机发光器件的方法，其中在形成光学控制层之前，包括 在第一电极上连续顺序形成空穴传输层、发光层和电子传输层的步骤。
32. 权利要求29的用于制造有机发光器件的方法，其中在形成光学长度控制层之前， 包括在第一电极上连续顺序形成包含由上述化学式1代表的化合物的空穴注入层、空穴传 输层、发光层和电子传输层的步骤。
33. 权利要求29的用于制造有机发光器件的方法，其中，在形成光学控制层之前，包括 在第一电极上按连续顺序形成电子传输层、发光层和空穴传输层的步骤。
【文档编号】H05B33/26GK104488106SQ201380039035
【公开日】2015年4月1日 申请日期:2013年5月24日 优先权日:2012年5月25日
【发明者】李在仁, 朱文奎 申请人:株式会社Lg化学