对照例6至19的银合金靶材分别装设于磁控溅镀机中进行 溅镀，并以美国万机仪器公司（MKS instruments Inc.)所产制的DC电源（型号：RPDG-50) 的电弧计数功能，从放电开始计测45分钟的异常放电次数，即电弧数。结果如表2所示。其 中，当一银合金靶材的异常放电次数越少，表示该银合金靶材于溅镀时越不易产生电弧异 常放电及喷溅的问题，则该银合金靶材能经由溅镀制得高精细度的银合金薄膜。
[0090] 表2实验例11至20及对照例6至19的银合金靶材的组成比例及测试例5至7 的测试结果。
[0091]
[0092] 第二部份小结
[0093] 如表2所示，由实施例11至14及对照例6至10的银合金靶材的组成、平均晶粒尺 寸及电弧数可知，借由令一由银及铟所构成的银合金靶材，其铟的含量大于等于〇.25wt% 且小于等于5wt %;以及其平均晶粒尺寸为34 μ m至125 μ m，该由银及铟所构成的银合金靶 材可具有低于6的电弧数，则该由银及铟所构成的银合金靶材于溅镀时不易产生电弧异常 放电及喷溅的问题，故能经由溅镀制得高精细度的银合金薄膜。
[0094] 如表2所示，由实施例15至20及对照例11至19的银合金靶材的组成、平均晶粒 尺寸及电弧数可知，借由令一由银、铟、钯及铜所构成的银合金靶材，其铟的含量大于等于 0. 25wt%且小于等于5wt%，其把的含量大于等于0. 25wt%小于等于3. 5wt%，其铜的含量 大于等于〇. 25wt%且小于等于3. Owt% ;以及其平均晶粒尺寸为33 μ m至126 μ m，该由银、 铟、钯及铜所构成的银合金靶材可具有低于6的电弧数，则该由银、铟、钯及铜所构成的银 合金靶材于溅镀时不易产生电弧异常放电及喷溅的问题，故能经由溅镀制得高精细度的银 合金薄膜。
[0095] 其中，如表1及表2所示，实施例9的银合金靶材的组成与对照例12及13相同， 且如前所述，实施例9的银合金靶材的平均晶粒尺寸介于33 μ m至126 μ m之间，与对照例 12及13相当，则实施例9的银合金靶材与对照例12及13的银合金钯材属等效的范例，由 实施例9的银合金靶材于试验例1至4的测试结果及对照例12与13于试验例7的测试结 果可推知，纵然实施例9及对照例12与13的银合金靶材可经由溅镀工艺制得兼具有良好 耐热性、优良的抗硫化性、对氧化物的高附着性及高反射率的银合金薄膜，但于溅镀时电弧 数超过6,则于溅镀时易产生电弧异常放电及喷溅的问题，导致实施例9及对照例12与13 的银合金靶材制得的银合金薄膜的精细度不足。
[0096] 此外，请参阅表2所示，相较于对照例6而言，实施例11、12的银合金靶材具有较 小的平均晶粒尺寸，因此，相较于对照例6的银合金靶材经溅镀制得的银合金薄膜而言，实 施例11、12的银合金靶材经溅镀制得的银合金薄膜具有较佳的厚度及成份均匀性。同理， 经比较实施例13、14与对照例7、实施例15、16与对照例11、实施例17、18与对照例18及 实施例19、20与对照例19后可得知，实施例11至20银合金靶材能经溅镀制得具有良好的 厚度及成份均匀性的银合金薄膜。
[0097] 另外，请参阅表2所示，经晶粒结晶方向量测后得知，实施例11至20的银合金靶 材的1_/[1_+1_]的值均大于1 ;即，（111)绕射峰的强度大于（100)绕射峰与（110) 绕射峰的强度相加的总和；显示实施例10至17的银合金靶材的优选结晶方向为〈111>。由 于纯银的最密堆积方向为〈111>，使得实施例11至20的银合金靶材于溅镀时，其构成原子 会有更多机会被气体离子撞击，故实施例11至20的银合金靶材具有高溅镀速率的优点。
[0098] 总结
[0099] 由第一部份的小结及第二部份的小结可知，本发明借由令一由银及铟所构成的 银合金靶材的铟的含量大于等于〇. 25wt %并小于等于5wt %，且其平均晶粒尺寸为34 μ m 至125 μ m ;以及，令一由银、铟、把及铜所构成的银合金革巴材的铟的含量大于等于0. 25wt% 且小于等于5wt%、钯的含量大于等于0. 25wt%且小于等于3. 5wt%、铜的含量大于等于 0. 25wt%且小于等于3. Owt%，且其平均晶粒尺寸为33μπι至126μπι。该由银及铟所构成 的银合金靶材及该银、铟、钯及铜所构成的银合金靶材，两者皆适用于溅镀工艺，且可经由 溅镀工艺制得兼具有良好耐热性、良好抗硫化性、对氧化物的高附着性、高反射率及高精细 度的特性而能应用于符合高分辨率有机发光二极管显示器需求的有机发光二极管的电极 的银合金薄膜。
[0100] 简言之，本发明借由将预定比例的铟、或者铟、钯与铜添加于银中所制得的银合金 靶材，其不仅可制得具有良好耐热性、抗硫化性、附着力等特性的银合金薄膜，并可令该银 合金薄膜仍具有高反射率；另，借由控制溅镀靶材的平均晶粒尺寸介于33 μ m与126 μ m之 间，如此可抑制溅镀时靶材的异常放电次数，达到减少薄膜缺陷的目的，不仅符合实用性， 亦能广泛的应用于有机发光二极管的产业与领域，相当具有发展潜力，则确实能达成本发 明的目的。
[0101]当然，本发明还可有其它多种实施例，在不背离本发明精神及其实质的情况下，熟 悉本领域的技术人员可根据本发明作出各种相应的改变和变形，但这些相应的改变和变形 都应属于本发明权利要求的保护范围。
【主权项】
1. 一种银合金靶材，其特征在于，其实质上由银及铟所构成，以该银合金靶材的总重量 为基准，铟的含量为大于等于〇.25wt%且小于等于5wt%，且该银合金靶材的平均晶粒尺 寸界于33μπι与126μπι之间。2. 如权利要求1所述的银合金靶材，其特征在于，该银合金靶材的溅镀面的X光绕射图 谱具有下面的特性：（111)绕射峰的强度大于（1〇〇)绕射峰与（110)绕射峰的强度相加的 总和。3. 如权利要求1所述的银合金靶材，其特征在于，以该银合金靶材的总量为基准，该银 合金祀材含有不大于lOOppm的氮、氧、碳或硫。4. 一种制造权利要求1至3中任一项所述的银合金靶材的方法，其特征在于，其步骤包 含： 提供一实质上由银及铟所构成的银合金铸锭； 以2. 5至3的锻造比热缎造该银合金铸锭以制得一锻造后的胚料； 多道次冷轧延该锻造后的胚料以制得一初胚，其中，多道次冷轧延的各道次冷轧延 的轧延比介于15%至30%之间，且该锻造后的胚料于相邻两道次冷轧延的轧延方向相差 45°至90° ;以及 再结晶处理该初胚，得到该银合金靶材。5. -种有机发光二极管，其特征在于，包含有由权利要求1至3中任一项所述的银合金 靶材经溅镀形成的银合金薄膜。6. -种银合金靶材，其特征在于，其实质上由银、铟、钯及铜所构成，以该银合金靶 材的总重量为基准，铟的含量大于等于〇. 25wt%且小于等于5wt%，钯的含量大于等于 0. 25wt%且小于等于3. 5wt%，铜的含量大于等于0. 25wt%且小于等于3.Owt%，且该银合 金靶材的平均晶粒尺寸界于33μm与126μm之间。7. 如权利要求1所述的银合金靶材，其特征在于，该银合金靶材的溅镀面的X光绕射图 谱具有下面的特性：（111)绕射峰的强度大于（1〇〇)绕射峰与（110)绕射峰的强度相加的 总和。8. 如权利要求1所述的银合金靶材，其特征在于，以该银合金靶材的总量为基准，该银 合金祀材含有不大于lOOppm的氮、氧、碳或硫。9. 一种制造权利要求6至8中任一项所述的银合金靶材的方法，其特征在于，其步骤包 含： 提供一实质上由银、铟、钯及铜所构成的银合金铸锭； 以2. 5至3的锻造比热缎造该银合金铸锭以制得一锻造后的胚料； 多道次冷轧延该锻造后的胚料以制得一初胚，其中，多道次冷轧延的各道次冷轧延 的轧延比介于15%至30%之间，且该锻造后的胚料于相邻两道次冷轧延的轧延方向相差 45°至90° ;以及 再结晶处理该初胚，得到该银合金靶材。10. -种有机发光二极管，其特征在于，其包含有由权利要求6至8中任一项所述的银 合金靶材经溅镀形成的银合金薄膜。
【专利摘要】本发明提供一种银合金靶材、其制造方法及应用该靶材的有机发光二极管，银合金靶材实质上由银及铟或者银、铟、钯及铜所构成。其平均晶粒尺寸界于33μm到126μm之间。以该银合金靶材的总重量为基准，铟的含量大于等于0.25wt％且小于等于5wt％、钯的含量大于等于0.25wt％且小于等于3.5wt％、铜的含量大于等于0.25wt％且小于等于3wt％。通过预定比例的铟、或者铟、钯与铜的添加，并控制平均晶粒尺寸界于33μm与126μm之间，该银合金靶材可经由溅镀制得兼具有良好耐热性、抗硫化性、附着力、高反射率及高精细度的银合金薄膜。据此，该银合金靶材不仅符合实用性，亦能广泛的应用于有机发光二极管的产业与领域。
【IPC分类】C23C14/34, C22C5/06, C23C14/20, H01L51/54
【公开号】CN105316630
【申请号】CN201410245096
【发明人】林守贤
【申请人】光洋应用材料科技股份有限公司
【公开日】2016年2月10日
【申请日】2014年6月4日