专利名称：一种用于多晶硅生产领域的防止硅液漏流用坩埚托的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种太阳能或光伏领域中的防止硅液漏流用坩埚托，特别是一种用于多晶硅生产领域的防止硅液漏流用坩埚托。
背景技术：
以晶体硅为基材的太阳能电池可分为单晶硅和多晶硅两种。单晶硅晶体通常采用直拉单晶法(Czchoralski，或简称CZ)拉制而成。而多晶硅晶体有多种方法，目前在工业生产中普遍采用的可以粗略地分为定向凝固法、浇铸法、电磁冷石英坩埚连续铸锭法等。其中的定向凝固法由于其所产硅锭重量大，单炉产出量高，耗能低而受到最广泛的应用。定向凝固法的基本工艺特征是配料好的硅原料装满石英坩埚，在控制的环境下，硅原料被加热并熔化，随后，硅溶液在同一石英坩埚中由于单一方向的冷却，例如通常从石英坩埚底面开始结晶凝固，晶体逐渐逆着冷却方向生长，直至全部硅液凝固成为硅锭。在多晶硅铸锭的工艺中，石英坩埚被用来盛装硅原料，硅原料在石英坩埚中完成融化、定向凝固的全过程。由于石英坩埚在温度超过1200℃左右后成为玻璃状，开始软化，通常需用其它材料来将石英坩埚固定，起支撑作用。
传统的坩埚托只有支撑作用，没有良好的防漏流的作用，具体介绍如下 现有技术是采用一块石墨材料制成的底板托住石英坩埚底部，并用几块石墨材料制成的护板来护住石英坩埚的四周，这几块拼合而成的石墨材料制成的底板以及护板统称为石墨坩埚托。在硅原料熔化、晶体硅结晶过程中，由于各种原因，比如石英坩埚本身质量有暇，或装料太紧，都可能引起石英坩埚破裂，从而造成硅液漏出石英坩埚。由于石墨坩埚托是由石墨材料制成的几块板材拼合而成，板材之间存在有间隙，因此石墨坩埚托只能防止受热的石英坩埚过度变形，并不能防止硅液从石墨坩埚托的间隙中泄露。
从防漏流的角度出发，整体制作的是最理想的，但多晶硅生产领域涉及的多晶硅重量可达到数百公斤，因而其需要配套的体积庞大。可以作为的材料最好选择的是石墨，大型的石墨材料加工困难，因而通常只能做成数块石墨板材再拼接成石墨。石墨材料在高温状态下不容易产生微量的膨胀，因而其拼接的缝隙始终存在，因各种原因产生的硅液溢出容易从拼接的缝隙中漏流。
漏出的硅液会漏流到炉内底部的各种石墨及金属部件上，严重时会将底部的水冷不锈钢炉壁熔穿，与炉壁夹层中的循环水发生剧烈反应，严重损坏铸锭炉，并有重大安全隐患。
尽管有技术人员想开发一体化的石墨，但多晶硅领域的石英坩埚体积庞大，如果要开发与之配套的大型的一体化的石墨护板与底板在实际生产中很难实现。首先，能装住硅液的石墨材质需高密度石墨，这种原料由于加工工艺的限制，其尺寸受到一定的限制。超过60cm、70cm的块材已不易找到，另外一体化的石墨需要用机械设备从一个巨型的石墨块中掏空而成，加工成本高昂，且掏空部分的废弃的石墨无法再利用，浪费极大。因此尽管有泄露硅液的隐患，而单独的数块石墨护板与底板组成的防护部件因成本低廉得到普遍使用。
专利号为CN101169308，专利名称为一种坩埚托，公开了一种采用炭/炭复合材料加工制成的坩埚托，它包括底板，底板上安装有侧板，相邻两侧板之间固定连接，其特征是底板、侧板均由炭/炭复合材料加工制成，由于炭/炭复合材料内部具有准三维的结构，加工制成的坩埚托，具有良好的导热和耐高温的性能，不仅大幅度降低了坩埚托的重量(产品密度小于1.8g/cm3)，而且增强了坩埚托的力学性能，使之不容易在外力的作用下破裂，且使用寿命由原来的90多天提高到300天以上，且由于相邻两侧板采用偶榫结构，产品安装方便，加工容易，正品率高。但是只是增强了坩埚托的使用寿命，还是没有解决硅液漏流现象的发生，仍然没有良好的防漏流的作用。
目前对于在硅液漏流保护措施上，主要采用金属熔断丝保护技术。具体是指沿石英坩埚下面保温板四周围绕固定金属熔断丝，当硅液漏流时，硅液滴附在熔断丝上面，使金属丝熔断产生报警，从而提醒用户采取措施。然而实际应用中，此项保护技术存在众多不可靠因素首先，铺设在炉体底部的金属熔断丝位置存在偏差或长期使用中被挪移原来位置不被纠正，当硅液漏流时，不能保证硅液准确及时滴在熔断丝上面；其次是当石英坩埚破裂发生大面积漏流时，硅液即使熔断了金属熔断丝，但上面的硅液会漏流到炉内底部的各种石墨及金属部件，严重时会将底部的水冷不锈钢炉壁熔穿，与炉壁夹层中的循环水发生剧烈反应，严重损坏铸锭炉，并有重大安全隐患。而且金属熔断丝保护技术只是发生硅液漏流后的报警，从而提醒用户采用措施补救，它并不能起到防止硅液从石墨材料制成的几块板组成的石墨坩埚托中泄露出来。
近年来，已有一些对于防止硅液漏流的技术文献报道，专利号为CN101423219，专利名称为一种多晶硅提纯或铸锭炉的硅液泄漏防护装置，提供了一种多晶硅提纯或铸锭炉的硅液泄漏防护装置，包括坩埚和平台，坩埚设于平台上面，其特征在于还包括倒角和凝固槽，所述的平台上表面开有多个径向导流槽和多个纬向导流槽，所述的倒角设在平台底部的周边，所述的凝固槽设于平台的下面并环绕平台一周，所述的凝固槽的内周设于倒角的里面，外周延伸到平台的外面，当硅液发生泄漏时，硅液可以通过平台上的导流槽而流入凝固槽内，从而实现防止设备损坏和爆炸的发生，保护炉前操作工人的人身安全。
专利号为CN101158549，专利名称为多晶硅铸锭炉的硅液溢流保护系统，属多晶硅铸锭炉的设计与制造技术领域，主要由底部带岩棉的炉体，置于炉体内底部带保温底板的保温笼体，置于保温笼体内带石英坩埚和石墨坩埚的热交换台，置于岩棉中部的中心护套和凸台套管，开设于石墨坩埚底部两边的导流沟，开设于保温底板两边的导流孔，置于炉体底部的岩棉上与导流孔对应位置的硅液溢流承接容器，置于硅液溢流承接容器内带控制器的金属熔断丝等构成。通过由导流沟、导流孔、带金属熔断丝的硅液溢流承接容器构成的汇流导流系统的作用，来避免硅液对炉体的损伤。
国内外已有采取一些技术方案用来防止硅液漏流引起的安全隐患，尤其在国内，2007年来，申请了近10项关于防止硅液漏流的专利，但是它们都有一个共同的特征采用复杂的引流装置将硅液引流至承接槽或直接在多晶硅铸锭炉石墨底板DS-Block的两侧下端设置硅液承接槽，实施起来不方便，工艺复杂，不利于在生产中推广应用，而且由于温度差异，硅液在引流过程中可能会凝固，造成引流通道堵塞，一旦发生石英坩埚破裂造成的严重泄露，引导装置只能局部引流部分硅液，大部分硅液仍然会沿拼接的石墨护板之间的间隙泄露，安全隐患始终存在。
所以寻求一种制造成本低廉，易于在生产中推广应用，并且能够百分之百有效的防止硅液漏流的方法或装置对于整个多晶硅铸锭领域具有相当实质性的意义。
发明内容
本发明提出了一种用于多晶硅生产领域的防止硅液漏流用坩埚托，能够很好的解决现有的硅液漏流的技术问题。
这是因为本发明发现熔融状态的硅液与氮化硅材料是完全不浸润的，当坩埚发生硅液漏流时，从坩埚漏出的硅液将沿着氮化硅材料制成的板材表面收缩，因而能很好的防止硅液漏流。
本发明的技术方案有下列 一种用于多晶硅生产领域的防止硅液漏流用坩埚托，其特征在于该防止硅液漏流用坩埚托采用的材料是下列重量百分配比的材料组成氮化硅材料80-100％，添加剂20-0％。
一种用于多晶硅生产领域的防止硅液漏流用坩埚托，该防止硅液漏流用坩埚托由侧壁与底板组成，侧壁围绕的分布在底板的四周边缘；侧壁与底板共同围成一个可放置多晶硅生产领域用的石英坩埚的下部的空腔，其中侧壁或底板采用的材料是下列重量百分配比的材料组成氮化硅材料80-100％，添加剂20-0％。
一种用于多晶硅生产领域的防止硅液漏流用坩埚托，该防止硅液漏流用坩埚托由侧壁与底板组成，侧壁围绕的分布在底板的四周边缘；侧壁与底板共同围成一个可放置多晶硅生产领域用的石英坩埚的下部的空腔，其中侧壁或底板采用的材料是单一的氮化硅材料。
当不使用添加剂，而采用单一的氮化硅的材料制备的用于多晶硅生产领域的防止硅液漏流用坩埚托，虽然强度不是很理想，但作为单一的防止硅液漏流的作用还是完全具备的，如果单一的氮化硅的材料制备坩埚托再配合传统的石墨护板联合使用，也同时具备防止硅液漏流和支撑的双重作用。
使用添加剂是本发明的优选方案。理由如下 由于氮化硅系共价键化合物，在1700℃就会明显分解，因此不能用熔体加工而成，又因其扩散系数很小，致密化所必需的体积扩散及晶界扩散速度也很小，同时它的晶界能与粉体表面能的比值比其他离子化合物及金属大得多，致使烧结驱动力(粉体的表面能-烧结体的晶界能)很小，另外，在高温下氮化硅极易分解和氧化，这些因素决定了氮化硅极易分解和氧化，这些决定了氮化硅不能单靠固相烧结达到致密化，而加入少量添加剂，使得在高温下产生液相，抑制氮化硅分解，通过液相烧结成更致密的氮化硅侧壁和底板。
加入的添加剂的量要合适，重量百分配比组成为一般为氮化硅材料80-100％添加剂20-0％。
优选的加入的添加剂的重量百分配比组成为5％-10％，更优选的加入的添加剂的重量百分配比组成为8％-10％。
如果添加剂的含量过低或不加，则形成的液相量不足，氮化硅侧壁和底板的密度不高，气孔侧大量存在，会减弱材料内部晶粒之间的结合力，这样会造成氮化硅侧壁和底板的强度不高，随着添加剂含量的增加，由于氮化硅侧壁和底板的密度提高，使得材料内部晶粒之间的结合力随之增强，材料的强度得以提高，若液相量进一步增加，超过合适的含量，则会在烧结后使晶界处残留大量的玻璃相，同样造成氮化硅侧壁和底板的强度不高。
本发明中的添加剂，通常只要是能够在陶瓷的制造中选择作为烧结助剂的物质就行，没有特别的限制，可以使用任一物质；例如，添加剂可以是金属氧化物或稀土元素氧化物的任意一种或几种的混合。
列举出金属氧化物的具体例子可以是MgO，Al2O3等氧化物，列举出稀土元素氧化物的具体例子可以是La2O3，Sm2O3，Nd2O3，，Yb2O3，CeO2，Y2O3等氧化物。优选的为金属氧化物与稀土元素氧化物的混和添加剂，例如Y2O3-Al2O3的混和添加剂，Y2O3的重量百分比含量为5％，Al2O3的重量百分比含量为4％，经过烧结得到的氮化硅侧壁和底板的密度高；以及MgO-CeO2的混和添加剂，重量百分比含量为8％-10％，经过烧结得到的氮化硅侧壁和底板的密度高；更优选的有Yb2O3-MgO，，重量百分比含量为9％，经过烧结得到的氮化硅侧壁和底板的密度可达到3.26克/立方厘米，接近于氮化硅陶瓷的理论密度。
一种用于多晶硅生产领域的防止硅液漏流用坩埚托，其中所述的氮化硅材料的平均颗粒直径为1nm-10mm。作为氮化硅的形态，从氮化硅侧壁或底板烧结性良好的方面考虑，优选的平均颗粒直径在10μm以下的氮化硅的粉体，更优选的平均颗粒直径为0.1-5μm的氮化硅的粉体。
一种用于多晶硅生产领域的防止硅液漏流用坩埚托，其中氮化硅材料的侧壁与氮化硅材料的底板可以是无缝隙的连为一体的。
一种用于多晶硅生产领域的防止硅液漏流用坩埚托，其中防止硅液漏流用坩埚托由氮化硅材料的侧壁与氮化硅材料的底板拼接而成。
一种用于多晶硅生产领域的防止硅液漏流用坩埚托，其中氮化硅材料的侧壁由若干氮化硅材料的板材拼接而成。
一种用于多晶硅生产领域的防止硅液漏流用坩埚托，其中常温状态下拼接的缝隙为0.001-1.0毫米。
一种用于多晶硅生产领域的防止硅液漏流用坩埚托，其中拼接采用螺钉固定的方式。
一种用于多晶硅生产领域的防止硅液漏流用坩埚托，其中拼接采用相互配合的偶榫固定的方式。
在侧壁上设有公榫，母榫，侧壁通过公榫，母榫互相偶合成一体。
氮化硅材料在多晶硅生产领域的防止硅液漏流用坩埚托中的应用，其中该防止硅液漏流用坩埚托由氮化硅材料的侧壁与氮化硅材料的底板组成，侧壁围绕的分布在底板的四周边缘；侧壁与底板共同围成一个可放置多晶硅生产领域用的坩埚的下部的空腔。
氮化硅材料在多晶硅生产领域的防止硅液漏流用坩埚托中的应用，其中该防止硅液漏流用坩埚托由氮化硅材料的侧壁与氮化硅材料的底板组成，侧壁围绕的分布在底板的四周边缘；侧壁与底板共同围成一个可放置多晶硅生产领域用的石英坩埚的下部的空腔。
一种用于多晶硅生产领域的防止硅液漏流用坩埚托，其中侧壁或底板的厚度是0.1-10厘米。
表1本发明提供的防止硅液漏流用坩埚托与传统坩埚托比较
本发明提供的防止硅液漏流用坩埚托可以是有缝隙式的板材拼接的，也可以是无缝隙的连为一体式的。有缝隙式的板材拼接的坩埚托由于在常温状态下的板材拼接缝隙在多晶硅高温生产过程中被微量膨胀的氮化硅所填满，因而缝隙更加微小或者忽略不计，所以硅液不会从拼接的板材缝隙中漏流出来。
采用氮化硅材料做成无缝隙的连为一体式的坩埚托防止硅液漏流的效果会更好，只是相对于组装氮化硅材料的板材，无缝隙的一体式的防止硅液漏流用坩埚托加工成本会增加。但氮化硅材料制备的整体的防止硅液漏流用坩埚托不会因为微量的膨胀而造成其他负面影响。
本发明优点综合上述分析，氮化硅材料替换石墨材料或者碳-碳复合材料，不是简单的替换，而是带来了多方面的技术进步，特别是拼接结构的以氮化硅材料为主做成的装置具有支撑和防漏流的双重性能，这是其他材料所不具备的。
因为具有双重性能，那么拼接结构的氮化硅材料做成的装置比整体结构的氮化硅材料做成的装置更有利于加工，也更利于实际应用。
表2本发明提供的防止硅液漏流技术方案与现有技术的防止硅液漏流技术方案效果比较 尽管氮化硅材料可以作为坩埚内部的涂层用，例如作为石英坩埚内部的涂层用。但在坩埚内部使用的氮化硅涂层的作用主要是防粘埚，杜绝或减少各种污染隐患。
而氮化硅材料作为坩埚外部的坩埚托使用的时候的功能是支撑件和防漏流的双重作用。
氮化硅护板与氮化硅涂层的应用对象有差别。其余对比如下 表3 显然只用一定厚度的氮化硅护板才具有一定的机械强度，足以同时满足支撑件和防漏流的双重作用，可以完全取代现有的石墨坩埚托或碳/碳复合材料制成的坩埚托。当然也可以在本发明提供的氮化硅材料制成的坩埚托放置于现有的石墨坩埚托或碳/碳复合材料制成的坩埚托内，其中，本发明提供的氮化硅材料制成的坩埚托主要起防止硅液漏流的作用，现有的石墨坩埚托或碳/碳复合材料制成的坩埚托主要起支撑作用，相互配合使用。
图1是本发明的外观示意图。
图2是本发明的使用状态图。
图3是实施例62的结构示意图。
图4是实施例64的侧壁2的结构示意图。
附图标记坩埚托1、侧壁2、底板3、石英坩埚4、螺钉5、公榫6，母榫7。
具体实施例方式 实施例1、一种用于多晶硅生产领域的防止硅液漏流用坩埚托，该防止硅液漏流用坩埚托由侧壁2与底板3组成，侧壁2围绕的分布在底板3的四周边缘；侧壁2与底板3共同围成一个可放置多晶硅生产领域用的石英坩埚4的下部的空腔，其中侧壁2或底板3采用的材料是下列重量百分配比的材料组成氮化硅材料100％，添加剂0％。
实施例2、一种用于多晶硅生产领域的防止硅液漏流用坩埚托，该防止硅液漏流用坩埚托由侧壁2与底板3组成，侧壁2围绕的分布在底板3的四周边缘；侧壁2与底板3共同围成一个可放置多晶硅生产领域用的石英坩埚4的下部的空腔，其中侧壁2或底板3采用的材料是下列重量百分配比的材料组成氮化硅材料99.9％，添加剂0.1％。
实施例3、一种用于多晶硅生产领域的防止硅液漏流用坩埚托，该防止硅液漏流用坩埚托由侧壁2与底板3组成，侧壁2围绕的分布在底板3的四周边缘；侧壁2与底板3共同围成一个可放置多晶硅生产领域用的石英坩埚4的下部的空腔，其中侧壁2或底板3采用的材料是下列重量百分配比的材料组成氮化硅材料99.5％，添加剂0.5％。
实施例4、一种用于多晶硅生产领域的防止硅液漏流用坩埚托，该防止硅液漏流用坩埚托由侧壁2与底板3组成，侧壁2围绕的分布在底板3的四周边缘；侧壁2与底板3共同围成一个可放置多晶硅生产领域用的石英坩埚4的下部的空腔，其中侧壁2或底板3采用的材料是下列重量百分配比的材料组成氮化硅材料99％，添加剂1％。
实施例5、一种用于多晶硅生产领域的防止硅液漏流用坩埚托，该防止硅液漏流用坩埚托由侧壁2与底板3组成，侧壁2围绕的分布在底板3的四周边缘；侧壁2与底板3共同围成一个可放置多晶硅生产领域用的石英坩埚4的下部的空腔，其中侧壁2或底板3采用的材料是下列重量百分配比的材料组成氮化硅材料98％，添加剂2％。
实施例6、一种用于多晶硅生产领域的防止硅液漏流用坩埚托，该防止硅液漏流用坩埚托由侧壁2与底板3组成，侧壁2围绕的分布在底板3的四周边缘；侧壁2与底板3共同围成一个可放置多晶硅生产领域用的石英坩埚4的下部的空腔，其中侧壁2或底板3采用的材料是下列重量百分配比的材料组成氮化硅材料97％，添加剂3％。
实施例7、一种用于多晶硅生产领域的防止硅液漏流用坩埚托，该防止硅液漏流用坩埚托由侧壁2与底板3组成，侧壁2围绕的分布在底板3的四周边缘；侧壁2与底板3共同围成一个可放置多晶硅生产领域用的石英坩埚4的下部的空腔，其中侧壁2或底板3采用的材料是下列重量百分配比的材料组成氮化硅材料96％，添加剂4％。
实施例8、一种用于多晶硅生产领域的防止硅液漏流用坩埚托，该防止硅液漏流用坩埚托由侧壁2与底板3组成，侧壁2围绕的分布在底板3的四周边缘；侧壁2与底板3共同围成一个可放置多晶硅生产领域用的石英坩埚4的下部的空腔，其中侧壁2或底板3采用的材料是下列重量百分配比的材料组成氮化硅材料95％，添加剂5％。
实施例9、一种用于多晶硅生产领域的防止硅液漏流用坩埚托，该防止硅液漏流用坩埚托由侧壁2与底板3组成，侧壁2围绕的分布在底板3的四周边缘；侧壁2与底板3共同围成一个可放置多晶硅生产领域用的石英坩埚4的下部的空腔，其中侧壁2或底板3采用的材料是下列重量百分配比的材料组成氮化硅材料94％，添加剂6％。
实施例10、一种用于多晶硅生产领域的防止硅液漏流用坩埚托，该防止硅液漏流用坩埚托由侧壁2与底板3组成，侧壁2围绕的分布在底板3的四周边缘；侧壁2与底板3共同围成一个可放置多晶硅生产领域用的石英坩埚4的下部的空腔，其中侧壁2或底板3采用的材料是下列重量百分配比的材料组成氮化硅材料93％，添加剂7％。
实施例11、一种用于多晶硅生产领域的防止硅液漏流用坩埚托，该防止硅液漏流用坩埚托由侧壁2与底板3组成，侧壁2围绕的分布在底板3的四周边缘；侧壁2与底板3共同围成一个可放置多晶硅生产领域用的石英坩埚4的下部的空腔，其中侧壁2或底板3采用的材料是下列重量百分配比的材料组成氮化硅材料92％，添加剂8％。
实施例12、一种用于多晶硅生产领域的防止硅液漏流用坩埚托，该防止硅液漏流用坩埚托由侧壁2与底板3组成，侧壁2围绕的分布在底板3的四周边缘；侧壁2与底板3共同围成一个可放置多晶硅生产领域用的石英坩埚4的下部的空腔，其中侧壁2或底板3采用的材料是下列重量百分配比的材料组成氮化硅材料91％，添加剂9％。
实施例13、一种用于多晶硅生产领域的防止硅液漏流用坩埚托，该防止硅液漏流用坩埚托由侧壁2与底板3组成，侧壁2围绕的分布在底板3的四周边缘；侧壁2与底板3共同围成一个可放置多晶硅生产领域用的石英坩埚4的下部的空腔，其中侧壁2或底板3采用的材料是下列重量百分配比的材料组成氮化硅材料92％，添加剂9.5％。
实施例14、一种用于多晶硅生产领域的防止硅液漏流用坩埚托，该防止硅液漏流用坩埚托由侧壁2与底板3组成，侧壁2围绕的分布在底板3的四周边缘；侧壁2与底板3共同围成一个可放置多晶硅生产领域用的石英坩埚4的下部的空腔，其中侧壁2或底板3采用的材料是下列重量百分配比的材料组成氮化硅材料90％，添加剂10％。
实施例15、一种用于多晶硅生产领域的防止硅液漏流用坩埚托，该防止硅液漏流用坩埚托由侧壁2与底板3组成，侧壁2围绕的分布在底板3的四周边缘；侧壁2与底板3共同围成一个可放置多晶硅生产领域用的石英坩埚4的下部的空腔，其中侧壁2或底板3采用的材料是下列重量百分配比的材料组成氮化硅材料89％，添加剂11％。
实施例16、一种用于多晶硅生产领域的防止硅液漏流用坩埚托，该防止硅液漏流用坩埚托由侧壁2与底板3组成，侧壁2围绕的分布在底板3的四周边缘；侧壁2与底板3共同围成一个可放置多晶硅生产领域用的石英坩埚4的下部的空腔，其中侧壁2或底板3采用的材料是下列重量百分配比的材料组成氮化硅材料88％，添加剂12％。
实施例17、一种用于多晶硅生产领域的防止硅液漏流用坩埚托，该防止硅液漏流用坩埚托由侧壁2与底板3组成，侧壁2围绕的分布在底板3的四周边缘；侧壁2与底板3共同围成一个可放置多晶硅生产领域用的石英坩埚4的下部的空腔，其中侧壁2或底板3采用的材料是下列重量百分配比的材料组成氮化硅材料87％，添加剂13％。
实施例18、一种用于多晶硅生产领域的防止硅液漏流用坩埚托，该防止硅液漏流用坩埚托由侧壁2与底板3组成，侧壁2围绕的分布在底板3的四周边缘；侧壁2与底板3共同围成一个可放置多晶硅生产领域用的石英坩埚4的下部的空腔，其中侧壁2或底板3采用的材料是下列重量百分配比的材料组成氮化硅材料86％，添加剂14％。
实施例19、一种用于多晶硅生产领域的防止硅液漏流用坩埚托，该防止硅液漏流用坩埚托由侧壁2与底板3组成，侧壁2围绕的分布在底板3的四周边缘；侧壁2与底板3共同围成一个可放置多晶硅生产领域用的石英坩埚4的下部的空腔，其中侧壁2或底板3采用的材料是下列重量百分配比的材料组成氮化硅材料85％，添加剂15％。
实施例20、一种用于多晶硅生产领域的防止硅液漏流用坩埚托，该防止硅液漏流用坩埚托由侧壁2与底板3组成，侧壁2围绕的分布在底板3的四周边缘；侧壁2与底板3共同围成一个可放置多晶硅生产领域用的石英坩埚4的下部的空腔，其中侧壁2或底板3采用的材料是下列重量百分配比的材料组成氮化硅材料84％，添加剂16％。
实施例21、一种用于多晶硅生产领域的防止硅液漏流用坩埚托，该防止硅液漏流用坩埚托由侧壁2与底板3组成，侧壁2围绕的分布在底板3的四周边缘；侧壁2与底板3共同围成一个可放置多晶硅生产领域用的石英坩埚4的下部的空腔，其中侧壁2或底板3采用的材料是下列重量百分配比的材料组成氮化硅材料83％，添加剂17％。
实施例22、一种用于多晶硅生产领域的防止硅液漏流用坩埚托，该防止硅液漏流用坩埚托由侧壁2与底板3组成，侧壁2围绕的分布在底板3的四周边缘；侧壁2与底板3共同围成一个可放置多晶硅生产领域用的石英坩埚4的下部的空腔，其中侧壁2或底板3采用的材料是下列重量百分配比的材料组成氮化硅材料82％，添加剂18％。
实施例23、一种用于多晶硅生产领域的防止硅液漏流用坩埚托，该防止硅液漏流用坩埚托由侧壁2与底板3组成，侧壁2围绕的分布在底板3的四周边缘；侧壁2与底板3共同围成一个可放置多晶硅生产领域用的石英坩埚4的下部的空腔，其中侧壁2或底板3采用的材料是下列重量百分配比的材料组成氮化硅材料81％，添加剂19％。
实施例24、一种用于多晶硅生产领域的防止硅液漏流用坩埚托，该防止硅液漏流用坩埚托由侧壁2与底板3组成，侧壁2围绕的分布在底板3的四周边缘；侧壁2与底板3共同围成一个可放置多晶硅生产领域用的石英坩埚4的下部的空腔，其中侧壁2或底板3采用的材料是下列重量百分配比的材料组成氮化硅材料80％，添加剂20％。
实施例25、一种用于多晶硅生产领域的防止硅液漏流用坩埚托，其中所述的氮化硅材料的平均颗粒直径为10mm。其余同实施例1-实施例24中的任意一种实施例。
实施例26、一种用于多晶硅生产领域的防止硅液漏流用坩埚托，其中所述的氮化硅材料的平均颗粒直径为5mm。其余同实施例1-实施例24中的任意一种实施例。
实施例27、一种用于多晶硅生产领域的防止硅液漏流用坩埚托，其中所述的氮化硅材料的平均颗粒直径为3mm。其余同实施例1-实施例24中的任意一种实施例。
实施例28、一种用于多晶硅生产领域的防止硅液漏流用坩埚托，其中所述的氮化硅材料的平均颗粒直径为1mm。其余同实施例1-实施例24中的任意一种实施例。
实施例29、一种用于多晶硅生产领域的防止硅液漏流用坩埚托，其中所述的氮化硅材料的平均颗粒直径为0.8mm。其余同实施例1-实施例24中的任意一种实施例。
实施例30、一种用于多晶硅生产领域的防止硅液漏流用坩埚托，其中所述的氮化硅材料的平均颗粒直径为0.5mm。其余同实施例1-实施例24中的任意一种实施例。
实施例31、一种用于多晶硅生产领域的防止硅液漏流用坩埚托，其中所述的氮化硅材料的平均颗粒直径为0.1mm。其余同实施例1-实施例24中的任意一种实施例。
实施例32、一种用于多晶硅生产领域的防止硅液漏流用坩埚托，其中所述的氮化硅材料的平均颗粒直径为80μm。其余同实施例1-实施例24中的任意一种实施例。
实施例33、一种用于多晶硅生产领域的防止硅液漏流用坩埚托，其中所述的氮化硅材料的平均颗粒直径为50μm。其余同实施例1-实施例24中的任意一种实施例。
实施例34、一种用于多晶硅生产领域的防止硅液漏流用坩埚托，其中所述的氮化硅材料的平均颗粒直径为30μm。其余同实施例1-实施例24中的任意一种实施例。
实施例35、一种用于多晶硅生产领域的防止硅液漏流用坩埚托，其中所述的氮化硅材料的平均颗粒直径为20μm。其余同实施例1-实施例24中的任意一种实施例。
实施例36、一种用于多晶硅生产领域的防止硅液漏流用坩埚托，其中所述的氮化硅材料的平均颗粒直径为15μm。其余同实施例1-实施例24中的任意一种实施例。
实施例37、一种用于多晶硅生产领域的防止硅液漏流用坩埚托，其中所述的氮化硅材料的平均颗粒直径为10μm。其余同实施例1-实施例24中的任意一种实施例。
实施例38、一种用于多晶硅生产领域的防止硅液漏流用坩埚托，其中所述的氮化硅材料的平均颗粒直径为8μm。其余同实施例1-实施例24中的任意一种实施例。
实施例39、一种用于多晶硅生产领域的防止硅液漏流用坩埚托，其中所述的氮化硅材料的平均颗粒直径为5μm。其余同实施例1-实施例24中的任意一种实施例。
实施例40、一种用于多晶硅生产领域的防止硅液漏流用坩埚托，其中所述的氮化硅材料的平均颗粒直径为3μm。其余同实施例1-实施例24中的任意一种实施例。
实施例41、一种用于多晶硅生产领域的防止硅液漏流用坩埚托，其中所述的氮化硅材料的平均颗粒直径为1μm。其余同实施例1-实施例24中的任意一种实施例。
实施例42、一种用于多晶硅生产领域的防止硅液漏流用坩埚托，其中所述的氮化硅材料的平均颗粒直径为0.5μm。其余同实施例1-实施例24中的任意一种实施例。
实施例43、一种用于多晶硅生产领域的防止硅液漏流用坩埚托，其中所述的氮化硅材料的平均颗粒直径为0.1μm。其余同实施例1-实施例24中的任意一种实施例。
实施例44、一种用于多晶硅生产领域的防止硅液漏流用坩埚托，其中所述的氮化硅材料的平均颗粒直径为80nm。其余同实施例1-实施例24中的任意一种实施例。
实施例45、一种用于多晶硅生产领域的防止硅液漏流用坩埚托，其中所述的氮化硅材料的平均颗粒直径为50nm。其余同实施例1-实施例24中的任意一种实施例。
实施例46、一种用于多晶硅生产领域的防止硅液漏流用坩埚托，其中所述的氮化硅材料的平均颗粒直径为30nm。其余同实施例1-实施例24中的任意一种实施例。
实施例47、一种用于多晶硅生产领域的防止硅液漏流用坩埚托，其中所述的氮化硅材料的平均颗粒直径为10nm。其余同实施例1-实施例24中的任意一种实施例。
实施例48、一种用于多晶硅生产领域的防止硅液漏流用坩埚托，其中所述的氮化硅材料的平均颗粒直径为8nm。其余同实施例1-实施例24中的任意一种实施例。
实施例49、一种用于多晶硅生产领域的防止硅液漏流用坩埚托，其中所述的氮化硅材料的平均颗粒直径为5nm。其余同实施例1-实施例24中的任意一种实施例。
实施例50、一种用于多晶硅生产领域的防止硅液漏流用坩埚托，其中所述的氮化硅材料的平均颗粒直径为3nm。其余同实施例1-实施例24中的任意一种实施例。
实施例51、一种用于多晶硅生产领域的防止硅液漏流用坩埚托，其中所述的氮化硅材料的平均颗粒直径为1nm。其余同实施例1-实施例24中的任意一种实施例。
实施例52、一种用于多晶硅生产领域的防止硅液漏流用坩埚托，其中氮化硅材料的侧壁2与氮化硅材料的底板3可以是无缝隙的连为一体的。其余同实施例1-实施例24中的任意一种实施例。
实施例53、一种用于多晶硅生产领域的防止硅液漏流用坩埚托，其中防止硅液漏流用坩埚托由氮化硅材料的侧壁2与氮化硅材料的底板3拼接而成。其余同实施例1-实施例24中的任意一种实施例。
实施例54、一种用于多晶硅生产领域的防止硅液漏流用坩埚托，其中氮化硅材料的侧壁2由若干氮化硅材料的板材拼接而成。其余同实施例1-实施例24中的任意一种实施例。
实施例55、一种用于多晶硅生产领域的防止硅液漏流用坩埚托，其中常温状态下拼接的缝隙为0.001毫米。其余同实施例53、实施例54。
实施例56、一种用于多晶硅生产领域的防止硅液漏流用坩埚托，其中常温状态下拼接的缝隙为0.005毫米。其余同实施例53、实施例54。
实施例57、一种用于多晶硅生产领域的防止硅液漏流用坩埚托，其中常温状态下拼接的缝隙为0.01毫米。其余同实施例53、实施例54。
实施例58、一种用于多晶硅生产领域的防止硅液漏流用坩埚托，其中常温状态下拼接的缝隙为0.03毫米。其余同实施例53、实施例54。
实施例59、一种用于多晶硅生产领域的防止硅液漏流用坩埚托，其中常温状态下拼接的缝隙为0.05毫米。其余同实施例53、实施例54。
实施例60、一种用于多晶硅生产领域的防止硅液漏流用坩埚托，其中常温状态下拼接的缝隙为0.08毫米。其余同实施例53、实施例54。
实施例61、一种用于多晶硅生产领域的防止硅液漏流用坩埚托，其中常温状态下拼接的缝隙为0.1毫米。其余同实施例53、实施例54。
实施例62、一种用于多晶硅生产领域的防止硅液漏流用坩埚托，其中常温状态下拼接的缝隙为0.2毫米。其余同实施例53、实施例54。
实施例63、一种用于多晶硅生产领域的防止硅液漏流用坩埚托，其中常温状态下拼接的缝隙为0.3毫米。其余同实施例53、实施例54。
实施例64、一种用于多晶硅生产领域的防止硅液漏流用坩埚托，其中常温状态下拼接的缝隙为0.4毫米。其余同实施例53、实施例54。
实施例65、一种用于多晶硅生产领域的防止硅液漏流用坩埚托，其中常温状态下拼接的缝隙为0.5毫米。其余同实施例53、实施例54。
实施例66、一种用于多晶硅生产领域的防止硅液漏流用坩埚托，其中常温状态下拼接的缝隙为0.6毫米。其余同实施例53、实施例54。
实施例67、一种用于多晶硅生产领域的防止硅液漏流用坩埚托，其中常温状态下拼接的缝隙为0.7毫米。其余同实施例53、实施例54。
实施例68、一种用于多晶硅生产领域的防止硅液漏流用坩埚托，其中常温状态下拼接的缝隙为0.8毫米。其余同实施例53、实施例54。
实施例69、一种用于多晶硅生产领域的防止硅液漏流用坩埚托，其中常温状态下拼接的缝隙为0.9毫米。其余同实施例53、实施例54。
实施例70、一种用于多晶硅生产领域的防止硅液漏流用坩埚托，其中常温状态下拼接的缝隙为1.0毫米。其余同实施例53、实施例54。
实施例71、一种用于多晶硅生产领域的防止硅液漏流用坩埚托，其中拼接采用螺钉固定的方式。其余同实施例53、实施例54。
实施例72、一种用于多晶硅生产领域的防止硅液漏流用坩埚托，其中拼接采用相互配合的偶榫固定的方式。其余同实施例53、实施例54。
实施例73、氮化硅材料在多晶硅生产领域的防止硅液漏流用坩埚托中的应用，其中该防止硅液漏流用坩埚托由氮化硅材料的侧壁2与氮化硅材料的底板3组成，侧壁2围绕的分布在底板3的四周边缘；侧壁2与底板3共同围成一个可放置多晶硅生产领域用的石英坩埚4的下部的空腔。
实施例74、一种用于多晶硅生产领域的防止硅液漏流用坩埚托，其中侧壁2或底板3的厚度是0.1厘米。其余同实施例1-实施例73中的任意一种实施例。
实施例75、一种用于多晶硅生产领域的防止硅液漏流用坩埚托，其中侧壁2或底板3的厚度是0.2厘米。其余同实施例1-实施例73中的任意一种实施例。
实施例76、一种用于多晶硅生产领域的防止硅液漏流用坩埚托，其中侧壁2或底板3的厚度是0.3厘米。其余同实施例1-实施例73中的任意一种实施例。
实施例77、一种用于多晶硅生产领域的防止硅液漏流用坩埚托，其中侧壁2或底板3的厚度是0.4厘米。其余同实施例1-实施例73中的任意一种实施例。
实施例78、一种用于多晶硅生产领域的防止硅液漏流用坩埚托，其中侧壁2或底板3的厚度是0.5厘米。其余同实施例1-实施例73中的任意一种实施例。
实施例79、一种用于多晶硅生产领域的防止硅液漏流用坩埚托，其中侧壁2或底板3的厚度是0.8厘米。其余同实施例1-实施例73中的任意一种实施例。
实施例80、一种用于多晶硅生产领域的防止硅液漏流用坩埚托，其中侧壁2或底板3的厚度是1厘米。其余同实施例1-实施例73中的任意一种实施例。
实施例81、一种用于多晶硅生产领域的防止硅液漏流用坩埚托，其中侧壁2或底板3的厚度是2厘米。其余同实施例1-实施例73中的任意一种实施例。
实施例82、一种用于多晶硅生产领域的防止硅液漏流用坩埚托，其中侧壁2或底板3的厚度是3厘米。其余同实施例1-实施例73中的任意一种实施例。
实施例83、一种用于多晶硅生产领域的防止硅液漏流用坩埚托，其中侧壁2或底板3的厚度是4厘米。其余同实施例1-实施例73中的任意一种实施例。
实施例84、一种用于多晶硅生产领域的防止硅液漏流用坩埚托，其中侧壁2或底板3的厚度是5厘米。其余同实施例1-实施例73中的任意一种实施例。
实施例85、一种用于多晶硅生产领域的防止硅液漏流用坩埚托，其中侧壁2或底板3的厚度是6厘米。其余同实施例1-实施例73中的任意一种实施例。
实施例86、一种用于多晶硅生产领域的防止硅液漏流用坩埚托，其中侧壁2或底板3的厚度是7厘米。其余同实施例1-实施例73中的任意一种实施例。
实施例87、一种用于多晶硅生产领域的防止硅液漏流用坩埚托，其中侧壁2或底板3的厚度是8厘米。其余同实施例1-实施例73中的任意一种实施例。
实施例88、一种用于多晶硅生产领域的防止硅液漏流用坩埚托，其中侧壁2或底板3的厚度是9厘米。其余同实施例1-实施例73中的任意一种实施例。
实施例89、一种用于多晶硅生产领域的防止硅液漏流用坩埚托，其中侧壁2或底板3的厚度是10厘米。其余同实施例1-实施例73中的任意一种实施例。
实施例90、一种用于多晶硅生产领域的防止硅液漏流用坩埚托，其中添加剂是金属氧化物。其余同实施例1-实施例24中的任意一种实施例。
实施例91、一种用于多晶硅生产领域的防止硅液漏流用坩埚托，其中添加剂是稀土金属氧化物。其余同实施例1-实施例24中的任意一种实施例。
实施例92、一种用于多晶硅生产领域的防止硅液漏流用坩埚托，其中添加剂是稀土金属氧化物与金属氧化物的混合。其余同实施例1-实施例24中的任意一种实施例。
实施例93、一种用于多晶硅生产领域的防止硅液漏流用坩埚托，其中添加剂是MgO。其余同实施例1-实施例24中的任意一种实施例。
实施例94、一种用于多晶硅生产领域的防止硅液漏流用坩埚托，其中添加剂是Al2O3。其余同实施例1-实施例24中的任意一种实施例。
实施例95、一种用于多晶硅生产领域的防止硅液漏流用坩埚托，其中添加剂是La2O3。其余同实施例1-实施例24中的任意一种实施例。
实施例96、一种用于多晶硅生产领域的防止硅液漏流用坩埚托，其中添加剂是Sm2O3。其余同实施例1-实施例24中的任意一种实施例。
实施例97、一种用于多晶硅生产领域的防止硅液漏流用坩埚托，其中添加剂是Nd2O3。其余同实施例1-实施例24中的任意一种实施例。
实施例98、一种用于多晶硅生产领域的防止硅液漏流用坩埚托，其中添加剂是Yb2O3。其余同实施例1-实施例24中的任意一种实施例。
实施例99、一种用于多晶硅生产领域的防止硅液漏流用坩埚托，其中添加剂是CeO2。其余同实施例1-实施例24中的任意一种实施例。
实施例100、一种用于多晶硅生产领域的防止硅液漏流用坩埚托，其中添加剂是Y2O3。其余同实施例1-实施例24中的任意一种实施例。
实施例101、一种用于多晶硅生产领域的防止硅液漏流用坩埚托，其中添加剂是Y2O3与Al2O3的混合。其余同实施例1-实施例24中的任意一种实施例。
实施例102、一种用于多晶硅生产领域的防止硅液漏流用坩埚托，其中添加剂是MgO与CeO2的混合。其余同实施例1-实施例24中的任意一种实施例。
实施例103、一种用于多晶硅生产领域的防止硅液漏流用坩埚托，其中添加剂是Yb2O3与MgO的混合。其余同实施例1-实施例24中的任意一种实施例。
权利要求
1、一种用于多晶硅生产领域的防止硅液漏流用坩埚托，该防止硅液漏流用坩埚托由侧壁(2)与底板(3)组成，侧壁(2)围绕的分布在底板(3)的四周边缘；侧壁(2)与底板(3)共同围成一个可放置多晶硅生产领域用的石英坩埚(4)的下部的空腔，其特征在于侧壁(2)或底板(3)采用的材料是下列重量百分配比的材料组成氮化硅材料80-100％，添加剂20-0％。
2、如权利要求1所述的一种防止硅液漏流用坩埚托，其特征在于所述的氮化硅材料的平均颗粒直径为1nm-10mm。
3、如权利要求1所述的一种防止硅液漏流用坩埚托，其特征在于氮化硅材料的侧壁(2)与氮化硅材料的底板(3)可以是无缝隙的连为一体的。
4、如权利要求1所述的一种防止硅液漏流用坩埚托，其特征在于防止硅液漏流用坩埚托由氮化硅材料的侧壁(2)与氮化硅材料的底板(3)拼接而成。
5、如权利要求1所述的一种防止硅液漏流用坩埚托，其特征在于氮化硅材料的侧壁(2)由若干氮化硅材料的板材拼接而成。
6、如权利要求4或5所述的一种防止硅液漏流用坩埚托，其特征在于常温状态下拼接的缝隙为0.001-1.0毫米。
7、如权利要求4或5所述的一种防止硅液漏流用坩埚托，其特征在于拼接采用螺钉固定的方式。
8、如权利要求4或5所述的一种防止硅液漏流用坩埚托，其特征在于拼接采用相互配合的偶榫固定的方式。
9、如权利要求1-8所述的任意一种防止硅液漏流用坩埚托，其特征在于侧壁(2)或底板(3)的厚度是0.1-10厘米。
10、氮化硅材料在多晶硅生产领域的防止硅液漏流用坩埚托中的应用，其特征在于该防止硅液漏流用坩埚托由氮化硅材料的侧壁(2)与氮化硅材料的底板(3)组成，侧壁(2)围绕的分布在底板(3)的四周边缘；侧壁(2)与底板(3)共同围成一个可放置多晶硅生产领域用的坩埚的下部的空腔。
全文摘要
本发明涉及太阳能或光伏领域中的防止硅液漏流用坩埚托，特别是用于多晶硅生产领域的防止硅液漏流用坩埚托。一种用于多晶硅生产领域的防止硅液漏流用坩埚托，该防止硅液漏流用坩埚托由侧壁2与底板3组成，侧壁2围绕的分布在底板3的四周边缘；侧壁2与底板3共同围成一个可放置多晶硅生产领域用的石英坩埚4的下部的空腔，其特征在于侧壁2或底板3采用的材料是下列重量百分配比的材料组成氮化硅材料80-100％，添加剂20-0％，本发明提供的防止硅液漏流用坩埚托能够很好的解决现有的硅液漏流的技术问题。
文档编号C01B33/00GK101602505SQ20091011570
公开日2009年12月16日 申请日期2009年7月16日 优先权日2009年7月16日
发明者万跃鹏 申请人:江西赛维Ldk太阳能高科技有限公司