1.多晶硅生产工艺，包括将精三氯氢硅和氢气按比例混合作为原料通入CVD还原炉主炉，其特征在于：
首先原料依次通过鼓泡汽化器、出入气换热器和CVD还原炉主炉；
然后将精三氯氢硅和二氯二氢硅按比例混合作为辅料通过氯硅烷汽化器生产辅料气体；
经过鼓泡汽化器生成的原料气体在CVD还原炉主炉内的硅芯表面发生反应生成多晶硅，其副产物为中间尾气；
中间尾气与经过氯硅烷汽化器生成的辅料气体在静态混合器中混合后，再通入CVD还原炉辅炉；
中间尾气与辅料气体在CVD还原炉辅炉内的硅芯表面发生反应生成多晶硅，其副产物为终极尾气；
终极尾气与通入CVD还原炉主炉的原料气体在出入气换热器内换热后再通入还原尾气回收系统。
2.如权利要求1所述的多晶硅的生产工艺，其特征在于：所述进入CVD还原炉主炉的氢气与精三氯氢硅摩尔比为4-3:1。
3.如权利要求1所述的多晶硅生产工艺，其特征在于：所述向CVD还原炉辅炉补充的辅料中精三氯氢硅和二氯二氢硅的比例在25-0:1。
4.如权利要求2所述的多晶硅生产工艺，其特征在于：所述进入CVD还原炉主炉的氢气与精三氯氢硅摩尔比为4:1，CVD还原炉主炉的原料气体的进气量从219m/h逐渐提高至32875m/h，CVD还原炉主炉的原料气体的进气温度从54℃逐步增加至343℃。
5.如权利要求2所述的多晶硅生产工艺，其特征在于：所述进入CVD还原炉主炉的氢气与精三氯氢硅摩尔比为3:1，CVD还原炉主炉的原料气体的进气量从175m/h逐渐提高至32300m/h，CVD还原炉主炉的原料气体的进气温度从51℃逐步增加至313℃。
6.如权利要求2所述的多晶硅生产工艺，其特征在于：所述进入CVD还原炉主炉的氢气与精三氯氢硅摩尔比为3.5:1，CVD还原炉主炉的原料气体的进气量从197m/h逐渐提高至32587.5m/h，CVD还原炉主炉的原料气体的进气温度从53℃逐步增加至331℃。
7.如权利要求4所述的多晶硅生产工艺，其特征在于：所述向CVD还原炉辅炉补充的辅料中精三氯氢硅和二氯二氢硅的比例在25:1，终极尾气中的二氯二氢硅占终极尾气的百分比为2%。
8.如权利要求4所述的多晶硅生产工艺，其特征在于：所述向CVD还原炉辅炉补充的辅料中精三氯氢硅和二氯二氢硅的比例在20:1，终极尾气中的二氯二氢硅占终极尾气的百分比为4%。
9.如权利要求4所述的多晶硅生产工艺，其特征在于：所述向CVD还原炉辅炉补充的辅料中精三氯氢硅和二氯二氢硅的比例在22:1，终极尾气中的二氯二氢硅占终极尾气的百分比为2.8%。
10.如权利要求4所述的多晶硅生产工艺，其特征在于：所述向CVD还原炉辅炉补充的辅料中精三氯氢硅和二氯二氢硅的比例在0:1，终极尾气中的二氯二氢硅占终极尾气的百分比为1.5-3.5%。