本发明涉及一种玻璃加工工艺，具体涉及一种镀膜玻璃的生产工艺。
背景技术：
现有最常用的玻璃镀膜方法通常采用拉提法，即将清洗好的玻璃浸入盛满镀膜液的容器中，利用机械牵引力将浸泡后的玻璃匀速拉提出来，流平之后在玻璃表面形成一层膜层，固化后形成镀膜玻璃。拉提法玻璃镀膜生产不规范，玻璃覆膜的光泽度和平滑度不够，玻璃表面会起泡、起皱和脱落等问题，效率也低、产品质量不牢靠。
技术实现要素：
本发明的目的是克服以上背景技术中提出的不足，提供一种能显著的提高了玻璃覆膜的光泽度和平滑度，改善玻璃覆膜由于生产不规范引起的易起泡、起皱和脱落问题，工艺流程简单，提高了生产效率，降低了生产成本的镀膜玻璃的生产工艺。
本发明的目的是通过以下技术方案实现的：一种镀膜玻璃的生产方法，它包括以下步骤：
1)前期准备工作：用HA－04、P－90或B－13在内的有机溶剂对光学零件表面进行湿润、渗透，有机溶剂的pH一般为8.5～12浓度为15％，在40～60℃超声波清洗；漂洗:通过纯水对光学零件表面的冲洗及超声作用，使洗涤后残留在光学零件表面的洗涤剂溶解、稀释和去除；脱水:经漂洗后的光学零件表面含有大量水分，进入有机溶剂的脱水剂中进行脱水，和水能充分混溶；甩干：甩干机可以将清洗后的产品进行快速甩干，采用PLC电路和变频器程序控制，通过空气过滤装置将净化的空气送入设备内部以提高干燥的效率，防止二次污染；
2)在玻璃基片表面沉积一层或多层功能膜系层；层功能膜系层为可钢化低辐射膜系层，低辐射膜系层的最外层为电介质层，电介质层最外层为SnO、SiO、AlZnO，SiO，电介质层最外层的厚度较佳为10～40nm；该镀膜膜系结构包括：第一氧化铝层、形成在该第一氧化铝层上的第一钛酸镧层、形成在该第一钛酸镧层上的镍铬膜层、形成在该镍铬膜层上的第二钛酸镧层、形成在该第二钛酸镧层上的镍铬膜层、形成在该镍铬膜层上的第三钛酸镧层、形成在该第三钛酸镧层上的第二氧化铝层、形成在该第二氧化铝层上的第四钛酸镧层及形成在该第四钛酸镧层上的氟化镁层；该第一氧化铝层的膜厚为20～50nm；该第一钛酸镧层的膜厚为10～30nm；该镍铬膜层的膜厚为100～140nm；该第二钛酸镧层的膜厚为10～30nm；该第三氧化铝层的膜厚为20～50nm；该第三钛酸镧层的膜厚为40～70nm；该第四氧化铝层的膜厚为20～50nm；该第四钛酸镧层的膜厚为20～50nm；该氟化镁层的膜厚为100～140nm。
作为优选，在一层或多层功能膜系层表面沉积一层锆混合掺杂膜层，锆混合掺杂膜层的材料为SiN x和ZrSiOx N y的混合物，该混合物中SiN x所占重量比为58％～63％，锆混合掺杂膜层的最佳厚度为15～20nm。
作为优选，膜系层的沉积方式为磁控溅射沉积，磁控溅射沉积是在真空级数为0.1Pa级的工作气氛下，N/O比例不超过8的条件下进行的。
作为优选，氩2 2气流量为500sccm、氧气流量为100sccm、氮气流量为600sccm。
本发明的有益效果如下：
本发明所述方法得到的金属薄膜均匀并且附着力好，增强了产品表面电镀层的耐磨性；其次，本发明将镀好金属薄膜的金属件进行阳极氧化处理，使得镀膜氧化后的色彩丰富，耐腐蚀性能好，提高了金属件的整体强度，且该工艺对环境无污染。
具体实施方式
下面对本发明作进一步的详细说明。
实施例1
用HA－04、P－90或B－13在内的有机溶剂对光学零件表面进行湿润、渗透，有机溶剂的pH一般为8.5～12浓度为15％，在40～60℃超声波清洗；漂洗:通过纯水对光学零件表面的冲洗及超声作用，使洗涤后残留在光学零件表面的洗涤剂溶解、稀释和去除；脱水:经漂洗后的光学零件表面含有大量水分，进入有机溶剂的脱水剂中进行脱水，和水能充分混溶；甩干：甩干机可以将清洗后的产品进行快速甩干，采用PLC电路和变频器程序控制，通过空气过滤装置将净化的空气送入设备内部以提高干燥的效率，防止二次污染；
在玻璃基片表面沉积一层或多层功能膜系层；层功能膜系层为可钢化低辐射膜系层，低辐射膜系层的最外层为电介质层，电介质层最外层为SnO、SiO、AlZnO，SiO，电介质层最外层的厚度较佳为10～40nm；该镀膜膜系结构包括：第一氧化铝层、形成在该第一氧化铝层上的第一钛酸镧层、形成在该第一钛酸镧层上的镍铬膜层、形成在该镍铬膜层上的第二钛酸镧层、形成在该第二钛酸镧层上的镍铬膜层、形成在该镍铬膜层上的第三钛酸镧层、形成在该第三钛酸镧层上的第二氧化铝层、形成在该第二氧化铝层上的第四钛酸镧层及形成在该第四钛酸镧层上的氟化镁层；该第一氧化铝层的膜厚为20～50nm；该第一钛酸镧层的膜厚为10～30nm；该镍铬膜层的膜厚为100～140nm；该第二钛酸镧层的膜厚为10～30nm；该第三氧化铝层的膜厚为20～50nm；该第三钛酸镧层的膜厚为40～70nm；该第四氧化铝层的膜厚为20～50nm；该第四钛酸镧层的膜厚为20～50nm；该氟化镁层的膜厚为100～140nm。
在一层或多层功能膜系层表面沉积一层锆混合掺杂膜层，锆混合掺杂膜层的材料为SiN x和ZrSiOx N y的混合物，该混合物中SiN x所占重量比为58％～63％，锆混合掺杂膜层的最佳厚度为15～20nm。
膜系层的沉积方式为磁控溅射沉积，磁控溅射沉积是在真空级数为0.1Pa级的工作气氛下，N/O比例不超过8的条件下进行的。氩2 2气流量为500sccm、氧气流量为100sccm、氮气流量为600sccm。
所述真空镀膜方法，按以下步骤进行：
1)抽真空：启动抽真空系统，控制真空室的真空度达到3×10-3Pa-5×10-3Pa；
2)金属件预热：开启加热器将真空室内的金属件加热至70℃以上，使得金属件表面的金属原子结构发生改变，使得金属原子处于活跃状态；
3)向真空室内通入惰性气体，气压控制在0.5-2Pa之间；
4)采用如下两种方式中的任意一种释放金属离子：
a、在真空室内设置金属靶材，在金属靶材上施加大于200V的负电压，使得金属靶材释放出金属离子；
b、在真空室内设置金属膜料，采用电子枪对着金属膜料射击，使得金属膜料释放出金属离子；电子枪的输出功率为4-30KW；
5)金属离子被释放出的同时放出能量，发生辉光放电，产生等离子体；等离子体内的金属离子在电场的作用下向金属件加速，与金属件表面冲撞后，金属件上的金属离子被溅出来，使得等离子体内的金属离子替换掉金属件上被溅出的金属离子、并沉积于金属件表面上形成一层金属薄膜。
在步骤2)中，所述金属件为铝材料，所述金属靶材为铝材料；镀膜工艺参数如下：真空度为3×10-3Pa-5×10-3Pa，金属件预热温度为70-150℃，施加于金属靶材上的负电压为200-1000V，沉积时间为50-120分钟，金属薄膜的厚度为50μm-80μm。
应当理解的是，对本领域普通技术人员来说，可以根据上述说明加以改进或变换，而所有这些改进和变换都应属于本发明所附权利要求的保护范围。上述实施例只为说明本发明的技术构思及特点，其目的在于让熟悉此领域技术的人士能够了解本发明的内容并加以实施，并不能以此限制本发明的保护范围，凡根据本发明精神实质所作的等效变化或修饰，效果相似，都应涵盖在本发明的保护范围内。