1.一种碳化硅单晶，是包含晶种和在晶种上生长出的生长晶体的碳化硅单晶，其特征在于，所述生长晶体的至少晶种附近区域，杂质添加元素浓度为2×1019cm-3以上、6×1020cm-3以下，并且，在晶种与生长晶体的界面前后的杂质添加元素浓度较高者与较低者之比即高浓度侧晶体的浓度/低浓度侧晶体的浓度为5倍以内。
2.根据权利要求1所述的碳化硅单晶，其特征在于，所述晶种附近区域是从晶种与生长晶体的界面起向着生长晶体侧厚度为0.5mm以内的区域。
3.根据权利要求1或2所述的碳化硅单晶，其特征在于，所述杂质添加元素浓度较高者与较低者之比为2倍以内。
4.根据权利要求1～3的任一项所述的碳化硅单晶，其特征在于，所述杂质添加元素浓度较高者与较低者之比为1.5倍以内。
5.根据权利要求1～4的任一项所述的碳化硅单晶，其特征在于，所述晶种附近区域的杂质添加元素浓度为5×1019cm-3以上、6×1020cm-3以下。
6.根据权利要求1～5的任一项所述的碳化硅单晶，其特征在于，所述晶种附近区域的杂质添加元素浓度为1×1020cm-3以上、6×1020cm-3以下。
7.根据权利要求1～6的任一项所述的碳化硅单晶，其特征在于，所述杂质添加元素为氮。
8.根据权利要求1～7的任一项所述的碳化硅单晶，其特征在于，主要的多型为4H。
9.根据权利要求1～8的任一项所述的碳化硅单晶，其中，在由将晶种附近区域除去的生长晶体加工成的{0001}面8°偏移晶片中观察到的起因于各种位错的蚀坑密度的合计为1×104cm-2以下，并且微管的密度为10个cm-2以下。
10.根据权利要求1～9的任一项所述的碳化硅单晶，其中，在由将晶种附近区域除去的生长晶体加工成的{0001}面8°偏移晶片中观察到的起因于各种位错的蚀坑密度的合计为5×103cm-2以下，并且微管的密度为5个cm-2以下。
11.一种碳化硅单晶晶片，是加工权利要求1～10的任一项所述的碳化硅单晶的将晶种附近区域除去的生长晶体而成的碳化硅单晶晶片，其特征在于，口径为75mm以上、300mm以下，除去了边缘去除区域的多型为4H。