技术总结
本发明提供一种优质的碳化硅单晶以及碳化硅单晶晶片，所述碳化硅单晶，其位错和微管等的晶体缺陷的密度低，在应用于器件时成品率高并可发挥高的性能，在晶种与生长晶体的界面的生长方向的前后的杂质添加元素浓度之比为5倍以内，并且，晶种附近的生长晶体的杂质添加元素浓度为2×1019cm‑3以上、6×1020cm‑3以下。
技术研发人员：中林正史;藤本辰雄;胜野正和;柘植弘志
受保护的技术使用者：新日铁住金株式会社
文档号码：201610843180
技术研发日：2009.10.14
技术公布日：2017.02.22