一种一步合成水溶性g‑C3N4材料的制备方法与流程

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一种一步合成水溶性g‑C3N4材料的制备方法与流程

本发明涉及一种一步合成水溶性g-C3N4材料的制备方法,属于材料合成和环境监测领域。



背景技术:

C3N4材料是新型功能材料家族中极受瞩目的一类,通常情况下,g-C3N4材料是其最稳定的同素异形体。g-C3N4材料由有序的三嗪环结构连接堆叠,形成石墨状的层状结构。g-C3N4材料由于其半导体特性引起了科研工作者极大的兴趣,其在光催化和光解制氢领域的应用极具潜力。g-C3N4的电子能带结构和能带间隙取决于材料的聚合程度,而能带间隙可以通过质子化工艺或者掺杂金属阳离子进行调节,正由于金属阳离子可以调节能带间隙,从而可以调节其光致发光特性,为g-C3N4材料应用于金属离子传感器领域奠定了基础。

光学传感器属于分子受体,通过其他离子与其发生键合改变其光学特性。光学传感系统得益于其高灵敏度检测、快速的检测能力、生物相容性以及温和的检测条件。光学传感器有一个非常重要的应用就是用于监测微量金属离子。在工业领域里,大量有毒的、致癌的金属离子直接被排放到环境中,因而人们需要从生物和环境的角度对这些金属离子进行监测。大多数监测金属离子光学传感器材料含有偶氮环、卟啉及临二氮杂菲衍生物。这些分子受体表面的路易斯位点可以与金属离子形成极强的键合,电子从受体表面的发光基团转移到金属离子,通过发光强度的变化,定性、半定性检测金属离子。近年来,介孔材料的发展提升了传感材料的性能,通过增大比表面积吸附更多的荧光分子从而达到更低的检出限。相比之下,g-C3N4材料更有应用的前景。由于g-C3N4的电子结构可以通过质子化和掺杂金属进行调节,而且通过功能基团螯合可以更多的吸附金属离子,从而有更高的金属离子检测灵敏度。



技术实现要素:

本发明的目的是提供一种绿色环保、简易可控的水溶性g-C3N4材料制备方法,本发明的方法采用熔盐环境制备,可以有效调控g-C3N4纳米片的微观厚度和表面电位,从而保证其良好的水溶性;本发明的方法制备的g-C3N4材料具有良好的微量金属离子检出性能。

一种一步合成水溶性g-C3N4材料的制备方法,包括如下步骤:

(1)将三聚氰胺或双氰胺的一种与氯化钠、氯化钾混合均匀并加入蒸馏水,在60~90℃进行恒温水浴搅拌;

(2)将步骤(1)浆料进行旋转蒸发处理,干燥后在空气中650~690℃煅烧,保温1-4小时,煅烧升温速率为2℃/min~10℃/min,即得所述水溶性g-C3N4材料;

(3)将步骤(2)所得g-C3N4材料用异丙醇提纯三遍。

步骤(1)中,所述三聚氰胺或双氰胺与氯化钠、氯化钾的摩尔比为1:(0.5~4):(0.5~4),优选1:1:1。

步骤(1)中,所述水浴处理温度为60~90℃,优选恒温时间为0.5~2小时。

步骤(2)中,煅烧温度为650~690℃,优选670℃,煅烧升温速率为2℃/min~10℃/min,优选升温速率为5℃/min,步骤(2)煅烧的保温时间为2小时。

本发明提供的g-C3N4材料具有良好的水溶性及微量金属离子检测性能,可用于多种金属离子的检测吸收,并且均具有良好的效果;本发明提供的制备方法,其原料价廉、工艺简单,具有很高的应用前景和实用价值。

附图说明

图1为实施例3中g-C3N4样品的XRD谱图;

图2为实施例3中制备的g-C3N4的TEM图;

图3为实施例3中g-C3N4样品检测各种金属离子的PL谱图;

图4为实施例3中g-C3N4样品检测金属离子荧光淬灭率谱图;

图5为实施例3中制备得到的g-C3N4材料检测不同浓度Fe3+PL谱图;

图6为实施例3中制备得到的g-C3N4材料数码照片;

图7为实施例3中制备得到的g-C3N4材料水溶性质数码照片。

具体实施方式

下面结合实施例对本发明做进一步说明,但本发明并不限于以下实施例。

实验例1:

取三聚氰胺0.06mol,将其与0.03mol NaCl、0.03mol KCl溶解在蒸馏水中,60℃水浴搅拌0.5h,然后将混合物转入茄型瓶进行旋转蒸发处理,干燥后将粉末置于坩埚中,用铝箔纸将坩埚包裹严密,置于马弗炉中在空气气氛下650℃煅烧,升温速率为2℃/min,保温2h后自然冷却,所得粉末即为水溶性g-C3N4材料,将所得g-C3N4材料用异丙醇提纯三遍,记为CNMS-1。取Cd2+,Co2+,Cr3+,Cu2+,Fe2+,Ni2+,Zn2+,Hg2+,Pb2+,作为金属离子目标检测物,取g-C3N4材料(CNMS-1)5mg加入到5ml浓度为1mM的金属离子溶液中,搅拌0.5h,使之达到吸附平衡,吸附平衡过程后,将溶液注入四通比色皿中置于荧光光谱仪中测试其荧光强度,根据式1-(C/C0)计算其荧光淬灭率。其中C为加入金属离子后溶液的荧光强度,C0为原始g-C3N4溶液的荧光强度,。

实验例2:

取三聚氰胺0.06mol,将其与0.045mol NaCl、0.045mol KCl溶解在蒸馏水中,60℃水浴搅拌2h,然后将混合物转入茄型瓶进行旋转蒸发处理,干燥后将粉末置于坩埚中,用铝箔纸将坩埚包裹严密,置于马弗炉中在空气气氛下650℃煅烧,升温速率为10℃/min,保温2h后自然冷却,所得粉末即为水溶性g-C3N4材料,将所得g-C3N4材料用异丙醇提纯三遍,记为CNMS-2。取Cd2+,Co2+,Cr3+,Cu2+,Fe2+,Ni2+,Zn2+,Hg2+,Pb2+,作为金属离子目标检测物,取g-C3N4材料(CNMS-2)5mg加入到5ml浓度为1mM的金属离子溶液中,搅拌0.5h,使之达到吸附平衡,吸附平衡过程后,将溶液注入四通比色皿中置于荧光光谱仪中测试其荧光强度,根据式1-(C/C0)计算其荧光淬灭率。其中C为加入金属离子后溶液的荧光强度,C0为原始g-C3N4溶液的荧光强度。

实验例3:

取三聚氰胺0.06mol,将其与0.06mol NaCl、0.06mol KCl溶解在蒸馏水中,80℃水浴搅拌1h,然后将混合物转入茄型瓶进行旋转蒸发处理,干燥后将粉末置于坩埚中,用铝箔纸将坩埚包裹严密,置于马弗炉中在空气气氛下670℃煅烧,升温速率为5℃/min,保温2h后自然冷却,所得粉末即为水溶性g-C3N4材料,将所得g-C3N4材料用异丙醇提纯三遍,记为CNMS-3。取Cd2+,Co2+,Cr3+,Cu2+,Fe2+,Ni2+,Zn2+,Hg2+,Pb2+,作为金属离子目标检测物,取g-C3N4材料(CNMS-3)5mg加入到5ml浓度为1mM的金属离子溶液中,搅拌0.5h,使之达到吸附平衡,吸附平衡过程后,将溶液注入四通比色皿中置于荧光光谱仪中测试其荧光强度,根据式1-(C/C0)计算其荧光淬灭率。其中C为加入金属离子后溶液的荧光强度,C0为原始g-C3N4溶液的荧光强度。

实验例4:

取三聚氰胺0.06mol,将其与0.09mol NaCl、0.09mol KCl溶解在蒸馏水中,90℃水浴搅拌0.5h,然后将混合物转入茄型瓶进行旋转蒸发处理,干燥后将粉末置于坩埚中,用铝箔纸将坩埚包裹严密,置于马弗炉中在空气气氛下690℃煅烧,升温速率为2℃/min,保温2h后自然冷却,所得粉末即为水溶性g-C3N4材料,将所得g-C3N4材料用异丙醇提纯三遍,记为CNMS-4。取Cd2+,Co2+,Cr3+,Cu2+,Fe2+,Ni2+,Zn2+,Hg2+,Pb2+,作为金属离子目标检测物,取g-C3N4材料(CNMS-4)5mg加入到5ml浓度为1mM的金属离子溶液中,搅拌0.5h,使之达到吸附平衡,吸附平衡过程后,将溶液注入四通比色皿中置于荧光光谱仪中测试其荧光强度,根据式1-(C/C0)计算其荧光淬灭率。其中C为加入金属离子后溶液的荧光强度,C0为原始g-C3N4溶液的荧光强度。

实验例5:

取三聚氰胺0.06mol,将其与0.24mol NaCl、0.24mol KCl溶解在蒸馏水中,90℃水浴搅拌2h,然后将混合物转入茄型瓶进行旋转蒸发处理,干燥后将粉末置于坩埚中,用铝箔纸将坩埚包裹严密,置于马弗炉中在空气气氛下690℃煅烧,升温速率为10℃/min,保温2h后自然冷却,所得粉末即为水溶性g-C3N4材料,将所得g-C3N4材料用异丙醇提纯三遍,记为CNMS-5。取Cd2+,Co2+,Cr3+,Cu2+,Fe2+,Ni2+,Zn2+,Hg2+,Pb2+,作为金属离子目标检测物,取g-C3N4材料(CNMS-5)5mg加入到5ml浓度为1mM的金属离子溶液中,搅拌0.5h,使之达到吸附平衡,吸附平衡过程后,将溶液注入四通比色皿中置于荧光光谱仪中测试其荧光强度,根据式1-(C/C0)计算其荧光淬灭率。其中C为加入金属离子后溶液的荧光强度,C0为原始g-C3N4溶液的荧光强度。

实验例6:

取双氰胺0.06mol,将其与0.03mol NaCl、0.03mol KCl溶解在蒸馏水中,60℃水浴搅拌0.5h,然后将混合物转入茄型瓶进行旋转蒸发处理,干燥后将粉末置于坩埚中,用铝箔纸将坩埚包裹严密,置于马弗炉中在空气气氛下690℃煅烧,升温速率为2℃/min,保温2h后自然冷却,所得粉末即为水溶性g-C3N4材料,记为CNMS-6。取Cd2+,Co2+,Cr3+,Cu2+,Fe2+,Ni2+,Zn2+,Hg2+,Pb2+,将所得g-C3N4材料用异丙醇提纯三遍,作为金属离子目标检测物,取g-C3N4材料(CNMS-6)5mg加入到5ml浓度为1mM的金属离子溶液中,搅拌0.5h,使之达到吸附平衡,吸附平衡过程后,将溶液注入四通比色皿中置于荧光光谱仪中测试其荧光强度,根据式1-(C/C0)计算其荧光淬灭率。其中C为加入金属离子后溶液的荧光强度,C0为原始g-C3N4溶液的荧光强度。

实验例7:

取双氰胺0.06mol,将其与0.06mol NaCl、0.06mol KCl溶解在蒸馏水中,60℃水浴搅拌2h,然后将混合物转入茄型瓶进行旋转蒸发处理,干燥后将粉末置于坩埚中,用铝箔纸将坩埚包裹严密,置于马弗炉中在空气气氛下680℃煅烧,升温速率为10℃/min,保温2h后自然冷却,所得粉末即为水溶性g-C3N4材料,将所得g-C3N4材料用异丙醇提纯三遍,记为CNMS-7。取Cd2+,Co2+,Cr3+,Cu2+,Fe2+,Ni2+,Zn2+,Hg2+,Pb2+,作为金属离子目标检测物,取g-C3N4材料(CNMS-7)5mg加入到5ml浓度为1mM的金属离子溶液中,搅拌0.5h,使之达到吸附平衡,吸附平衡过程后,将溶液注入四通比色皿中置于荧光光谱仪中测试其荧光强度,根据式1-(C/C0)计算其荧光淬灭率。其中C为加入金属离子后溶液的荧光强度,C0为原始g-C3N4溶液的荧光强度。

实验例8:

取双氰胺0.06mol,将其与0.12mol NaCl、0.12mol KCl溶解在蒸馏水中,60℃水浴搅拌1h,然后将混合物转入茄型瓶进行旋转蒸发处理,干燥后将粉末置于坩埚中,用铝箔纸将坩埚包裹严密,置于马弗炉中在空气气氛下670℃煅烧,升温速率为5℃/min,保温2h后自然冷却,所得粉末即为水溶性g-C3N4材料,将所得g-C3N4材料用异丙醇提纯三遍,记为CNMS-8。取Cd2+,Co2+,Cr3+,Cu2+,Fe2+,Ni2+,Zn2+,Hg2+,Pb2+,作为金属离子目标检测物,取g-C3N4材料(CNMS-8)5mg加入到5ml浓度为1mM的金属离子溶液中,搅拌0.5h,使之达到吸附平衡,吸附平衡过程后,将溶液注入四通比色皿中置于荧光光谱仪中测试其荧光强度,根据式1-(C/C0)计算其荧光淬灭率。其中C为加入金属离子后溶液的荧光强度,C0为原始g-C3N4溶液的荧光强度。

实验例9:

取双氰胺0.06mol,将其与0.18mol NaCl、0.18mol KCl溶解在蒸馏水中,60℃水浴搅拌0.5h,然后将混合物转入茄型瓶进行旋转蒸发处理,干燥后将粉末置于坩埚中,用铝箔纸将坩埚包裹严密,置于马弗炉中在空气气氛下670℃煅烧,升温速率为2℃/min,保温2h后自然冷却,所得粉末即为水溶性g-C3N4材料,将所得g-C3N4材料用异丙醇提纯三遍,记为CNMS-9。取Cd2+,Co2+,Cr3+,Cu2+,Fe2+,Ni2+,Zn2+,Hg2+,Pb2+,作为金属离子目标检测物,取g-C3N4材料(CNMS-9)5mg加入到5ml浓度为1mM的金属离子溶液中,搅拌0.5h,使之达到吸附平衡,吸附平衡过程后,将溶液注入四通比色皿中置于荧光光谱仪中测试其荧光强度,根据式1-(C/C0)计算其荧光淬灭率。其中C为加入金属离子后溶液的荧光强度,C0为原始g-C3N4溶液的荧光强度。

实验例10:

取双氰胺0.06mol,将其与0.24mol NaCl、0.24mol KCl溶解在蒸馏水中,60℃水浴搅拌2h,然后将混合物转入茄型瓶进行旋转蒸发处理,干燥后将粉末置于坩埚中,用铝箔纸将坩埚包裹严密,置于马弗炉中在空气气氛下670℃煅烧,升温速率为10℃/min,保温2h后自然冷却,所得粉末即为水溶性g-C3N4材料,将所得g-C3N4材料用异丙醇提纯三遍,记为CNMS-10。取Cd2+,Co2+,Cr3+,Cu2+,Fe2+,Ni2+,Zn2+,Hg2+,Pb2+,作为金属离子目标检测物,取g-C3N4材料(CNMS-10)5mg加入到5ml浓度为1mM的金属离子溶液中,搅拌0.5h,使之达到吸附平衡,吸附平衡过程后,将溶液注入四通比色皿中置于荧光光谱仪中测试其荧光强度,根据式1-(C/C0)计算其荧光淬灭率。其中C为加入金属离子后溶液的荧光强度,C0为原始g-C3N4溶液的荧光强度。

其中实施例3的g-C3N4样品的XRD谱图见图1,TEM图见图2,实施例3的g-C3N4样品检测各种金属离子的PL谱图见图3;实施例3的g-C3N4样品检测金属离子荧光淬灭率谱图见图4,本发明其他实施例中的g-C3N4样品对Co2+,Cr3+,Cu2+,Fe2+,Ni2+金属离子荧光淬灭率也基本高于90%;g-C3N4材料检测不同浓度Fe3+PL谱图见图5;g-C3N4材料数码照片见图6;g-C3N4材料水溶性质数码照片见图7。

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