技术总结
本发明公开了一种基于VGF法的InP晶体生长炉，属于半导体晶体生长设备技术领域。本发明所述InP晶体生长炉包括：炉底座，炉壁，且炉底座与炉壁形成密闭空间，在炉底座开设通气口，在炉底座上表面固定连接有坩埚托，在坩埚托上方放置有坩埚，在坩埚托与坩埚外侧同轴放置有无底面的隔离筒，在隔离筒外周垂直方向间隔设置有多段加热元件，每段加热元件均固定有电极安装座，加热电极通过电极安装座与加热元件连接，并延伸至炉底座外部，且在每段加热元件底部均固定连接有加热器安装板。本发明中加热器安装板阻隔相邻加热元件之间的热对流及热辐射，使加热元件的加热温度保持稳定。
技术研发人员：杨翠柏;方聪;陈丙振
受保护的技术使用者：北京鼎泰芯源科技发展有限公司
文档号码：201611122124
技术研发日：2016.12.08
技术公布日：2017.03.22