技术总结
针对现有技术中存在的上述问题，本发明提供了一种颗粒状碳化硅单晶的生长方法，通过使用多孔石墨板上涂覆高碳含量聚合物，在聚合物表面均匀布置小颗粒SiC籽晶，将多孔石墨板非涂覆面固定在石墨坩埚上盖上，SiC粉料放于石墨坩埚底部，坩埚上盖与SiC粉料相对放置，石墨坩埚放入感应加热炉中进行SiC单晶生长，生长温度1800℃‑2400℃，生长压力1×10‑4Pa‑1×104Pa，得到颗粒状SiC单晶。由此，可以直接得到颗粒状SiC单晶，避免了切割操作，并且颗粒状SiC单晶可以直接作为SiC宝石原料，提高了生产率，降低了生产成本。
技术研发人员：乔松;杨昆;高宇;郑清超
受保护的技术使用者：河北同光晶体有限公司
文档号码：201611125920
技术研发日：2016.12.09
技术公布日：2017.03.08