1.一种单晶薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
1)在基板(5)上形成三段结构的非晶薄膜；非晶薄膜的第一区(1)、第二区(2)和第三区(3)依次连接，第二区(2)为细长结构，其宽度小于多晶生成的最小宽度；
2)通过物理结晶手段，依次处理非晶薄膜的第一区(1)、第二区(2)和第三区(3)，使其逐渐结晶，第一区(1)的非晶首先结晶形成多晶薄膜，第二区(2)由于宽度选择作用逐渐结晶为单晶薄膜，第三区(3)沿着第二区(2)的单晶薄膜继续生长，直至扩展生长到全部第三区(3)；然后在基板(5)上依次形成多晶薄膜区、选择薄膜区和单晶薄膜区；
3)去掉多晶薄膜区和选择薄膜区即可得到单晶薄膜。
2.根据权利要求1所述的一种单晶薄膜的制备方法，其特征在于，步骤1)中，三段结构的非晶薄膜是先在基板(5)上通过PVD、CVD或溶液镀膜的方法在形成整片非晶薄膜，再对整片薄膜进行刻蚀加工为三段结构，刻蚀加工采用溶液刻蚀法或等离子体刻蚀法。
3.根据权利要求1所述的一种单晶薄膜的制备方法，其特征在于，步骤1)中，三段结构的非晶薄膜是在基板(1)上预先放置一个具有镂空成三段结构的掩膜版，然后直接蒸镀成三段结构的非晶薄膜。
4.根据权利要求1所述的一种单晶薄膜的制备方法，其特征在于，步骤2)中，所述的物理结晶手段为热处理、激光照射、微波处理或电磁辐射加热。
5.根据权利要求4所述的一种单晶薄膜的制备方法，其特征在于，步骤2)中，对于热处理法是通过加热器(4)进行加热，使非晶薄膜的第一区(1)、第二区(2)和第三区(3)依次缓慢均匀熔化，然后依次缓慢降温结晶，第一区(1)的非晶降温后首先结晶形成多晶薄膜，第二区(2)降温时由于宽度选择作用逐渐结晶为单晶薄膜，第三区(3)降温时沿着第二区(2)的单晶薄膜继续生长，直至扩展生长到全部第三区(3)。
6.根据权利要求5所述的一种单晶薄膜的制备方法，其特征在于，所述的加热器(4)为环形结构，加热时，基板(5)与加热器(4)相对运动。
7.根据权利要求1所述的一种单晶薄膜的制备方法，其特征在于，所述的非晶薄膜为金属或半导体薄膜。
8.根据权利要求1所述的一种单晶薄膜的制备方法，其特征在于，所述的金属为Al、Cu、Ag、Au或Ti；所述的半导体为a-Si、a-Ge。
9.根据权利要求1所述的一种单晶薄膜的制备方法，其特征在于，所述的第二区(2)的宽度不大于1cm。