技术总结
本发明公开了一种单晶薄膜的制备方法，涉及单晶薄膜制备技术领域，具体是指对具有特定形状的非晶薄膜进行热处理来制备单晶薄膜的方法。首先在基板上形成非晶薄膜；然后对上述薄膜进行加工形成三段形状；再通过热处理、激光照射、微波处理或电磁辐射加热等手段，依次处理非晶薄膜的各个区，使其逐渐结晶，在基片上依次形成多晶区、选择区和单晶薄膜区，最后去掉多晶区和选择区即可得到单晶薄膜。
技术研发人员：张方辉;聂屈洋;孙立蓉;牟强;王江南;张婵婵;李亭亭;刘晋红
受保护的技术使用者：陕西科技大学
文档号码：201611227956
技术研发日：2016.12.27
技术公布日：2017.05.24