一种用于生产微钻石的触媒结构装置的制作方法

本实用新型涉及一种用于生产微钻石的触媒结构装置，属于人造钻石领域。

背景技术：

市场上常见的人工合成的微钻一般是使用高温高压温度梯度法生长的，该类钻石生长腔体的加热材料为石墨管，石墨管内部位钻石晶体的生长空间，钻石晶种在此空间内，受金属触媒的作用将石墨转化为钻石并沉积在晶种上，晶体长大。受该类发热管发热方式和晶床材料传热的影响，钻石生长腔体的外围温度高，中心温度低，而触媒的作用效果受温度决定。现有技术中由于所用的触媒为单一触媒，其适合生长钻石的温度是固定的。因此，在生长腔体内放置大量晶种生产微钻时，由于腔体内温度的差异，容易导致腔体内某一部分无法生长钻石晶体。而且，该类问题仅仅通过调整生产工艺是无法解决的。

技术实现要素：

本实用新型为解决上述不足，提供了一种用于生产微钻石的触媒结构装置，具体方案为：

一种用于生产微钻石的触媒结构装置，包括石墨加热管，设于石墨加热管内部的晶床，和设于晶床内部的触媒，触媒上方设有碳源，触媒下方设有晶种，所述的晶种包括多粒微晶种；所述的触媒为沿径向分布的多层触媒层构成，并且相邻的触媒层之间由环状的绝缘层隔离开；所述的触媒层包括多种不同温度的触媒层，且从外至内依次按高温触媒层到低温触媒层排列。

进一步的，所述的触媒层的层数为2~10层。

进一步的，所述的绝缘层为陶瓷层。

本方案的有益点在于，根据加热管内的温度高低分布情况，将现有技术中的单一触媒改为多层不同温度的触媒层结构，使触媒层的作用温度与加热管内的温度按高低匹配，在不改变生产工艺的条件下，解决了生产微钻时由于径向温度分布不均而导致的腔体内某一部分无法生长晶体的问题。

附图说明

图1为本实用新型的结构示意图；

图2为本实用新型中的多层触媒层的示意图。

具体实施方式

如图1、2所示的一种用于生产微钻石的触媒结构装置，包括石墨加热管1，设于石墨加热管1内部的晶床2，和设于晶床2内部的触媒4，触媒4上方设有碳源3，触媒4下方设有晶种5，所述的晶种5包括多粒微晶种；所述的触媒4为沿径向分布的多层触媒层42构成，并且相邻的触媒层42之间由环状的绝缘层41隔离开；所述的触媒层42包括多种不同温度的触媒层，且从外至内依次按高温触媒层到低温触媒层排列。

本实施例中所述的触媒层42的层数为2~10层；所述的绝缘层41为陶瓷层。

本方案的有益点在于，根据加热管内的温度高低分布情况，将现有技术中的单一触媒改为多层不同温度的触媒层结构，使触媒层的作用温度与加热管内的温度按高低匹配，在不改变生产工艺的条件下，解决了生产微钻时由于径向温度分布不均而导致的腔体内某一部分无法生长晶体的问题。

以上显示和描述了本实用新型的基本原理和主要特征和本实用新型的优点。本行业的技术人员应该了解，本实用新型不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本实用新型的原理，在不脱离本实用新型精神和范围的前提下，本实用新型还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本实用新型范围内。本实用新型要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。