技术总结
本发明涉及一种晶体生长过程高精度温度控制系统，系统包括生长装置、过滤装置和控制装置。控制装置由PLC、触摸屏、输入接口、输出接口、固态继电器和高精度智能温度控制表组成；PLC通过输入接口与过滤装置中液位开关及测温热电阻相连，通过输出接口与过滤装置中的电加热、电磁阀、循环泵及输送泵相连，与生长装置中的电磁阀、循环泵、直流电机相连；PLC主机通过RS485接口与高精度智能温度控制表相连，智能温度控制表的输入直接与生长装置中测温热电阻相连，智能温度控制表的输出通过固态继电器控制育晶罐夹套内的电加热器从而控制生长液温度，控制精度达到±0.01℃。本发明系统提高了大尺寸KDP晶体的生长质量。
技术研发人员：潘丰;沈正阳;邹金鹏
受保护的技术使用者：江南大学
文档号码：201710068585
技术研发日：2017.02.08
技术公布日：2017.05.10