高孔率介孔硅质结构的制作方法

文档序号:12390167阅读:来源:国知局

技术特征:

1.包含含有氧化硅交联网络的介孔结构的组合物,所述介孔结构表现出约1.5cm3/g或更高的孔体积并且是非晶的。

2.根据权利要求1所述的组合物,其中所述交联网络的连接度为2.5或更低,其中连接度由Q4/(Q2+Q3)定义,其中Q4是与其它氧化硅单元具有四个键的氧化硅单元数量,Q3是与其它氧化硅单元具有三个键的氧化硅单元数量,和Q2是与其它氧化硅单元具有两个键的氧化硅单元数量。

3.根据权利要求1或2所述的组合物,其中所述交联氧化硅单元包含浓度为约6重量%或更高的来自硅烷醇基的OH基团。

4.根据权利要求3所述的组合物,其中所述交联氧化硅单元限定约1至约100纳米的孔,其中限定孔的所述交联氧化硅单元通过包含交联氧化硅结构的支柱相互连接,其中由所述支柱和限定孔的所述交联氧化硅单元形成窗口,并且所述窗口具有约2纳米至约20纳米的尺寸。

5.根据权利要求3所述的组合物,其中所形成的介孔结构当与四氯化碳接触时是不透明的。

6.根据权利要求3所述的组合物,其中所述介孔结构包含约0.01至约50.0重量%的有机化合物。

7.根据权利要求3所述的组合物,其中所述介孔结构包含约0.0051至约0.5重量%的金属、金属氧化物或金属离子。

8.根据权利要求3所述的组合物,其中所述孔尺寸与窗口尺寸的比率是约0.5至约2.0。

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