LED用氮化铝陶瓷基片的生产方法与流程

文档序号:11685199阅读:来源:国知局

技术特征:

技术总结
本发明公开了一种LED用氮化铝陶瓷基片的生产方法法,其创新点在于:包括以下步骤:1)配料:将高纯度直接氮化的氮化铝粉末或者自蔓燃氮化铝粉末和复合烧结助剂混合;2)球磨:加入乙醇/甲苯或乙醇/丁酮和甘油或者蓖麻油,转速为300rad/s球磨30小时,再加入聚乙烯醇缩丁醛和聚乙二醇,以转速为505rad/s的速度研磨26‑27.5小时;3)真空脱泡:在9.5×104‑9.4×105Pa的负压环境下真空除泡;4)流延成型:控制刮刀高度为2.4‑2.7mm,流延带速为0.1‑0.3m/分;5)排胶:在连续式排胶炉内连续排胶2‑3h,温度为450‑580℃;6)烧结:在马弗炉中在氢气和氮气混合气氛的保护下烧结,温度为1550‑1680℃。本发明的LED用氮化铝陶瓷基片具有优良的热传导性,可靠的电绝缘性,低的介电常数和介电损耗。

技术研发人员:陈霞
受保护的技术使用者:南通博泰美术图案设计有限公司
技术研发日:2017.04.26
技术公布日:2017.07.21
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