本发明属于半导体传感器制备领域，具体涉及一种用于半导体传感器的陶瓷基底及其制备方法。
背景技术：
陶瓷基底因为质地轻盈，传热能力强，被广泛应用于半导体制备领域。但是实际应用过程中，现有陶瓷基底稳定性差，导致电子元件寿命降低，提高了电子产品的使用成本，不易于产业稳定性发展。
申请号201210297813.2的中国专利公开了一种稳定频率的薄型片式陶瓷基底，该基底包括由至少四层平面型陶瓷基底结合而成的整体基底，所述整体基底厚度为1.2mm，在所述整体基底的上表面设置有条状凸起。该基底厚度达到1.2mm，厚度更小，满足客户需求，在整体基底上设置条状凸起，能够调控粘结剂对芯片的拉伸应力，稳定芯片的弯曲形变，使产品频率更加稳定，而且整体基底的厚度减小是通过调整第二层和第三层厚度来实现的，减少调整外围层导致封装过程中工艺的无法实现以及频率不稳定等风险。但是该基底受外界环境影响很大，温度过高，分布在粘结剂四周的胶容易分层，影响传感器的工作效率。
申请号200880101009.4的中国专利公开了纤维基陶瓷基底及其制造方法。该方法提供铝硅酸盐纤维，具有约15重量%至约72重量%范围内的氧化铝含量；将所述纤维与包含无机粘合剂和有机粘合剂的添加剂以及流体混合，以提供塑性混合物；将所述塑性混合物形成坯体基底；加热所述坯体基底，以移除所述流体及所述有机粘合剂；以及烧结所述坯体基底，使所述铝硅酸盐纤维及所述无机粘合剂形成与稳定的非晶玻璃粘合的莫来石结构。
技术实现要素：
针对现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种用于半导体传感器的陶瓷基底及其制备方法，该陶瓷基底传热性，电阻值大，不易击穿，适合作为室外电子产品的基底。
为解决现有技术问题，本发明采取的技术方案为：
一种用于半导体传感器的陶瓷基底，包括以下按重量份数计的组分：三氧化二铝59-80份，二氧化硅12-33份，氧化镁33-99份，氧化铬1-9份，氧化锌1-22份，聚乙酰胺基酚23-49份，对苯二醇10-24份，n，n-对氨基磺酸钠1-8份，氧化钴1-8份，氧化钠33-49份，纳米碳2-42份，纳米镍22-43份，丁腈橡胶33-55份，无水乙醇80-94份，丙酮14-29份。
作为改进的是，上述用于半导体传感器的陶瓷基底，包括以下按重量份数计的组分：三氧化二铝72份，二氧化硅30份，氧化镁58份，氧化铬4份，氧化锌12份，聚乙酰胺基酚32份，对苯二醇18份，n，n-对氨基磺酸钠4份，氧化钴6份，氧化钠42份，纳米碳31份，纳米镍34份，丁腈橡胶42份，无水乙醇88份，丙酮21份。
作为改进的是，所述纳米碳的目数为200-400目。
上述用于半导体传感器的陶瓷基底的制备方法，包括以下步骤：步骤1，称取各组分；步骤2，将三氧化二铝、二氧化硅、氧化镁、氧化铬、氧化锌、氧化钴、氧化钠、纳米碳、纳米镍浸泡在无水乙醇和对苯二醇的混合液中，抽真空后粉碎至200-400目得第一混合粉；步骤3，将聚乙酰胺基酚、n，n-对氨基磺酸钠和丙酮投入反应釜中，惰性气体下加热融化得第二混合物；步骤4，将第一混合粉加入第二混合物中，首次加入量为2-5cm3/min，每隔2-5min增加加入量至完全添加，再加入融化得丁腈橡胶，调节粘度值1800-2200pa·s得半成品；步骤5，将半成品烧结得陶瓷基底。
作为改进的是，步骤2中真空度为0.1-0.25mpa。
作为改进的是，步骤3中加热融化温度为680-810℃。
作为改进的是，步骤4中每次增加的加入量为0.2-0.5cm3/min。
作为改进的是，步骤5中烧结温度为800-830℃。
有益效果
本发明陶瓷基底传热速度快，轻便，粘黏性好，且不易碎。用于制备半导体传感器，有效地避免因过热而短路，且在极性环境下，不易被击穿。
具体实施方式
实施例1
一种用于半导体传感器的陶瓷基底，包括以下按重量份数计的组分：三氧化二铝59-80份，二氧化硅12-33份，氧化镁33-99份，氧化铬1-9份，氧化锌1-22份，聚乙酰胺基酚23-49份，对苯二醇10-24份，n，n-对氨基磺酸钠1-8份，氧化钴1-8份，氧化钠33-49份，纳米碳2-42份，纳米镍22-43份，丁腈橡胶33-55份，无水乙醇80-94份，丙酮14-29份。
所述纳米碳的目数为200目。
上述用于半导体传感器的陶瓷基底的制备方法，包括以下步骤：步骤1，称取各组分；步骤2，将三氧化二铝、二氧化硅、氧化镁、氧化铬、氧化锌、氧化钴、氧化钠、纳米碳、纳米镍浸泡在无水乙醇和对苯二醇的混合液中，抽真空后粉碎至200目得第一混合粉；步骤3，将聚乙酰胺基酚、n，n-对氨基磺酸钠和丙酮投入反应釜中，惰性气体下加热融化得第二混合物；步骤4，将第一混合粉加入第二混合物中，首次加入量为2cm3/min，每隔2min增加加入量至完全添加，再加入融化得丁腈橡胶，调节粘度值1800pa·s得半成品；步骤5，将半成品烧结得陶瓷基底。
其中，步骤2中真空度为0.1mpa。
步骤3中加热融化温度为680℃。
步骤4中每次增加的加入量为0.2cm3/min。
步骤5中烧结温度为800℃。
实施例2
一种用于半导体传感器的陶瓷基底，包括以下按重量份数计的组分：三氧化二铝72份，二氧化硅30份，氧化镁58份，氧化铬4份，氧化锌12份，聚乙酰胺基酚32份，对苯二醇18份，n，n-对氨基磺酸钠4份，氧化钴6份，氧化钠42份，纳米碳31份，纳米镍34份，丁腈橡胶42份，无水乙醇88份，丙酮21份。
所述纳米碳的目数为300目。
上述用于半导体传感器的陶瓷基底的制备方法，包括以下步骤：步骤1，称取各组分；步骤2，将三氧化二铝、二氧化硅、氧化镁、氧化铬、氧化锌、氧化钴、氧化钠、纳米碳、纳米镍浸泡在无水乙醇和对苯二醇的混合液中，抽真空后粉碎至300目得第一混合粉；步骤3，将聚乙酰胺基酚、n，n-对氨基磺酸钠和丙酮投入反应釜中，惰性气体下加热融化得第二混合物；步骤4，将第一混合粉加入第二混合物中，首次加入量为3cm3/min，每隔4min增加加入量至完全添加，再加入融化得丁腈橡胶，调节粘度值2100pa·s得半成品；步骤5，将半成品烧结得陶瓷基底。
其中，步骤2中真空度为0.2mpa。
步骤3中加热融化温度为720℃。
步骤4中每次增加的加入量为0.3cm3/min。
步骤5中烧结温度为820℃。
实施例3
一种用于半导体传感器的陶瓷基底，包括以下按重量份数计的组分：三氧化二铝80份，二氧化硅33份，氧化镁99份，氧化铬9份，氧化锌22份，聚乙酰胺基酚49份，对苯二醇24份，n，n-对氨基磺酸钠8份，氧化钴8份，氧化钠49份，纳米碳42份，纳米镍43份，丁腈橡胶55份，无水乙醇94份，丙酮29份。
所述纳米碳的目数为400目。
上述用于半导体传感器的陶瓷基底的制备方法，包括以下步骤：步骤1，称取各组分；步骤2，将三氧化二铝、二氧化硅、氧化镁、氧化铬、氧化锌、氧化钴、氧化钠、纳米碳、纳米镍浸泡在无水乙醇和对苯二醇的混合液中，抽真空后粉碎至400目得第一混合粉；步骤3，将聚乙酰胺基酚、n，n-对氨基磺酸钠和丙酮投入反应釜中，惰性气体下加热融化得第二混合物；步骤4，将第一混合粉加入第二混合物中，首次加入量为5cm3/min，每隔5min增加加入量至完全添加，再加入融化得丁腈橡胶，调节粘度值2200pa·s得半成品；步骤5，将半成品烧结得陶瓷基底。
步骤2中真空度为0.25mpa。
步骤3中加热融化温度为810℃。
步骤4中每次增加的加入量为0.5cm3/min。
步骤5中烧结温度为830℃。
实施例4
一种用于半导体传感器的陶瓷基底，包括以下按重量份数计的组分：三氧化二铝72份，二氧化硅30份，氧化镁58份，氧化铬4份，氧化锌12份，聚乙酰胺基酚32份，对苯二醇18份，n，n-对氨基磺酸钠4份，氧化钴6份，氧化钠42份，纳米碳31份，纳米镍34份，丁腈橡胶42份，无水乙醇88份，丙酮21份。
所述纳米碳的目数为300目。
上述用于半导体传感器的陶瓷基底的制备方法，包括以下步骤：步骤1，称取各组分；步骤2，将三氧化二铝、二氧化硅、氧化镁、氧化铬、氧化锌、氧化钴、氧化钠、纳米碳、纳米镍浸泡在无水乙醇和对苯二醇的混合液中，抽真空后粉碎至300目得第一混合粉；步骤3，将聚乙酰胺基酚、n，n-对氨基磺酸钠和丙酮投入反应釜中，惰性气体下加热融化得第二混合物；步骤4，将第一混合粉加入第二混合物中，再加入融化得丁腈橡胶，调节粘度值2100pa·s得半成品；步骤5，将半成品烧结得陶瓷基底。
其中，步骤2中真空度为0.2mpa。
步骤3中加热融化温度为720℃。
步骤5中烧结温度为820℃。
性能试验
将本发明实施例1-4和对比例（申请号200880101009.4的实施例1）的基底进行对比，所得数据如下表所示。
从上述数据可以看出，本发明陶瓷基底导热系数高，平稳性强，厚度薄，且抗压能力强，不易碎，对比实施例2和实施例4可知，分批加量混合组分，提高了原料之间的融合能力，提高了陶瓷基底的抗压能力，使得制备的半导体传感器更耐运输。与对比例相比，本发明陶瓷基底厚度降低，为此陶瓷基底在电子产品中的应用提供了更宽的领域，且平稳性提高了2-3个点。因此更具有市前景。