技术特征：
技术总结
本发明涉及一种钛硅物料制备太阳能级多晶硅的方法，属于钛硅物料高效资源综合利用技术领域。将钛硅物料中的碳脱除至0.1wt.%～2wt.%进行预处理过程；将经预处理的钛硅物料，采用真空蒸馏精炼除杂工艺除去易挥发的杂质；然后电磁定向凝固分离，获得3～4N高纯硅和杂质较高的钛硅合金；将得到的3～4N高纯硅加入合金化金属，得到合金化后的高纯硅；将得到的合金化后的高纯硅酸浸，获得5～6N的UMG‑Si颗粒；将得到的5～6N的UMG‑Si颗粒，采用真空蒸馏精炼除杂工艺除去易挥发的杂质；然后电磁定向凝固分离，获得6N的太阳能级多晶硅。本发明以钛硅物料为原料，结合现有的硅合金化提纯、湿法浸出、定向凝固等技术，制备出太阳能级多晶硅。
技术研发人员：马文会;宋向阳;魏奎先;朱奎松;雷云;李绍元;谢克强;伍继君;吕国强;杨斌;戴永年
受保护的技术使用者：昆明理工大学
技术研发日：2017.07.25
技术公布日：2018.01.09