技术特征：
技术总结
本申请属于单晶硅生产技术领域，具体涉及一种直拉法制备单晶硅的方法，单晶炉完成硅料熔化之后，单晶炉加热功率快速下降，温控器控制单晶炉的炉内温度稳定后，籽晶接触液面后引颈，引颈一定高度后，无位错开始放肩，放肩后长晶，单晶炉加热功率分步逐降，长晶达到目标直径后开始转肩。经过上述方法可以缩短单晶生长周期100min左右，提高引颈成功率40‑50％。并且此方法可以快速找到引颈温度，减少长晶位错，缩短单晶的生长周期并减少硅料与石英埚接触时间以减少硅料杂质的影响，提高了引颈成功率及单晶品质。
技术研发人员：王会敏;张浩强;颜超;范晓甫;赵龙;张振国;霍永超;杜瑞豹;杨乐天
受保护的技术使用者：邢台晶龙电子材料有限公司
技术研发日：2017.11.22
技术公布日：2018.04.24