技术特征：
技术总结
一种激光刻蚀和电化学阳极氧化结合制备多孔硅的方法，其特征如下：首先采用皮秒脉冲激光对硅片的抛光面进行刻蚀，在硅片的抛光面形成布满纵横交错凹槽的刻蚀区域，所述每个凹槽的深度为1.5‑2.5μm，宽度为2‑5μm，相邻凹槽中心之间的距离为8‑10μm；然后对刻蚀后的硅片依次进行清洗和电化学阳极氧化处理；所述电化学阳极氧化处理的电流为50‑80mA，时间为8‑15min。该方法制备的多孔硅孔洞呈四角星形，孔隙率大，内部呈蜂窝状结构，吸附能力强，并且内部结构稳定，不发生坍塌，易于实现多孔硅为骨架的纳米复合物含能材料的制备。
技术研发人员：程银芬;陈辉;王非森;王梦超;陈勇
受保护的技术使用者：西南交通大学
技术研发日：2018.12.07
技术公布日：2019.04.09