1.一种半导体工艺设备，包括工艺腔室和设置在所述工艺腔室中的承载盘，其特征在于，所述半导体工艺设备还包括工艺隔板，所述工艺隔板与所述承载盘平行设置，所述工艺隔板与所述承载盘之间形成有主气流区，所述工艺隔板背离与所述承载盘的一侧形成有副气流区；所述工艺腔室的内壁上设有进气口和排气口，所述进气口和所述排气口分别位于所述承载盘的两侧，所述进气口包括至少一个与所述主气流区位置对应的主进气口和至少一个与所述副气流区位置对应的副进气口，且所述工艺隔板上形成有至少一个沿厚度方向贯穿所述工艺隔板的导气孔。
2.根据权利要求1所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述半导体工艺设备还包括旋转机构，所述旋转机构与所述承载盘的底部固定连接，用于驱动所述承载盘旋转。
3.根据权利要求2所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述导气孔的位置与所述承载盘的边缘相对应。
4.根据权利要求3所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述导气孔的数量为两个，两个所述导气孔沿垂直于所述主气流区中气体流动方向间隔设置。
5.根据权利要求1所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述工艺隔板的边缘与所述工艺腔室的设有所述排气口的内壁之间具有排气间隙。
6.根据权利要求1所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述工艺隔板上形成有排气通孔，所述排气通孔位于所述工艺隔板靠近所述排气口一侧的边缘。
7.根据权利要求1至6中任意一项所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述副进气口的横截面形状为圆形。
8.根据权利要求1至6中任意一项所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述工艺腔室包括基座环、进气座块、尾气收集座块、上盖和下盖，所述主进气口和所述副进气口均形成在所述进气座块上，所述排气口形成在所述尾气收集座块上，所述基座环具有顶开口和底开口，所述上盖和所述下盖分别用于密封所述顶开口和所述底开口；
所述基座环的侧壁上形成有位置相对的进气开口和出气开口，所述进气座块设置在所述进气开口中，所述尾气收集座块设置在所述出气开口中。
9.根据权利要求8所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述半导体设备还包括下内衬，所述下内衬环绕所述承载盘设置在所述工艺腔室中，且所述下内衬设置在所述下盖上，所述工艺隔板设置在所述下内衬上。
10.根据权利要求8所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述工艺隔板与所述上盖焊接连接。