C获得的巧晶，固定于巧晶杆上，从晶体生长炉顶部 下巧晶，先在混合溶液表面上预热巧晶5-60分钟，浸入液面中，使巧晶在混合溶液中进行 回烙，恒溫5-60分钟，快速降溫至饱和溫度700-830°C; e、再W0. 1-5°C/天的速率缓慢降溫，W5-10化pm的转速旋转巧晶杆，待晶体生长结束 后，使晶体脱离液面，Wl-l〇〇°C/小时的速率降至室溫，然后将晶体从炉膛中取出，即可获 得尺寸为 8mmX6mmX5mm的Pb〇.7sBas.22Bis〇36晶体。
[00过所述步骤a中合成化合物铅领棚氧的含领原料为BaO、BaC03、Ba(N03)2、BaC204、Ba(OH)2、Ba(C2H3O2)2或Ba做03)2之一，含铅的原料为化0,含棚的为Η3BO3或B203之一。
[0023] 所述助烙剂的加入量摩尔比为铅领棚氧：助烙剂=1:2 -6。
[0024] 一种铅领棚氧非线性光学晶体的用途，铅领棚氧非线性光学晶体用于制备输出频 率变换的激光器。
[0025] 一种铅领棚氧非线性光学晶体的用途，铅领棚氧非线性光学晶体用于制备产生倍 频谐波光输出的激光光束，激光光束波长为l〇64nm。
[0026] 一种铅领棚氧非线性光学晶体的用途，铅领棚氧非线性光学晶体用于制备紫外区 的谐波发生器，光参量与放大器件及光波导器件，从红外到紫外区的光参量与放大器件。
[0027] 实施例1: 按反应式：G. 2违&；>0.r8Pb0-1錯:瑟狂，一 運兹五兑记6K禹t合成 Pb〇. 78Ba8.22Bl8〇36化合物； 将BaO、化0、H3BO3按摩尔比8. 22:0. 78:18放入研鉢中，混合并仔细研磨，然后装 入巫lOOmmXlOOmm的开口刚玉相蜗中，放入马弗炉中，升溫至400°C，恒溫24小时，冷却 至室溫，充分研磨，再升溫至850°C，恒溫48小时，充分研磨，便得到烧结完全的铅领棚 氧化合物单相多晶粉末，再对该多晶粉末进行X射线分析，所得X射线谱图与铅领棚氧 Pbc.wBas.zzBiAe单晶结构得到的X射线谱图是一致的； 反应式中的氧化领可W用碳酸领或硝酸领或草酸领或氨氧化领或碳酸氨领替换，棚酸 可由氧化棚替换。
[0028]将合成的铅领棚氧PbD.wBas.22Bis〇36化合物与助烙剂Η3BO3按摩尔比Pb〇.wBas.22Bis〇36:Η3ΒΟ3=1:2 进行混配，装入巫80mmX80mm的开口销金相蜗中，W30°C/h 的升溫速率将其加热至930°C，恒溫10小时，得到混合溶液； 再降溫至850°C，将巧晶杆快速伸入液面下，W溫度0. 5°CA的速率缓慢降至770°C， 将巧晶杆提出液面，巧晶杆上会有小晶体聚集，W溫度5°CA的速率降至室溫，获得铅领棚 氧巧晶； 在化合物溶液中生长晶体：将获得的化。.7击曰8.2化s〇3e巧晶固定于巧晶杆上从晶体生长 炉顶部下巧晶，先在混合溶液表面上预热巧晶10分钟，浸入液面中，使巧晶在混合溶液中 进行回烙，恒溫30分钟，快速降溫至饱和溫度830°C; 再W溫度5°C/天的速率降溫，W20rpm的转速旋转巧晶杆，待晶体生长结束后，使 晶体脱离液面，W溫度rC/小时的速率降至室溫，即可获得尺寸为7mmX5mmX5mm的 Pb〇.曰8.22Bi8〇36 晶体。
[002引实施例2: 按反应式：
合成化合物化。.78日38.22日18036; 将BaC03、PbO、H3BO3按摩尔比8. 22:0. 78:18直接称取原料，将称取的原料与助烙剂H3BO3按摩尔比1:3进行混配，装入巫80mmX80mm的开口销金相蜗中，W30°CA的升溫速 率将其加热至900°C，恒溫15小时，得到混合溶液，再降溫至820°C，此时将巧晶杆快速伸 入液面下，W溫度rCA的速率缓慢降至750°C，将巧晶杆提出液面4子晶杆上会有小晶体 聚集，W溫度35°CA的速率降至室溫，获得铅领棚氧巧晶； 反应式中的碳酸领可W用氧化领或硝酸领或草酸领或氨氧化领或碳酸氨领替换，棚酸 可由氧化棚替换。
[0030] 将获得的化。.7sBa8.22Bl8〇3術晶固定于巧晶杆上从晶体生长炉顶部下巧晶，先在混 合溶液表面上预热巧晶60分钟，浸入液面下，使巧晶在混合溶液中进行回烙，恒溫30分钟， 快速降溫至饱和溫度810°C; 再W溫度2°C/天的速率缓慢降溫，W5巧m的转速旋转巧晶杆，待晶体生长到所需尺度 后，将晶体提离溶液表面，W溫度20°CA速率降至室溫，然后将晶体从炉膛中取出，即可获 得尺寸为 8mmX6mmX3mm的Pb〇.7sBas.22Bis〇36晶体。
[00引]实施例3: 按反应式
合成化合物F*b。. 7sBa8. 22Bi8〇36; 将Ba(肥O3)2、PbO、H3B化按摩尔比8. 22:0. 78:18直接称取原料，将称取的原料与助烙 剂化ο按摩尔比1:6进行混配，装入巫80mmX80mm的开口销金相蜗中，w30°CA的升溫速 率将其加热至880°C，恒溫20小时，得到混合溶液，再降溫至800°C，将巧晶杆快速伸入液 面下，W溫度:TCA的速率缓慢降至730°C，将巧晶杆提出液面，巧晶杆上会有小晶体聚集， W溫度60°CA的速率降至室溫，获得铅领棚氧巧晶； 反应式中的碳酸氨领可W用氧化领或硝酸领或草酸领或碳酸领或氨氧化领替换，棚酸 可由氧化棚替换。
[003引将获得的化。.7sBa8.2化803術晶固定于巧晶杆上从晶体生长炉顶部下巧晶，先在混 合溶液表面上预热巧晶20分钟，浸入液面下，使巧晶在混合溶液中进行回烙，恒溫30分钟， 快速降溫至饱和溫度790°C; 再W溫度rC/天的速率缓慢降溫，WlOrpm的转速旋转巧晶杆，待晶体生长到所需尺 度后，将晶体提离溶液表面，W溫度40°CA速率降至室溫，然后将晶体从炉膛中取出，即可 获得尺寸为 5mmX4mmX5mm的FV7sBas.22Bis036晶体。
[003引实施例4 : 按反应式
合成化合物 f*b0. 78Ba8.22Bl8036; 将BaC204、PbO、H3B化按摩尔比8. 22:0. 78:18直接称取原料，将称取的原料与助烙剂H3BO3按摩尔比1:5进行混配，装入巫80mmX80mm的开口销金相蜗中，W溫度30°CA的升 溫速率将其加热至850°C，恒溫13小时，得到混合溶液，再降溫至780°C，将巧晶杆快速伸 入液面下，W溫度0. 5°CA的速率缓慢降至710°C，将巧晶杆提出液面，巧晶杆上会有小晶 体聚集，W溫度75°CA的速率降至室溫，获得铅领棚氧巧晶； 反应式中的草酸领可W用氧化领或硝酸领或氨氧化领或碳酸领或碳酸氨领替换，棚酸 可由氧化棚替换。
[0034] 将获得的化。.7击曰8.2化诉36巧晶固定于巧晶杆上从晶体生长炉顶部下巧晶，先在混 合溶液表面上预热巧晶30分钟，浸入液面下，使巧晶在混合溶液中进行回烙，恒溫30分钟， 快速降溫至饱和溫度770°C; 再W溫度rC/天的速率缓慢降溫，W20rpm的转速旋转巧晶杆，待晶体生长到所需尺 度后，将晶体提离溶液表面，W溫度30°CA速率降至室溫，然后将晶体从炉膛中取出，即可 获得尺寸为 2mmX6mmX3mm的FV7sBas.22Bis〇36晶体。
[003引实施例5 : 按反应式
合成化合物 f*b0. 78Ba8.22Bl8036; 将Ba(N03)2、PbO、B2O3按摩尔比8. 22:0. 78:9直接称取原料，将称取的原料与助烙剂B203按摩尔比1:6进行混配，装入Φ80mmX80mm的开口销金相蜗中，W溫度30°CA的升溫 速率将其加热至830°C，恒溫18小时，得到混合溶液，再降溫至730°C，将巧晶杆快速伸入 液面下，W溫度l0°CA的速率缓慢降至670°C，将巧晶杆提出液面，巧晶杆上会有小晶体聚 集，W溫度90°CA的速率降至室溫，获得铅领棚氧巧晶； 反应式中的硝酸领可W用氧化领或草酸领或氨氧化领或碳酸领或碳酸氨领替换，氧化 棚可由棚酸替换。
[0036] 将获得的化。.7击曰8.2化8〇3術晶固定于巧晶杆上从晶体生长炉顶部下巧晶，先在混 合溶液表面上预热巧晶15分钟，浸入液面下，使巧晶在混合溶液中进行回烙，恒溫30分钟， 快速降溫至饱和溫度700°C; 再W溫度：TC/天的速率缓慢降溫，W70rpm的转速旋转巧晶相蜗，待晶体生长到所需 尺度后，将晶体提离溶液表面，W溫度50°CA速率降至室溫，然后将晶体从炉膛中取出，即 可获得尺寸为 3mmX7mmX5mm的FV7sBas.22Bis〇36晶体。
[0037]实施例6: 按反应式：
合成化合 物Pb。. 7sBa8. 22Bi8〇36; 将Ba(OH)2、PbO、B2O3按摩尔比8. 22:0. 78:9放入研鉢中，混合并仔细研磨，然后装 入巫lOOmmXlOOmm的开口刚玉相蜗中，放入马弗炉中，升溫至400°C，恒溫24小时，冷却 至室溫，充分研磨，再升溫至750°C，恒溫48小时，充分研磨，便得到烧结完全的铅领棚 氧化合物单相多晶粉末，再对该多晶粉末进行X射线分析，所得X射线谱图与铅领棚氧 Pbc.wBas.zzBiAe单晶结构得到的X射线谱图是一致的； 反应式中的氨氧化领可W用碳酸领或硝酸领或草酸领或氧化领或碳酸氨领替换，氧化 棚可由棚酸替换。
[00測将合成的化合物铅领棚氧Pb。. 7击曰8. 22Bis036与助烙剂PbO按摩尔比化。.22Bis036 :PbO=1:4进行混配装入Φ80mmX80mm的开口销金相蜗中，W溫度30°CA的升溫速率将其 加热至880°C，恒溫15小时，得到混合溶液，再降溫至770°C，将巧晶杆快速伸入液面下，W 溫度4°CA的速率缓慢降至700°C，将巧晶杆提出液面4子晶杆上会有小晶体聚集，W溫度 l00°CA的速率降至室溫，获得铅领棚氧巧晶； 将获得的化。.78Bas.22Bis03e巧晶固定于巧晶杆上从晶体生长炉顶部下巧晶，先在混合溶 液表面上预热巧晶40分钟，浸入