得经掺杂的6&叭0&:順3= 0.05，]\%:順3 = 0.000005，恥:順3 = 0.08)
[0057]除了使用I.Ikg金属嫁(16.3mol)、376g Ca(约9.4mol)、23mg Mg(0.9mmol)、345gNa(15mol)作为固体基质以外，进行与实施例2相同的步骤。
[0058]作为过程的结果，获得了(在每个晶种上)厚度约为1.6mm(在单晶的c轴方向测量)的GaN层。获得了电阻率为8 X 10—2 Ω.cm、电子浓度为1.1 X 1018cm—3的导电η型材料。通过二次离子质谱(S頂S)测量出的氧浓度为1.3 X 118Cnf3(饱和的氧水平与升高的Ca浓度)，Mg的浓度为5 X 1016cm—3。
[0059]实施例4.获得经掺杂的6&叭03:順3= 0.005，]\%:順3 = 0.00002，恥:順3 = 0.04)
[0060]除了使用89.8g 金属镓(1.29mol)、2.25g Ca (约 56.2mmo I)、5.4mg Mg(约
0.22mmol)、10.4g Na(0.45mol)作为固体基质以外，进行与实施例1相同的步骤。
[0061]作为过程的结果，获得了(在每个晶种上)厚度约为1.73mm(在单晶的c轴方向测量)的GaN层。获得了电阻率>106Ω.cm的高电阻材料。通过二次离子质谱(S頂S)测量出的氧浓度为8.2X 1017cm—3，Mg的浓度为1.1 X 1018cm-3。
[0062]实施例5.获得经掺杂的6&叭03:順3= 0.005，]\%:順3 = 0.00005，恥:順3 = 0.04)
[0063]除了使用89.8g 金属镓(1.29mol)、2.25g Ca (约 56.2mmo I)、13mg Mg(约
0.56mmol)、10.4g Na(0.45mol)作为固体基质以外，进行与实施例1相同的步骤。
[0064]作为过程的结果，获得了(在每个晶种上)厚度约为1.79mm(在单晶的c轴方向测量)的GaN层。获得了载流子(自由空穴)的浓度为3X1016cm—3、电阻率为2X104.cm^p?导电材料。通过二次离子质谱(SIMS)测量出的氧浓度为1.3 X 1018cm—3，Mg的浓度为5 X1018cm-3。
[0065]实施例6.获得经掺杂的6&叭0&:順3= 0.005，]\%:順3 = 0.0002，1(:順3 = 0.12)
[0066]除了使用107.8g 多晶 GaN(1.3mol)、2.25g Ca ( 56.2mmo I)、0.05g Mg(约2.25mmol)、52.7g K(1.3mol)作为固体基质以外，进行与实施例1相同的步骤。
[0067]作为过程的结果，获得了(在每个晶种上)厚度约为1.7mm(在单晶的c轴方向测量)的GaN层。获得了载流子(自由空穴)的浓度为1.8 X 117Cnf3，电阻率为7 XlO1Q.cm的p型导电材料。
[0068]通过二次离子质谱(SIMS)测量出的氧浓度为I.5 X 118CnT3，Mg的浓度为8X1018cm-3。
[0069]实施例7.获得经掺杂的6&叫6(1:順3= 0.001，]\%:順3 = 0.000005，恥:順3 = 0.04)
[0070]除了使用89.8g金属嫁(I.3mol)、I.8g Gd( 11.2mmol)、I.3mg Mg(约0.056mmol)、10.3g Na(0.45mol)作为固体基质以外，进行与实施例1相同的步骤。
[0071]作为过程的结果，获得了(在每个晶种上)厚度约为1.9mm(在单晶的c轴方向测量)的GaN层。获得了自由电子的浓度为2 X 1017cm—3、电阻率为6 X 10—2 Ω.cm的η型导电材料。通过二次离子质谱(S頂S)测量出的氧浓度为1.2Χ 118Cnf3，Mg的浓度为5 X 117Cnf3。
[0072]实施例8.获得经掺杂的6&叫6(1:順3= 0.001，]\%:順3 = 0.00002，1(:順3 = 0.08)
[0073]除了使用107.8g 多晶 GaN(1.3mol)、1.8g Gd( 11.2mmol)、5mg Mg(约0.22mmol)、35.2g K(0.9moI)作为固体基质以外，进行与实施例1相同的步骤。
[0074]作为过程的结果，获得了(在每个晶种上)厚度约为1.6mm(在单晶的c轴方向测量)的GaN层。获得了电阻率>1 XlO6 Ω.cm的高电阻材料。通过二次离子质谱(S頂S)测量出的氧浓度为8X 1017cm—3，Mg的浓度为1.2X 1018cm—3。
[0075]实施例9.获得经掺杂的GaN(Gd:NH3 = 0.0075 ;Ca:NH3 = 0.0025 ;Mg:NH3 = 0.00015;ZniNH3 = 0.00005；K:NH3 = 0.12)
[0076]除了使用107.8g 多晶 GaN(1.3mol)、13.2g Gd(84.3mmol)、I.Ig Ca(28.lmmol)、4Img Mg(约I.7mmol)、36mg Zn(0.56mmol)以及52.7g K(1.35mol)作为固体基质以外，进行与实施例1相同的步骤。
[0077]作为过程的结果，获得了(在每个晶种上)厚度约为1.65mm(在单晶的c轴方向测量)的GaN层。获得了电阻率为1.5X104.cm，载流子(自由空穴)的浓度为7 X 1016cm—3的p型材料。通过二次离子质谱(SIMS)测量出的氧的浓度为9 X 117Cnf3，Mg的浓度为4.5 X1018cm—3，Zn的浓度为 I.5 X 1018cm—3。
[0078]实施例10.获得经掺杂的GaN(Gd:NH3 = 0.001，Ζη:ΝΗ3 = 0.000005，Na:NH3 = 0.04)
[0079]除了使用I.Ikg金属嫁(16.3mol)、29.5g Gd( 188mmol)、61mg Zn(约0.9mmol)以及173g Na(7.5mol)作为固体基质以外，进行与实施例2相同的步骤。
[0080]作为过程的结果，获得了(在每个晶种上)厚度约为1.72mm(在单晶的c轴方向测量)的GaN层。获得了自由电子的浓度为6 X 117Cnf3，电阻率为3 X 10—2 Ω.cm的η型材料。通过二次离子质谱(S頂S)测量的氧的浓度为1.1 X 118Cnf3，Zn的浓度为1.2Χ 117Cnf3。
[0081]实施例11.获得经掺杂的GaN(Gd:NH3 = 0.0075，Υ:ΝΗ3 = 0.0025，Ζη:ΝΗ3 = 0.00002，KiNH3 = 0.04)
[0082]除了使用107.8g 多晶 GaN(1.3mol)、13.2g Gd (约 84.3mmo I)、2.5g Y(约28.lmmol)、14mg Zn (0.22mmol)以及17.6g K(0.45mmol)作为固体基质以外，进行与实施例1相同的步骤。
[0083]作为过程的结果，获得了(在每个晶种上)厚度约为1.8mm(在单晶的c轴方向测量)的GaN层。获得了自由电子的浓度为I X 1017cm—3、电阻率为8 X 10—2 Ω.cm的η型材料。通过二次离子质谱(S頂S)测量出的氧的浓度为9父1017011—3，211的浓度为6\1017011一3。
[0084]实施例12.获得经掺杂的6&叫6(1:順3= 0.001，211:順3 = 0.00005，恥:順3 = 0.08)
[0085]除了使用89.8g金属镓(I.3mol)、I.8g Gd(ll.2mmol)、36mg Zn(约0.5mmol)以及20.6g Na(0.9mol)作为固体基质以外，进行与实施例1相同的步骤。
[0086]作为过程的结果，获得了(在每个晶种上)厚度约为1.76mm(在单晶的c轴方向测量)的GaN层。获得了电阻率>106Ω.cm的高电阻材料。通过二次离子质谱(S頂S)测量出的氧的浓度为9.8X 1017cm—3，Zn的浓度为1.2X 1018cm—3。
[0087]实施例13.获得经掺杂的6&叫6(