一种vgf晶体炉支撑装置的制造方法
【技术领域】
[0001 ]本实用新型涉及一种VGF晶体炉支撑装置。
【背景技术】
[0002]垂直梯度凝固法(VGF)生长单晶的过程是将装有物料的石英生长管垂直置于炉中，设定相应的温度梯度，物料全熔后，从下部一端缓慢结晶并延续到上部一端的晶体生长方法。
[0003]在VGF晶体炉使用过程中，石英生长管被要求从晶体炉内取出、放入以及升降等操作，由于石英制品光滑易碎，对操作人员要求很高。操作人员徒手操作很难保证石英制品不被碰撞，这有可能损毁石英生长管的密封性及力学强度，造成晶体生长失败。
【实用新型内容】
[0004]本实用新型的目的在于提供一种VGF晶体炉支撑装置，在不改变VGF晶体炉结构及温场的情况下能安全有效的操作石英生长管。
[0005]为实现上述目的，本实用新型采用以下技术方案:
[0006]—种VGF晶体炉支撑装置，该支撑装置为一金属支架，由三根等长的支撑柱及连接在支撑柱两端的相互平行的等边三角形构成。
[0007]其中，所述三角形的外切圆直径略小于晶体炉炉膛内径且大于保温筒的石英支撑管的外径。
[0008]所述三根支撑柱的横截面直径均为2cm。
[0009]本实用新型的优点在于:
[0010]本实用新型的支撑装置可以升降石英支撑管，有利于石英生长管的放入、取出、升降等操作，而不改变晶体炉的温场等条件。本实用新型的支撑装置使得石英生长管的操作简单易行，安全性高，实用性强。
【附图说明】
[0011]图1为本实用新型的VGF晶体炉支撑装置的立体图。
[0012]图2为石英生长管及其露出晶体炉的结构图。
[0013]图3为采用本实用新型的支撑装置的保温筒纵剖面和底部的示意图。
[0014]图4为石英生长管与晶体炉平齐的结构图。
【具体实施方式】
[0015]以下结合附图对本实用新型作进一步说明。
[0016]如图1所示，本实用新型的VGF晶体炉支撑装置为一金属支架，由三根等长的支撑柱I及连接在支撑柱两端的相互平行的等边三角形2、3构成。支撑装置的材质为不锈钢。其中，三根不锈钢支撑柱I的横截面直径均为2cm，支撑装置可支撑50公斤重量，并能经受住500°C高温。如图2所示，不锈钢三角形2、3外表面平滑，用于支撑晶体炉5内的保温筒6。如图3所示，不锈钢三角形2、3的外切圆直径略小于晶体炉5炉膛内径且大于石英支撑管8的外径，能够有效支撑保温筒内部的两个圆形石英支撑管(圆形石英支撑管为保温筒的支撑结构)。
[0017]该支撑装置被使用于保温筒底部，既能有效支撑保温筒又能在晶体炉内升降，从而实现石英生长管4的升降。
[0018]采用该支撑装置用于支撑VGF晶体炉的具体操作为:
[0019]将石英生长管装进炉膛的操作:将保温筒放置在支撑装置上，让支撑装置对称、有效的支撑住保温筒6的两根石英支撑管8，把保温筒中的两根热电偶7的导线通过支撑柱之间的缝隙顺出。将支撑装置和保温筒对称放置于晶体炉膛正下方的升降平台上，通过VGF晶体炉的升降平台将支撑装置升高到合适的位置，此位置保证在石英生长管被放置在炉膛内时石英生长管仍露出炉膛约15cm(如图2所示)以方便操作人员双手握持石英生长管。操作人员双手握持石英生长管上部，竖直将其放入炉膛，将石英生长管底部缓慢插入保温筒。通过VGF晶体炉的升降平台缓慢下降，把石英生长管降至与晶体生长炉上端平齐(如图4所示)，将石英生长管装进炉膛的操作完毕。
[0020]将石英生长管从炉膛取出的操作:通过VGF晶体炉的升降平台，将支撑装置升高15cm，使石英生长管露出炉膛15cm(如图2所示)，操作人员双手握持石英生长管顶部，将其缓慢取出炉膛。
【主权项】
1.一种VGF晶体炉支撑装置，其特征在于，该支撑装置为一金属支架，由三根等长的支撑柱及连接在支撑柱两端的相互平行的等边三角形构成。2.根据权利要求1所述的VGF晶体炉支撑装置，其特征在于，所述三角形的外切圆直径略小于晶体炉炉膛内径且大于保温筒的石英支撑管的外径。3.根据权利要求1或2所述的VGF晶体炉支撑装置，其特征在于，所述三根支撑柱的横截面直径均为2cm。
【专利摘要】本实用新型公开了一种VGF晶体炉支撑装置，该支撑装置为一金属支架，由三根等长的支撑柱及连接在支撑柱两端的相互平行的等边三角形构成；其中所述三角形的外切圆直径略小于晶体炉炉膛内径且大于保温筒的石英支撑管的外径，所述三根支撑柱的横截面直径分别为2cm。本实用新型的支撑装置可以升降石英生长管，有利于石英生长管的放入、取出、升降等操作，而不改变晶体炉的温场等条件。本实用新型的支撑装置使得石英生长管的操作简单易行，安全性高，实用性强。
【IPC分类】C30B11/00
【公开号】CN205275774
【申请号】CN201521068346
【发明人】刘春雷, 于洪国, 龙彪, 时彬, 张海涛, 周晓霞, 岳云雷, 赵静敏
【申请人】有研光电新材料有限责任公司
【公开日】2016年6月1日
【申请日】2015年12月21日