有机光电材料和有机光电器件以及图像传感器的制造方法
【专利摘要】本发明提供有机光电材料和有机光电器件以及图像传感器。有机光电材料可包括由化学式1表示的化合物，其中A为包括4-7个彼此稠合的环的含噻吩的芳族基团，和有机光电器件以及图像传感器包括所述有机光电材料。[化学式1]
【专利说明】有机光电材料和有机光电器件以及图像传感器
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求2012年7月6日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请N0.10-2012-0073981的优先权和权益，其全部内容通过参考引入本文中。
【技术领域】
[0003]实例实施方式涉及有机光电材料、以及包括所述有机光电材料的有机光电器件和图像传感器。
【背景技术】
[0004]光电器件是指用于利用光电效应将光转换为电信号的器件。光电器件可包括光电二极管和/或光电晶体管，和可应用于图像传感器和/或太阳能电池。
[0005]包括光电二极管的图像传感器要求较高的分辨率和相应地较小的像素。目前，硅光电晶体管被广泛地使用，但是硅光电晶体管的灵敏度可恶化，因为由于较小的像素，其具有较小的吸收面积。因此，已研究了能够代替硅的有机光电材料。
[0006]有机光电材料具有相对高的消光系数和取决于分子结构而选择性地吸收特定波长区域的光，且因此可同时代替光电二极管和滤色器，由此改善灵敏度和对更高的集成化作贡献。
【发明内容】
[0007]实例实施方式提供能够选择性地吸收绿色波长区域的光和改善效率的有机光电材料。实例实施方式还提供包括所述有机光电材料的有机光电器件。实例实施方式还提供包括所述有机光电器件的图像传感器。
[0008]根据实例实施方式，有机光电材料由以下化学式I表不。
[0009][化学式I]
[0010]
【权利要求】
1.有机光电材料，包括由以下化学式I表不的化合物: [化学式I]
2.权利要求1的有机光电材料，其中所述A包括至少两个噻吩。
3.权利要求1的有机光电材料，其中所述A包括含杂原子的环，其中所述杂原子包括如下之一:氮(N)、硅(Si)、氧(O)、硒(Se)、及其组合。
4.权利要求1的有机光电材料，其中所述有机光电材料包括由以下化学式2-7表不的化合物的至少一种: [化学式2]
5.权利要求1的有机光电材料，其中所述有机光电材料选择性地吸收绿色波长区域的光。
6.权利要求1的有机光电材料，其中所述有机光电材料在500nm-600nm的波长区域内具有最大吸收峰。
7.权利要求1的有机光电材料，其中所述有机光电材料具有2.0eV-3.0eV的带隙。
8.有机光电器件，包括: 彼此面对的第一电极和第二电极，以及 在所述第一电极和所述第二电极之间的活性层，所述活性层包括权利要求1-7任一项的有机光电材料。
9.权利要求8的有机光电器件，其中所述第一电极为阳极和所述第二电极为阴极。
10.图像传感器，包括权利要求8或9的有机光电器件。
【文档编号】C07F7/08GK103524531SQ201310283609
【公开日】2014年1月22日 申请日期:2013年7月8日 优先权日:2012年7月6日
【发明者】李光熙, 金奎植, 朴敬培, 林东皙, 林宣晶, 陈勇完 申请人:三星电子株式会社