加成固化型硅酮组合物、及半导体装置制造方法
【专利摘要】本发明的目的在于提供一种加成固化型硅酮组合物、及以该组合物的固化物将半导体元件覆盖而成的可靠性优异的半导体装置，该加成固化型硅酮组合物，粘度低且填充性良好，固化性良好，固化并形成折射率大、透光率高、对基材的密接性高、抗裂性优异、透气性低的固化物。本发明提供一种加成固化型硅酮组合物，其含有：(A)平均单元式(1)表示的有机聚硅氧烷100质量份；(B)平均单元式(2)表示的有机聚硅氧烷1～500质量份；(C)通式(3)表示的1分子中具有至少2个Si-H键的有机氢聚硅氧烷，相对于(A)＋(B)成分合计100质量份，为1～200质量份的量；及(D)促进本组合物的固化的量的氢化硅烷化反应用催化剂。
【专利说明】加成固化型硅酮组合物、及半导体装置
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种加成固化型硅酮组合物、及使用此加成固化型硅酮组合物的半导体装置。
【背景技术】
[0002]通过氢化硅烷化反应而固化的加成固化型娃酮组合物,在光电稱合器、发光二极管、及固态成像元件等光学用半导体装置中的半导体元件中，用作保护涂层剂。由于前述元件会发光、或接收光，因此要求这种半导体元件的保护涂层剂不吸收光或散射光。
[0003]作为通过氢化硅烷化反应而固化，而形成折射率大、透光性高的固化物的加成固化型硅酮组合物，可以列举例如:包含含有键结于硅原子上的苯基与键结于硅原子上的烯基的有机聚硅氧烷、有机氢环硅氧烷及氢化硅烷化反应用催化剂的固化性有机聚硅氧烷组合物(参照专利文献I);包含含有键结于硅原子上的苯基与键结于硅原子上的烯基的粘度为10，OOOcp (250C )以上的液体或固体有机聚硅氧烷、I分子中具有至少2个键结于硅原子上的氢原子的有机氢聚硅氧烷、及氢化硅烷化反应用催化剂的固化性有机聚硅氧烷组合物(参照专利文献2);包含I分子中具有至少2个键结于硅原子上的烯基且具有键结于硅原子上的芳基的有机聚硅氧烷、I分子中具有至少2个键结于硅原子上的氢原子的有机聚硅氧烷、及钼与含芳基的有机硅氧烷低聚物的络合物的固化性有机聚硅氧烷组合物(参照专利文献3);及，分子链两末端通过硅氧烷键由键结于硅原子上的氢原子封端的有机聚硅氧烷组合物(参照专利文献4)等。
[0004]然而，这些固化性有机聚硅氧烷组合物可能会难以使固化与透明性保持平衡，或由于少量的催化剂毒物而产生剥离。
[0005]并且，还存在以下问题:粘度较高而导致缺乏填充性，固化物缺乏密接性而容易从基材上剥离，难以控制固化性而导致在现场制造时容易发生故障，抗裂性(crackresistance)差,透气性较高而容易`腐蚀基板。
[0006]并且，还提出一种同时使用直链状娃酮油(silicone oil)与具有分支结构的娃酮树脂的加成固化型硅酮组合物(参照专利文献5)，但对基材的密接性和抗裂性不充分。
[0007]现有技术文献
[0008]专利文献
[0009]专利文献1:日本特开平8-176447号公报
[0010]专利文献2:日本特开平11-1619号公报
[0011]专利文献3:日本特开2003-128922号公报
[0012]专利文献4:日本特开2005-105217号公报
[0013]专利文献5:日本特开2004-143361号公报
【发明内容】
[0014]本发明是鉴于上述状况而完成的，其目的在于，提供一种加成固化型硅酮组合物、及以该组合物的固化物将半导体元件覆盖而成的可靠性优异的半导体装置，所述加成固化型硅酮组合物，粘度低且填充性良好，固化性良好,固化并形成折射率大、透光率高、对基材的密接性高、抗裂性优异、透气性低的固化物。
[0015]为了解决上述问题，本发明提供一种加成固化型硅酮组合物，其特征在于，其含有:由下述平均单元式(I)所表示的有机聚硅氧烷100质量份:
[0016](R1SiO372) al (R12SiO272) bi (R13SiOl72) cl (X1O172) dl (I)
[0017]{式中，R1可以相同或不同，且为取代或未被取代的一价烃基(其中，Rl的0.1~50摩尔％为烯基，R1的10摩尔％以上为芳基)，X1为氢原子或烷基；al为0.25~1，bl为
O~0.75，Cl 为 O ~0.3，dl 为 O ~0.1，且 al + bl + cl + dl = 1}；
[0018](B)由下述平均单元式(2)所表示的有机聚硅氧烷I~500质量份:
[0019](R2SiO372 ) a2 (R22SiO272)b2 (R23SiOl72) c2X201/2)d2 (2)
[0020]{式中，R2可以相同或不同，且为取代或未被取代的一价烃基(其中，R2的0.001~20摩尔％为烯基，R2的10摩尔％以上为芳基)，X2为氢原子或烷基；a2为O~0.1，b2为
0.5 ~0.995，c2 为 0.005 ~0.5，d2 为 O ~0.1，且 a2 + b2 + c2 + d2 = 1};
[0021](C)由下述通式(3)所表示的I分子中具有至少2个S1-H键的有机氢聚硅氧烷，相对于⑷+⑶成分合计100质量份,为I~200质量份的量:
[0022]
【权利要求】
1.一种加成固化型硅酮组合物，其特征在于，其含有: (A)由下述平均单元式(I)所表示的有机聚硅氧烷100质量份:
(R1SiO372) al (R12SiO272) bl (R13SiOl72) cl (X1O172) dl (I) 式(I)中，R1可以相同或不同，且为取代或未被取代的一价烃基，并且，R1的0.1~50摩尔％为烯基，R1的10摩尔％以上为芳基J1为氢原子或烷基；al为0.25~1，bl为O~0.75，Cl 为 O ~0.3，dl 为 O ~0.1，且 al + bl + Cl + dl = 1， (B)由下述平均单元式(2)所表示的有机聚硅氧烷I~500质量份:
(R2SiO372 ) a2) (R22SiO272)b2(R23SiOl72)c2(X2Ol72)d2 (2)， 式(2)中，R2可以相同或不同，且为取代或未被取代的一价烃基，并且，R2的0.001~20摩尔％为烯基，R2的10摩尔％以上为芳基；X2为氢原子或烷基；a2为O~0.1，b2为0.5~0.995，c2 为 0.005 ~0.5，d2 为 O ~0.1，且 a2 + b2 + c2 + d2 = 1， (C)由下述通式(3)所表示的I分子中具有至少2个S1-H键的有机氢聚硅氧烷，相对于⑷+⑶成分合计100质量份,为I~200质量份的量:CH3R3R3 CH3II 1.1HSh.GH2-CH2- —Si~-o— -S1-~CH2 CH2 -SiH( 3)II IICH3R3R3CH3
mmm 式(3)中，R3为氢原子、烷基、芳基、及卤代烷基中的任一种，重复单元之间和重复单元内的各个R3可以相同或不同邱为O以上的整数， 及，(D)促进本组合物的固化的量的氢化硅烷化反应用催化剂。
2.如权利要求1所述的加成固化型硅酮组合物，其中，在前述(A)成分中，前述平均单元式(I)中的R1的芳基的含率为30摩尔％以上。
3.如权利要求1所述的加成固化型硅酮组合物，其中，在前述(B)成分中，前述平均单元式(2)中的R2的芳基的含率为20摩尔％以上。
4.如权利要求2所述的加成固化型硅酮组合物，其中，在前述(B)成分中，前述平均单元式(2)中的R2的芳基的含率为20摩尔％以上。
5.如权利要求1所述的加成固化型硅酮组合物，其中，在前述(C)成分中，前述通式(3)中的键结于硅原子上的R3与H的合计的30摩尔％以下为苯基。
6.如权利要求2所述的加成固化型硅酮组合物，其中，在前述(C)成分中，前述通式(3)中的键结于硅原子上的R3与H的合计的30摩尔％以下为苯基。
7.如权利要求3所述的加成固化型硅酮组合物，其中，在前述(C)成分中，前述通式(3)中的键结于硅原子上的R3与H的合计的30摩尔％以下为苯基。
8.如权利要求4所述的加成固化型硅酮组合物，其中，在前述(C)成分中，前述通式(3)中的键结于硅原子上的R3与H的合计的30摩尔％以下为苯基。
9.如权利要求1至8中的任一项所述的加成固化型硅酮组合物，其中，在前述(C)成分中，前述通式(3)中的m为20以下的整数。
10.如权利要求1至8中的任一项所述的加成固化型硅酮组合物，其中，固化并形成在589nm的可见光中的25°C下的折射率为1.5以上的固化物。
11.如权利要求1至8中的任一项所述的加成固化型硅酮组合物，其中，固化并形成在25 °C下的透光率为80%以上的固化物。
12.—种半导体装置，其特征在于，其通过权利要求1至8中的任一项所述的加成固化型硅酮组合物的固化物将半导体元件覆盖。
【文档编号】C08L83/05GK103571209SQ201310331667
【公开日】2014年2月12日 申请日期:2013年8月1日 优先权日:2012年8月1日
【发明者】小材利之, 茂木胜成 申请人:信越化学工业株式会社