放热构件用组合物、放热构件、电子装置、放热构件的制造方法与流程
技术特征：
1.一种放热构件用组合物，其包含：
与偶合剂的一端键结的导热性的第1无机填料；及
与偶合剂的一端键结且在键结有所述偶合剂的另一端进而键结有2官能以上的聚合性化合物的导热性的第2无机填料；且
通过硬化，所述第1无机填料所键结的偶合剂的另一端与所述第2无机填料的所述聚合性化合物键结。
2.一种放热构件用组合物，其包含：
与偶合剂的一端键结的导热性的第1无机填料；及
与偶合剂的一端键结的导热性的第2无机填料；且
所述第1无机填料所键结的偶合剂与所述第2无机填料所键结的偶合剂分别具有使偶合剂彼此键结的官能基，
通过硬化，所述第1无机填料所键结的偶合剂的另一端与所述第2无机填料所键结的偶合剂的另一端键结。
3.根据权利要求1或2所述的放热构件用组合物，其中
所述第1无机填料与所述第2无机填料为氮化物、或碳材料。
4.根据权利要求3所述的放热构件用组合物，其中
所述第1无机填料与所述第2无机填料为选自氮化硼、碳化硼、硼碳氮、石墨、碳纤维、碳纳米管中的至少一种。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的放热构件用组合物，其进而包含：
第3无机填料，所述第3无机填料具有与所述第1无机填料及所述第2无机填料不同的热膨胀系数，且为与偶合剂的一端键结、或与键结有聚合性化合物的偶合剂的一端键结的导热性的第3无机填料。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的放热构件用组合物，其进而包含：
所述第1无机填料及所述第2无机填料所未键结的有机化合物或高分子化合物。
7.根据权利要求1所述的放热构件用组合物，其中
所述2官能以上的聚合性化合物为在两末端具有包含氧杂环丙基或氧杂环丁基的结构的聚合性化合物。
8.根据权利要求7所述的放热构件用组合物，其中
所述2官能以上的聚合性化合物为下述式(1-1)所表示的至少一种聚合性液晶化合物，
Ra1-Z-(A-Z)m1-Ra1 …(1-1)
[所述式(1-1)中，
Ra1分别为下述式(2-1)～式(2-2)的任一者所表示的聚合性基；
A为1，4-亚环己基、1，4-亚环己烯基、1，4-亚苯基、萘-2，6-二基、四氢萘-2，6-二基、芴-2，7-二基、双环[2.2.2]辛-1，4-二基、或双环[3.1.0]己-3，6-二基，
这些环上，任意的-CH2-可被-O-取代，任意的-CH＝可被-N＝取代，任意的氢可被卤素、碳数1～10的烷基、或碳数1～10的卤化烷基取代，
所述烷基中，任意的-CH2-可被-O-、-CO-、-COO-、-OCO-、-CH＝CH-、或-C≡C-取代；
Z分别独立地为单键、或碳数1～20的亚烷基，
所述亚烷基中，任意的-CH2-可被-O-、-S-、-CO-、-COO-、-OCO-、-CH＝CH-、-CF＝CF-、-CH＝N-、-N＝CH-、-N＝N-、-N(O)＝N-、或-C≡C-取代，任意的氢可被卤素取代；
m1为1～6的整数]
[式(2-1)～式(2-2)中，Rb为氢、卤素、-CF3、或碳数1～5的烷基，q为0或1]。
9.根据权利要求8所述的放热构件用组合物，其中
所述式(1-1)中，A为1，4-亚环己基、任意的氢被卤素取代的1，4-亚环己基、1，4-亚苯基、任意的氢被卤素或甲基取代的1，4-亚苯基、芴-2，7-二基、或任意的氢被卤素或甲基取代的芴-2，7-二基。
10.根据权利要求8或9所述的放热构件用组合物，其中
所述式(1-1)中，Z为单键、-(CH2)a-、-O(CH2)a-、-(CH2)aO-、-O(CH2)aO-、-CH＝CH-、-C≡C-、-COO-、-OCO-、-CH＝CH-COO-、-OCO-CH＝CH-、-CH2CH2-COO-、-OCO-CH2CH2-、-CH＝N-、-N＝CH-、-N＝N-、-OCF2-、或-CF2O-，所述a为1～20的整数。
11.一种放热构件，
其是使根据权利要求1至10中任一项所述的放热构件用组合物硬化而获得。
12.一种电子装置，其包括：
根据权利要求11所述的放热构件；及
具有发热部的电子元件；且
将所述放热构件以接触于所述发热部的方式配置于所述电子元件。
13.一种放热构件的制造方法，其包括：
使导热性的第1无机填料与偶合剂的一端键结的步骤；
使导热性的第2无机填料与偶合剂的一端键结的步骤；
使所述第2无机填料所键结的偶合剂的另一端与2官能以上的聚合性化合物键结的步骤；及
使所述第1无机填料所键结的偶合剂的另一端与所述第2无机填料的所述2官能以上的聚合性化合物键结的步骤。
14.一种放热构件的制造方法，其包括：
使导热性的第1无机填料与偶合剂的一端键结的步骤；
使导热性的第2无机填料与偶合剂的一端键结的步骤；及
使所述第1无机填料所键结的偶合剂的另一端与所述第2无机填料所键结的偶合剂的另一端键结的步骤。
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