1.一种微电子芯片封装处理材料，其特征在于：由以下质量份数的组分组成：聚氨基甲酸酯18～22份、尿素甲醛树脂16～20份、丙烯酸丁酯16～20份、甲基丙烯酸甲酯14～18份、改性酚醛树脂16～20份、甲基异丁基甲醇16～20份、牛脂基二羟乙基氧化胺14～18份、N-甲基吡咯烷酮16～20份、丙酸戊酯16～20份、二乙二醇乙醚14～18份、硼酸钙14～18份、二苯并呋喃14～18份、十六烷基溴16～20份、咪唑啉14～18份、氟硅酸铵12～16份、白云石粉末16～20份、氮化钛粉末14～18份、二氟化铅粉末12～16份、二氧化钛粉末14～18份、氟化钙粉末12～16份、锡酸锌12～16份、聚噻吩12～16份、聚磷酸铵10～14份、对甲苯酚6～10份、三甘醇二异辛酸酯4～8份、硬脂酸聚乙二醇酯4～8份、乙酰柠檬酸三丁酯4～8份、乙二醇一异丁醚4～8份、次磺酰胺类促进剂4～8份、2-硫醇基苯骈噻唑4～8份。
2.根据权利要求1所述的微电子芯片封装处理材料，其特征在于：所述微电子芯片封装处理材料由以下质量份数的组分组成：聚氨基甲酸酯18份、尿素甲醛树脂16份、丙烯酸丁酯16份、甲基丙烯酸甲酯14份、改性酚醛树脂16份、甲基异丁基甲醇16份、牛脂基二羟乙基氧化胺14份、N-甲基吡咯烷酮16份、丙酸戊酯16份、二乙二醇乙醚14份、硼酸钙14份、二苯并呋喃14份、十六烷基溴16份、咪唑啉14份、氟硅酸铵12份、白云石粉末16份、氮化钛粉末14份、二氟化铅粉末12份、二氧化钛粉末14份、氟化钙粉末12份、锡酸锌12份、聚噻吩12份、聚磷酸铵10份、对甲苯酚6份、三甘醇二异辛酸酯4份、硬脂酸聚乙二醇酯4份、乙酰柠檬酸三丁酯4份、乙二醇一异丁醚4份、次磺酰胺类促进剂4份、2-硫醇基苯骈噻唑4份。
3.根据权利要求1至2所述的微电子芯片封装处理材料，其特征在于：所述微电子芯片封装处理材料由以下质量份数的组分组成：聚氨基甲酸酯20份、尿素甲醛树脂18份、丙烯酸丁酯18份、甲基丙烯酸甲酯16份、改性酚醛树脂18份、甲基异丁基甲醇18份、牛脂基二羟乙基氧化胺16份、N-甲基吡咯烷酮18份、丙酸戊酯18份、二乙二醇乙醚16份、硼酸钙16份、二苯并呋喃16份、十六烷基溴18份、咪唑啉16份、氟硅酸铵14份、白云石粉末18份、氮化钛粉末16份、二氟化铅粉末14份、二氧化钛粉末16份、氟化钙粉末14份、锡酸锌14份、聚噻吩14份、聚磷酸铵12份、对甲苯酚8份、三甘醇二异辛酸酯6份、硬脂酸聚乙二醇酯6份、乙酰柠檬酸三丁酯6份、乙二醇一异丁醚6份、次磺酰胺类促进剂6份、2-硫醇基苯骈噻唑6份。
4.根据权利要求1至3所述的微电子芯片封装处理材料，其特征在于：所述微电子芯片封装处理材料由以下质量份数的组分组成：聚氨基甲酸酯22份、尿素甲醛树脂20份、丙烯酸丁酯20份、甲基丙烯酸甲酯18份、改性酚醛树脂20份、甲基异丁基甲醇20份、牛脂基二羟乙基氧化胺18份、N-甲基吡咯烷酮20份、丙酸戊酯20份、二乙二醇乙醚18份、硼酸钙18份、二苯并呋喃18份、十六烷基溴20份、咪唑啉18份、氟硅酸铵16份、白云石粉末20份、氮化钛粉末18份、二氟化铅粉末16份、二氧化钛粉末18份、氟化钙粉末16份、锡酸锌16份、聚噻吩16份、聚磷酸铵14份、对甲苯酚10份、三甘醇二异辛酸酯8份、硬脂酸聚乙二醇酯8份、乙酰柠檬酸三丁酯8份、乙二醇一异丁醚8份、次磺酰胺类促进剂8份、2-硫醇基苯骈噻唑8份。
5.根据权利要求1所述的微电子芯片封装处理材料，其特征在于：所述微电子芯片封装处理材料制备方法步骤如下：
(1)将所述质量份数的聚氨基甲酸酯、尿素甲醛树脂、丙烯酸丁酯、甲基丙烯酸甲酯、改性酚醛树脂、甲基异丁基甲醇、牛脂基二羟乙基氧化胺、N-甲基吡咯烷酮、丙酸戊酯、二乙二醇乙醚、硼酸钙、二苯并呋喃、十六烷基溴、咪唑啉、氟硅酸铵、白云石粉末、氮化钛粉末、二氟化铅粉末、二氧化钛粉末、氟化钙粉末予以混合，超声高速分散，超声波频率为20～40KHz，分散速度约5000～5400r/min，分散时间为30～60min左右；
(2)加入所述质量份数的锡酸锌、聚噻吩、聚磷酸铵、对甲苯酚、三甘醇二异辛酸酯，超声高速分散，超声波频率为20～35KHz，分散速度为约4800～5200r/min，分散时间为30～50min左右；
(3)加入所述质量份数的硬脂酸聚乙二醇酯、乙酰柠檬酸三丁酯、乙二醇一异丁醚、次磺酰胺类促进剂、2-硫醇基苯骈噻唑，超声高速分散，超声波频率为20～30KHz，分散速度为约4600～4800r/min，分散时间为20～40min左右；混合均匀后制得本品。