技术特征：
技术总结
本发明公开了一种氧化石墨烯表面原位生长二氧化硅的纳米杂化填料及其制备方法。该方法首先将氧化石墨烯超声分散到水和乙醇中，然后加入氨水和催化剂，并缓慢滴加硅源单体，在30‑80℃下搅拌反应2‑8小时，经洗涤、干燥，得到二氧化硅粒子均匀生长在氧化石墨烯表面的纳米杂化填料。该纳米杂化填料表面是由二氧化硅粒子形成的纳米突起，既能阻止氧化石墨烯片层间的堆叠，又能提高杂化填料的比表面积，有望显著改善杂化填料在聚合物基体中的分散状态和聚合物‑杂化填料之间的界面作用。因此，本发明在功能化填料和高性能复合材料的制备领域均具有潜在的应用价值。
技术研发人员：贾志欣;董焕焕;钟邦超;胡德超;林静;罗远芳;贾德民
受保护的技术使用者：华南理工大学
技术研发日：2017.06.27
技术公布日：2017.09.29