包含凸状固化产品和基板的集成件的制造方法
【技术领域】
[0001] 本发明设及一种制造其中使用可固化有机娃组合物在基板上形成凸状固化产品 的集成件的方法，特别是设及一种制造其中在半导体元件上或其上安装有所述元件的基板 上形成凸状固化产品的集成件的方法。
[0002] 本发明要求于2012年10月15日提交的日本专利申请No. 2012-228327的优先权， 该专利申请的内容W引用方式并入本文。
【背景技术】
[0003] 可固化有机娃组合物用于光禪合器、发光二极管、固态图像感测装置W及具有光 学半导体元件的其他类型的光学半导体装置W密封所述元件。对于该些组合物而言，要求 其固化产品不吸收或散射由光学半导体元件发射或接受的光，且有时要求所述固化产品为 半球形、半圆柱形、寫顶形或类似的凸形W便改善光学半导体装置的光学性质。
[0004] 例如，日本未经审查的专利申请公布No. 2008-231199公开了灌注触变可固化有 机娃组合物W密封发光元件，并为密封体赋予凸透镜形状。
[0005] 日本未经审查的专利申请公布No. 2009-235265公开了使用分配器将触变可固化 有机娃组合物逐滴沉积在基板上W密封发光元件，并为密封体赋予凸透镜形状。
[0006] 然而，日本未经审查的专利申请公布No. 2008-231199和2009-235265中所公开的 方法存在难W控制触变性从而使得在实践中无法获得具有所需半球形、半圆柱形、寫顶形 或类似凸形的密封体的问题。另外，该触变可固化有机娃组合物的高粘度阻碍了其从分配 器的快速分配，从而导致分配该组合物所需的时间问题W及在分配该组合物时形成线状物 的问题。此外，根据为赋予该可固化有机娃组合物触变性质而添加到其中的填充剂，该可固 化有机娃组合物可能变混浊，从而导致光学性质方面的问题。
[0007] 本发明鉴于如上所述的现有技术中的问题而实现，并且其目标是提供一种能够有 效地制造其中使用可固化有机娃组合物在基板上形成凸状固化产品的集成件的方法。
【发明内容】
[000引作为为实现上述目标而努力研究的结果，本发明人发现：当将具有特定粘度和可 固化质的可固化有机娃组合物逐滴沉积或分配到基板上时，预先设定基板的温度使得可W 有效制造其中形成了所需凸状固化产品的集成件，从而达成本发明。
[0009] 具体地讲，本发明的目标经由制造包含凸状固化产品和基板的集成件的方法来 实现，该方法包括W下步骤：将可固化有机娃组合物逐滴沉积或分配到经预热的基板上， 该组合物在基板所加热到的温度下在刚开始测量后的60秒内达到使用硫化计根据JIS K 6300-2测得的IdN ? m的扭矩值，并在所述温度下具有至少0. 05化? S的粘度。
[0010] 在根据本发明的制造方法中，将基板优选地预热到至少50°C。具体地讲，将基板优 选地加热到一定的温度，W使得可固化有机娃组合物在基板所加热到的温度下的粘度与可 固化有机娃组合物在25 °C下的粘度之比为至少0. 01。另外，基板优选地为半导体装置或用 于半导体装置的基板；特别是，半导体装置优选地为光学半导体装置。
[001U 可固化有机娃组合物优选地在25°C下具有至少2. 0化，s的粘度和在25°C下小于 1. 50的折射率。该样的可固化有机娃组合物优选地经由娃氨加成反应而热固化。
[0012] 凸状固化产品可包封半导体元件。半导体元件可存在于基板上。
[0013] 半导体元件优选地由光学半导体构成。
[0014] 光学半导体优选地为LED。
[0015] 本发明还设及一种包含根据上述制造方法所获得的集成件的光学装置。
[001 d 本发巧的效果
[0017] 根据本发明，可能的是有效地制造其中使用可固化有机娃组合物在基板上形成半 球形、半圆柱形、寫顶形或类似凸形固化产品的集成件。
[0018] 特别是，在根据本发明的制造方法中，无需预先形成用于防止可固化有机娃组合 物在逐滴沉积或分配到基板上后扩散的围堤构件。因此，即使基板具有平坦表面，也可容易 地制造具有半球形、半圆柱形、寫顶形或类似凸形的凸状固化产品。
【附图说明】
[0019] 图1是根据本发明制造方法制造的光学装置的一个例子的示意性横截面视图。
[0020] 图2是图1中所示的光学装置的示意性透视图。
[0021] 图3是根据本发明制造方法制造的光学装置的另一个例子的示意性横截面视图。
[0022] 图4是根据本发明制造方法制造的光学装置的另一个例子的示意性透视图。
[0023] 图5是根据本发明制造方法制造的光学装置的另一个例子的示意性横截面视图。
【具体实施方式】
[0024] 在根据本发明的制造方法中，将具有预定的粘度性质和预定的可固化质的可固化 有机娃组合物逐滴沉积或分配到经预热的基板上。
[0025] 对用于本发明的基板并无特别限制，只要其耐热即可；基板材料的例子包括：金 属，诸如银、金、铜、侣和镶；半导体，诸如娃；玻璃，诸如耐热玻璃；高烙点热塑性树脂；热固 性树脂，诸如环氧树脂、BT树脂、聚酷亚胺树脂和有机娃树脂；陶瓷，诸如氧化侣和氮化侣； W及它们的复合物。
[0026] 在本发明中，对基板预热。在本发明中，必须根据可固化有机娃组合物的固化性 质来调整加热温度。对加热温度并无特别限制，但至少50°C的温度是优选的，至少60°C的 温度是更优选的，至少70°C的温度是还要优选的，并且至少80°C的温度是尤其优选的。对 加热温度的上限也无限制，但不大于220°C的温度是优选的，不大于180°C的温度是更优选 的，并且不大于160°C的温度是还要优选的。对加热方法并无特别限制，并且可W采用任何 加热方法，诸如经由热板等进行直接加热、经由红外福射进行福射加热或经由微波进行感 应加热。
[0027] 用于本发明的可固化有机娃组合物的折射率优选地小于1. 50。其固化产品的折射 率优选地也小于1.50。可使用例如阿贝折射计测量折射率。在此类情况下，可改变阿贝折 射计的光源的波长W测量在所需波长下的折射率。可固化有机娃组合物或其固化产品优选 地在可见光波长巧89nm)下具有小于1. 50、更优选地1. 40至1. 49、还优选地1. 42至1. 47 的折射率（25°C)。通常，可固化有机娃组合物优选地为非苯基组合物，其包含具有甲基基 团或其他烷基基团的有机聚硅氧烷（诸如二甲基聚硅氧烷）作为主要组分。
[002引用于本发明的可固化有机娃组合物或其固化产品优选地具有至少80%、更优选地 至少90%、还优选地至少95%的光学透射率（25°C )。该光学透射率可例如通过使用分光 光度计在0. 1cm光程长和450nm波长下测量可固化有机娃组合物或固化产品的光学透射率 (25°C )来获得。
[0029] 用于本发明的可固化有机娃组合物优选地为不具有娃键合的苯基基团的非苯基 可固化有机娃组合物。更优选的是，除苯基基团W外的芳基基团也不键合到娃原子。
[0030] 对可固化有机娃组合物并无特别限制；例子包括（A)在分子中具有至少两个締基 基团的有机聚硅氧烷、炬）在分子中具有至少两个娃键合的氨原子的有机聚硅氧烷和（C) 包含至少娃氨加成催化剂的娃氨加成-可固化有机娃组合物。
[003U 组分（A)优选地在25°C下具有50至100, OOOmPa ? S范围内的粘度。
[0032] 对组分（A)的分子结构无限制；例子包括直链、部分支化的直链、支链、树枝状、网 状或环状结构。
[0033] 组分（A)中的締基基团的例子包括具有2至10个碳的直链或支链締基基团，诸如 己締基基团、締丙基基团、丙締基基团、异丙締基基团、了締基基团、戊締基基团和己締基基 团。己締基基团或締丙基基团是优选的，并且己締基基团是更优选的。组分（A)可任选地 在分子中具有=个或更多个娃键合的締基基团。
[0034] 组分（A)中具有1至10个碳的烷基基团的例子包括甲基基团、己基基团、丙基基 团、异丙基基团、了基基团、异了基基团、叔了基基团、戊基基团、新戊基基团、己基基团、庚 基基团和其他直链或支链烷基基团。烷基基团中的部分氨原子可被面素原子、哲基基团、环 氧基基团等取代，诸如氯甲基基团、3-氯丙基基团、3, 3, 3-=氣丙基基团和其他面代烷基 基团。
[0035] 组分（A)的例子包括；在两个分子末端被=甲基甲娃烷氧基基团封端的甲基己締 基聚硅氧烷；在两个分子末端被=甲基甲娃烷氧基基团封端的甲基己締基硅氧烷与二甲基 硅氧烷的共聚物；在两个分子末端被二甲基己締基甲娃烷氧基基团封端的甲基己締基聚娃 氧烧；在两个分子末端被^甲基己締基甲娃烷氧基基团封端的^甲基硅氧烷与甲基己締基 硅氧烷的共聚物；环状甲基己締基硅氧烷；环状二甲基硅氧烷-甲基己締基硅氧烷共聚物； 由式（CH3)3Si〇i/2表示的硅氧烷单元、由式畑2= CH)畑3)2Si〇i/2表示的硅氧烷单元和由 式Si〇4/2表示的硅氧烷单元所组成的共聚物；由式（邸2= CH) (CH3)2Si〇i/2表示的硅氧烷单 元和由式Si〇4/2表示的硅氧烷单元所组成的共聚物；由式（CH3)3Si〇i/2表示的硅氧烷单元、 由式（吼二CH) (CH3)2Si〇i/康示的硅氧烷单元、由式（CH3)2Si〇2/2表示的硅氧烷单元