一种含硅芳香族二元胺及其制备方法

文档序号:8537910阅读:512来源:国知局
一种含硅芳香族二元胺及其制备方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及有机硅材料单体含硅芳香族二元胺,及其制备方法。
【背景技术】
[0002] 由于含硅材料优异的耐热性、柔韧性和阻燃性等性能,通过含硅二元胺、二元酚、 二元酸等含硅高分子材料单体,在聚酰胺、聚酰亚胺、聚酯、聚碳酸酯、环氧树脂等材料中引 入硅元素,从而得到化学改性的新型高分子材料,是有机硅工业和高分子材料工业的重要 发展方向。
[0003] 芳香族二元胺如对苯二胺、4, 4' -联苯二胺、二氨基二苯醚、4, 4' -二氨基二苯甲 烷等,广泛用于制备芳香族聚酰胺、芳香族聚酰亚胺等材料,也常用作环氧树脂的固化剂。 但这些芳香族二元胺大多存在柔韧性不足、阻燃性差等缺陷,因此将硅材料通过共混、共 聚、接枝等手段引入聚酰胺、聚酰亚胺、环氧树脂等材料中,是一种较为理想的选择。其中将 含硅单体通过共聚引入高分子材料是最为有效的改性方法之一。
[0004] 目前比较成功的含硅芳香族二元胺主要有以下几种结构:二取代二(4或3-氨基 苯基)硅烷(5)(如 Pratt 等,Journal of Organic Chemistry,1975, 40,1090-1094)、二 取代二(4或3-氨基苯氧基)硅烷(6)(如Patterson,美国专利US 3660434)和1,3-二(4 或 3-氨基苯基)-1,1,3, 3-四取代二硅氧烷(7)(如 Weisenfeld 等,Journal of Organic Chemistry,1986, 51,2434-2436 和 Dougherty 等,美国专利 US 5286890)。其中结构(5)的 化合物合成需要使用有机锂、有机钠或有机镁等有机金属试剂,条件苛刻,氨基需要预先保 护或使用硝基物为原料,而且结构(5)的化合物柔韧性不足;结构(6)的化合物合成以氨基 苯酚与二取代二氯硅烷或二取代二烷氧基硅烷反应,虽然成本较低,但产物的芳基与硅通 过硅氧键连接,存在稳定性欠佳等不足;结构(7)的化合物合成同样需要有机锂或有机镁 等有机金属试剂,制备条件较为苛刻,成本较高,难以实现规模化生产。
[0005]
【主权项】
1. 一种如式(1)所示结构的含硅芳香族二元胺,
其中,氨基在苯环的3位或4位,R1为甲基时,1?2为环己基、苯基或3, 3, 3-三氟丙基, R1为苯基时,R2为乙基、丙基、丁基、环己基、苯基或3, 3, 3-三氟丙基,R 1与R2相同时,分别 为乙基、丙基、丁基或环己基。
2. 如权利要求1所述的含娃芳香族二元胺,其特征为:含娃芳香族二元胺的结构如式
所示,其中R为甲基或苯基。
3. 如权利要求1所述的含娃芳香族二元胺,其特征为:含娃芳香族二元胺的结构如式
所示,其中R为甲基或苯基。
4. 一种制备如权利要求1所述含娃芳香族二元胺的方法,其特征为:3-乙烯基苯胺或 4-乙烯基苯胺,与如式(4)
,所示结构的二取代硅烷,经铂催化剂催化的硅氢 化一步反应,脱溶,重结晶得到如式(1)所示结构的产物二取代二(氨基苯乙基)硅烷,即 本发明的含硅芳香族二元胺,上述式(4)和式(1)中的&和R 2所指与权利要求1中的所指 相同,氨基在苯环的3位或4位。
5. 如权利要求4所述的含硅芳香族二元胺的制备方法,其特征为:所述硅氢化 反应的铂催化剂为氯铂酸、二氧化铂、氯化亚铂、二(苯腈)二氯化铂或1,3_二乙烯 基-1,1,3, 3-四甲基二硅氧烷合铂。
6. 如权利要求5所述的含硅芳香族二元胺的制备方法,其特征为:所述硅氢化反应的 溶剂为二氯甲烷、二氯乙烷、苯、甲苯或环己烷。
7. 如权利要求5所述的含硅芳香族二元胺的制备方法,其特征为:所述硅氢化反应的 反应温度为(TC至35 °C。
8. 如权利要求4所述的含硅芳香族二元胺的制备方法,其特征为:所述硅氢化反应的 粗产物以乙酸乙酯、乙酸丙酯、乙酸异丙酯、乙酸丁酯、乳酸甲酯、乳酸乙酯、碳酸二甲酯、碳 酸二乙酯、碳酸乙烯酯、碳酸丙烯酯、异丙醇或其混合物为溶剂进行重结晶。
【专利摘要】本发明提供了一种含硅芳香族二元胺及其制备方法,以二取代硅烷和4-乙烯基苯胺或3-乙烯基苯胺为原料,在铂催化剂作用下,经硅氢化一步反应制得二取代二(氨基苯乙基)硅烷,该化合物中,两个含氨基苯环分别经两个碳原子与同一个硅原子相连,具有良好的柔韧性、阻燃性和耐热性。本发明合成工艺具有原料易得、操作简单、条件温和、产品收率高、成本低、绿色环保等特点,具有较高的工业化生产价值。
【IPC分类】C07F7-12, C07F7-10, C08G59-50
【公开号】CN104860977
【申请号】CN201510252040
【发明人】郑土才, 潘向军, 赵芝清, 李 杰, 金懿, 吕延文
【申请人】衢州学院
【公开日】2015年8月26日
【申请日】2015年5月18日
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