一种半导体表面清洗剂及其制备方法
【技术领域】
[0001] 本发明设及清洗剂领域，尤其设及一种半导体表面清洗剂及其制备方法。
【背景技术】
[0002] 无机的半导体材料在电子工业、数码工业、太阳能产业中广泛采用。其污物主要是 表面残留物、助焊剂、松香、树脂、油污、指印、灰尘，清洗剂需是易挥发有机体系、且快速、高 效、通常在较低溫度下进行清洗。
【发明内容】
[0003] 本发明所要解决的技术问题在于，提供一种成本相对较低、使用效果佳、快速、且 在较低溫度下进行清洗的半导体表面清洗剂。
[0004] 本发明所采用的技术方案为：一种半导体表面清洗剂，按重量份包括如下组分： 氣碳溶剂10-60份、氨氣酸10-60份、有机醇1-20份、表面活性剂1-20份、馨合剂1-15份 和稳定剂1-15份。
[0005] 优选的，所述半导体表面清洗剂，按重量份包括如下组分：氣碳溶剂30-50份、氨 氣酸30-50份、有机醇5-10份、表面活性剂1-10份、馨合剂2-5份和稳定剂2-7份。
[0006] 更优选的，所述半导体表面清洗剂，按重量分包括如下组分：氣碳溶剂40份、氨氣 酸50份、有机醇5份、表面活性剂1份、馨合剂2份和稳定剂2份。
[0007] 优选的，所述氣碳溶剂为含Cs~C1。的氣代控化合物或其混合物，更优选的，所述 氣碳溶剂为十六氣庚烧或其它类似物的混合物。
[000引优选的，所述氨氣酸为含Cs~C1。的氣代氨氣酸或其混合物，更优选的，所述氨氣 酸为九氣下基甲酸或其它类似物的混合物。
[0009] 优选的，所述有机醇为含C3~C7的有机醇或其混合物，更优选的所述有机醇为异 丙醇或其它类似物的混合物。
[0010] 优选的，所述表面活性剂为非离子型表面活性剂，更优选的，为非离子型氣碳表面 活性剂巧e602型）。
[0011] 优选的，所述馨合剂为含C7-C2。的含N杂环类有机馨合物或其混合物，更优选的为 2-(2'-径基苯基）苯并咪挫或其类似物的混合物。
[0012] 优选的，所述稳定剂为含C2-C7的氣代醇或其混合物，更优选的为S氣乙醇或其类 似物的混合物。
[0013] 本发明还提供了一种半导体清洗剂的制备方法，主要包括如下步骤：
[0014] (1)按化学式准确称量氣碳溶剂、氨氣酸、有机醇、表面活性剂、馨合剂和稳定剂；
[0015] (2)将混合后的上述原料揽拌、溶解，即可制得本发明的半导体表面清洗剂。
[0016] 实施本发明实施例，具有如下有益效果：
[0017] 本发明半导体表面清洗剂含氣代化合物，因而不易燃、挥发速率快，不含破坏环 境的氣氯控类化合物，对半导体表面污垢具有较好的溶解、清洗性能。对半导体材料或产品 的表面残留物、助焊剂、松香、树脂、油污、指印、灰尘有优良的清洗效果，而且清洗需在较低 溫度下的有机体系中进行、具备快速、高效的特点。也可用在电子、数码、太阳能工业产品的 表面清洗上。
【具体实施方式】
[0018] 为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将对本发明作进一步地详细 描述。
[001引 实施例1:
[0020] 按化学式准确称量十六氣庚烧、九氣下基甲酸、异丙醇、Ee602型非离子型氣碳表 面活性剂、2-(2'-径基苯基）苯并咪挫和=氣乙醇；
[0021] 控制各成份重量百分比如下：
[0022] 十六氣庚烧，其用量40% ;
[0023] 九氣下基甲酸，其用量50 %;
[0024] 异丙醇，其用量5%;
[00巧]非离子型氣碳表面活性剂巧e602型，上海久±城化学有限公司），其用量1% ;
[0026] 2-(2'-径基苯基）苯并咪挫，其用量2% ;
[0027]S氣乙醇，其用量2%;
[0028] 在制造过程中，包括：混料、揽拌、溶解等过程。先按上述原材料比例称量反应原 料，机械混合、溶解，并在超级恒溫槽中恒溫50-80°C。把含污物的半导体忍片放入，揽拌 清洗4-7分钟取出，观察清洗效果。
[0029] 对比：实验条件不变，但原料中缺了馨合剂，2-(2'-径基苯基）苯并咪挫的情 况。实验结果（实验编号1、2、3、4)见表1。
[0030] 实施例2:
[0031] 按化学式准确称量十六氣庚烧、九氣下基甲酸、异丙醇、Ee602型非离子型氣碳表 面活性剂、2-(2'-径基苯基）苯并咪挫和=氣乙醇；
[0032] 控制各成份重量百分比如下：
[0033] 十六氣庚烧，其用量50%;
[0034] 九氣下基甲酸，其用量30%;
[0035] 异丙醇，其用量10%;
[0036] 非离子型氣碳表面活性剂巧e602型，上海久±城化学有限公司），其用量2%;
[0037] 2-(2'-径基苯基）苯并咪挫，其用量5%;
[0038]S氣乙醇，其用量3%;
[0039] 在制造过程中，包括：混料、揽拌、溶解等过程。先按上述原材料比例称量反应原 料，机械混合、溶解，并在超级恒溫槽中恒溫40-70°C。把含污物的半导体忍片放入，揽拌 清洗4-7分钟取出，观察清洗效果。
[0040] 对比：实验条件不变，但原料中缺了馨合剂，2-(2'-径基苯基）苯并咪挫的情 况，实验结果（实验编号5、6、7、8)见表1。
[00川 实施例3:
[0042] 按化学式准确称量十六氣庚烧、九氣下基甲酸、异丙醇、Ee602型非离子型氣碳表 面活性剂、2-(2'-径基苯基）苯并咪挫和=氣乙醇；
[0043] 控制各成份重量百分比如下：
[0044] 十六氣庚烧，其用量30% ;
[0045] 九氣下基甲酸，其用量50% ;
[0046] 异丙醇，其用量8%;
[0047] 非离子型氣碳表面活性剂巧e602型，上海久±城化学有限公司），其用量2% ;
[0048] 2-(2'-径基苯基）苯并咪挫，其用量3%;
[0049] S氣乙醇，其用量7%;
[0050] 在制造过程中，包括：混料、揽拌、溶解等过程。先按上述原材料比例称量反应原 料，机械混合、溶解，并在超级恒溫槽中恒溫20-5(TC。把含污物的半导体忍片放入，揽拌 清洗4-7分钟取出，观察清洗效果。
[0051] 对比：实验条件不变，但原料中缺了馨合剂，2-(2'-径基苯基）苯并咪挫的情 况，实验结果（实验编号9、10、11、12)见表1。
[0052] 表1实施例实验情况表
[0053]
[0054]
[00 巧]
[0056] 表1包括了原料比例变化、清洗溫度变化及清洗时间变化的实验结果，结果表明： 本发明的半导体表面清洗剂，是优良的半导体材料清洗剂，可W有效地清洗半导体表面的 各种污染物。由于半导体材料在电子工业、数码工业、太阳能产业中广泛采用，因此对运类 清洗材料的需求很大，市场化前景十分广阔。
[0057] 实施例4 :
[0058] 按化学式准确称量十六氣庚烧、九氣下基甲酸、异丙醇、Ee602型非离子型氣碳表 面活性剂、2-(2'-径基苯基）苯并咪挫和=氣乙醇；
[0059] 控制各成份重量百分比如下：
[0060] 十六氣庚烧，其用量80%;
[0061] 九氣下基甲酸，其用量10% ;
[0062] 异丙醇，其用量2%;
[0063] 非离子型氣碳表面活性剂巧e602型，上海久±城化学有限公司），其用量3%;
[0064] 2-(2'-径基苯基）苯并咪挫，其用量2%;
[0065] S氣乙醇，其用量3%;
[0066] 在制造过程中，包括：混料、揽拌、溶解等过程。先按上述原材料比例称量反应原 料，机械混合、溶解，并在超级恒溫槽中恒溫50-80°C。
[0067] 实施例5:
[0068] 按化学式准确称量十六氣庚烧、九氣下基甲酸、异丙醇、Ee602型非离子型氣碳表 面活性剂、2-(2'-径基苯基）苯并咪挫和=氣乙醇；
[0069] 控制各成份重量百分比如下：
[0070] 十六氣庚烧，其用量10%;
[0071] 九氣下基甲酸，其用量60% ;
[0072] 异丙醇，其用量10%;
[0073] 非离子型氣碳表面活性剂巧e602型，上海久±城化学有限公司），其用量10%;
[0074] 2-(2'-径基苯基）苯并咪挫，其用量5%;
[0075] S氣乙醇，其用量5%;
[0076] 在制造过程中，包括：混料、揽拌、溶解等过程。先按上述原材料比例称量反应原 料，机械混合、溶解，并在超级恒溫槽中恒溫50-80°C。
[0077] 实施例6 :
[0078] 按化学式准确称量十六氣庚烧、九氣下基甲酸、异丙醇、Ee602型非离子型氣碳表 面活性剂、2-(2'-径基苯基）苯并咪挫和=氣乙醇；
[0079] 控制各成份重量百分比如下：
[0080] 十六氣庚烧，其用量30%;
[0081] 九氣下基甲酸，其用量30% ;
[0082] 异丙醇，其用量15%;
[0083] 非离子型氣碳表面活性剂巧e602型，上海久±城化学有限公司），其用量15%;
[0084] 2-(2'-径基苯基）苯并咪挫，其用量5% ;
[0085] S氣乙醇，其用量5%;
[0086] 在制造过程中，包括：混料、揽拌、溶解等过程。先按上述原材料比例称量反应原 料，机械混合、溶解，并在超级恒溫槽中恒溫50-80°C。
[0087] W上所掲露的仅为本发明一种较佳实施例而已，当然不能W此来限定本发明之权 利范围，因此依本发明权利要求所作的等同变化，仍属本发明所涵盖的范围。
【主权项】
1. 一种半导体表面清洗剂，其特征在于，按重量份包括如下组分：氟碳溶剂10-60份、 氢氟醚10-60份、有机醇1-20份、表面活性剂1-20份、螯合剂1-15份和稳定剂1-15份。2. 根据权利要求1所述的一种半导体表面清洗剂，其特征在于，按重量份包括如下组 分：氟碳溶剂30-50份、氢氟醚30-50份、有机醇5-10份、表面活性剂1-10份、螯合剂2-5 份和稳定剂2-7份。3. 根据权利要求2所述的一种半导体表面清洗剂，其特征在于，按重量份包括如下组 分：氟碳溶剂40份、氢氟醚50份、有机醇5份、表面活性剂1份、螯合剂2份和稳定剂2份。4. 根据权利要求1~3任一项所述的半导体表面清洗剂，其特征在于：所述氟碳溶剂 为十六氟庚烷或其它类似物的混合物。5. 根据权利要求1~3任一项所述的半导体表面清洗剂，其特征在于：所述氢氟醚为 九氟丁基甲醚或其它类似物的混合物。6. 根据权利要求1~3任一项所述的半导体表面清洗剂，其特征在于：所述有机醇为 异丙醇或其它类似物的混合物。7. 根据权利要求1~3任一项所述的半导体表面清洗剂，其特征在于：所述表面活性 剂为非离子型氟碳表面活性剂。8. 根据权利要求1~3任一项所述的半导体表面清洗剂，其特征在于：所述螯合剂为 2- (2'-羟基苯基）苯并咪唑或其类似物的混合物。9. 根据权利要求1~3任一项所述的半导体表面清洗剂，其特征在于：所述稳定剂为 三氟乙醇或其类似物的混合物。10. -种制备如权利要求1~9任意一项所述的半导体表面清洗剂的制备方法，其特征 在于，包括以下步骤： (1) 按化学式准确称量氟碳溶剂、氢氟醚、有机醇、表面活性剂、螯合剂和稳定剂； (2) 将混合后的上述原料搅拌、溶解。
【专利摘要】本发明实施例公开了一种半导体表面清洗剂，按重量份包括如下组份：氟碳溶剂10-60份、氢氟醚10-60份、有机醇1-20份、表面活性剂1-20份、螯合剂1-15份和稳定剂1-15份。本发明半导体表面清洗剂含氟代化合物,因而不易燃、挥发速率快，不含破坏环境的氟氯烃类化合物，对半导体表面污垢具有较好的溶解、清洗性能，适用于半导体表面残留物、助焊剂、松香、树脂、油污、指印、灰尘的清洗，清洗效果良好。也可用在电子、数码、太阳能工业产品的表面清洗上。
【IPC分类】C11D1/66, C11D3/20, C11D3/24, C11D3/60, C11D3/28
【公开号】CN105199859
【申请号】CN201510593289
【发明人】童义平
【申请人】惠州学院
【公开日】2015年12月30日
【申请日】2015年9月17日