专利名称：晶片加工用带的制作方法
技术领域：
本发明是涉及粘合带与胶粘剂膜经层叠而成的晶片加工用带，特别是涉及在通过 伸展使胶粘剂膜对应各个芯片而将其截断时所使用的晶片加工用带。
背景技术：
在半导体装置的制造工序中，在半导体晶片贴附了具有伸缩性和粘合性的晶片加 工用带后，实施了以芯片单位切断(切割)半导体晶片的工序、使粘合带伸展的工序，进而 实施拾取经切断的芯片的工序。作为在上述半导体装置的制造工序中使用的晶片加工用带，除了由基材片与粘合 剂层形成的粘合带(切割带)以外，提出具有切割带与作为胶粘剂膜的管芯键合膜(die bonding film)(也称为管芯安装膜(die attach film))层叠成的结构的切割·管芯键合膜。一般而言，在使用切割·管芯键合膜时，首先，在半导体晶片的背面贴附切割·管 芯键合膜的管芯键合膜侧而固定半导体晶片，使用切割刀以晶片单位切割半导体晶片及管 芯键合膜。然后，通过在圆周方向上伸展切割带，来扩大芯片彼此的间隔。实施此伸展工序， 是为了提高CCD摄影机等对芯片的辨识性，以及为了防止在拾取芯片时因为邻接的芯片彼 此接触所发生的芯片的破损。但是，在上述切割工序中，使用切割刀一起切割半导体晶片与管芯键合膜时，不仅 产生晶片的切削屑，亦产生管芯键合膜的切削屑。管芯键合膜的切削屑因为其本身具有胶 粘功能，所以当切削屑塞住晶片的切割槽时，芯片彼此粘在一起而发生拾取不良等，半导体 装置的制造成品率降低。为了解决上述的问题，提出在切割工序中仅切割半导体晶片、在伸展工序中通 过伸展切割带而对应各个芯片截断管芯键合膜的方法(例如专利文献1的段落编号
段落编号W056])。通过这样的利用了伸展时的张力的管芯键合膜的截断方法， 不会产生胶粘剂的切削屑，在拾取工序中不会产生不良影响。此外，作为切断半导体晶片的方法，已知不进行半导体晶片的全切削切割而从晶 片表面形成比晶片的厚度浅的切入深度的槽的半切削切割法。在该方法中，可以通过伸展 对经半切削的晶片进行保持的切割带，来以芯片单位分割晶片。此外，认为即便在该半切削 切割法中，也可以利用伸展时的张力，连同晶片一起截断管芯键合膜。此外，近年来，作为半导体晶片的切断方法，提出使用激光加工装置而以非接触的 方式切断晶片的所谓隐形切割(stealth dicing)法。例如在专利文献2中，作为隐形切割法，公开了如下的半导体基板的切断方法，该 方法具备对于使管芯键合树脂层(管芯键合膜)介于其间贴附有片材(切割带)的半导 体基板内部，通过对准焦点光照射激光光，而在半导体基板内部形成基于多光子吸收的改 性区域，由此改性区域形成切断预定部的工序；和通过使片材伸展(expand)，而沿着切断 预定部将半导体基板及管芯键合树脂层切断的工序。
根据专利文献2的半导体基板的切断方法，由于通过激光光的照射及片材的伸展 而以非接触的方式切断半导体晶片及管芯键合树脂层(管芯键合膜)，故可以在不发生如 使用切割刀的情况那样的卷刃(tipping)而将半导体晶片切断。因此，尤其是可以用于切 断例如50 μ m以下的极薄半导体晶片的情况。专利文献1 特开2007-5530号公报专利文献2 特开2003-338467号公报
发明内容
如上所述，在采用全切削切割法、半切削切割法、及隐形切割法的任意方法的情况 下，为了避免产生作为胶粘剂的管芯键合膜的切削屑，通过切割带的伸展而截断管芯键合 膜是有效的。但是，管芯键合膜柔软且易伸展，所以会有所谓难以通过切割带的伸展进行截断 的问题。为了提高基于伸展所得到的管芯键合膜的截断性，认为可以改变管芯键合膜本身 的组成及特性等，但是会有管芯键合膜所具有的原本的功能、即胶粘于半导体芯片的背面 而使半导体芯片装配于(mount)封装基板等的所谓作为胶粘剂的功能受到阻碍的担心，不 优选改变管芯键合膜本身的组成及特性等，因此，希望开发出可以提高管芯键合膜的截断 性的切割带。因此，本发明的目的在于，提供一种可以提高在_15°C 5°C的低温下基于伸展所 得到的胶粘剂膜的截断性的晶片加工用带。本发明人等对上述的课题进行了精心研究，其结果，得到了如下所述的见解。(1)可以通过在_15°C 5°C左右的低温下实施伸展工序，使胶粘剂膜(管芯键合 膜)变硬而容易截断。(2)在如上所述的低温下，保持胶粘剂膜的粘合带的粘合强度不足时，则伸展时胶 粘剂膜与粘合带之间发生剥离，其结果，仅粘合带被拉伸而变得无法截断胶粘剂膜。因此， 粘合带即使在如上所述的低温下也需要可达到保持胶粘剂膜的粘合强度。(3)通过使用经由0°C 士2°C下的剥离试验所得到的相对于胶粘剂膜的剥离力(依 据JIS Z 0237)为0.2N/25mm以上的粘合带，即使在如上所述的低温下，也可以充分确保相 对于胶粘剂膜的粘合强度，抑制胶粘剂膜与粘合带之间的剥离，可以提高胶粘剂膜的截断 性。本发明是基于上述见解而完成的发明。S卩，本发明的第1形态的带，是具备具有基材片与粘合剂层的粘合带、和在前述粘 合带的前述粘合剂层上设置的胶粘剂膜的晶片加工用带，其特征在于，当在_15°C 5°C的 低温下通过伸展前述粘合带使前述胶粘剂膜对应于各个芯片而进行截断时被使用，通过在 O0C 士2°C下的剥离试验所得到的前述粘合带的相对于胶粘剂膜的剥离力为0. 2N/25mm以 上。本发明的第2形态，其特征在于，是在前述第1形态的晶片加工用带中，前述粘合 带的前述基材片，其伸长率为200%以上，0°C 士2°C下的杨氏模量为200MPa以上。本发明的第3形态的粘合带，其特征在于，具有基材片、与在该基材片的单面设置 的粘合剂层，是在_15°C 5°C的低温下通过伸展使胶粘剂膜对应各个芯片而被截断时使
4用的可伸展的粘合带，通过0°C 士2°C下的剥离试验所得到的相对于胶粘剂膜的剥离力为 0. 2N/25mm 以上。本发明的晶片加工用带，粘合带相对于胶粘剂膜的粘合强度优异，即使在低温下 的伸展时，也可以抑制胶粘剂膜与粘合带之间的剥离。所以，通过在低温下进行伸展，使胶 粘剂膜的截断性持续维持在高的状态，同时可以将粘合带伸展时所产生的张力传递至胶粘 剂膜，可以使胶粘剂膜对应各个芯片而进行良好的截断。
图1是表示本发明的晶片加工用带的一例的剖面图。图2是表示本发明的粘合带的剖面图。图3是表示通过激光加工而在半导体晶片形成改性区域的情形的剖面图。图4(a)是表示晶片加工用带被搭载于伸展装置的状态的剖面图，(b)是表示伸展 后的晶片加工用带及半导体晶片的剖面图。图中11_基材片，12-粘合剂层，13-胶粘剂层，20-环形架，21-台架，22-顶起构件。
具体实施例方式以下详细说明本发明的实施方式。图1是表示本发明的一个实施方式的晶片加工用带的剖面图。晶片加工用带具 备具有基材片11与粘合剂层12的粘合带10、及被设置于粘合剂层12上的胶粘剂膜13。本发明的晶片加工用带，当在_15°C 5°C的低温下通过伸展粘合带10使胶粘剂 膜13对应各个芯片而被截断时使用，通过在0°C 士2°C下的剥离试验所得到的粘合带10相 对于胶粘剂膜13的剥离力(依据JIS Z 0237)为0. 2N/25mm以上。粘合带10相对于胶 粘剂膜13的剥离力小，则相对于胶粘剂膜13的粘合强度不足，在低温下伸展时胶粘剂膜 13与粘合带10之间发生剥离，无法截断胶粘剂膜13。若相对于胶粘剂膜13的剥离力为 0. 2N/25mm以上，即使在低温下也能充分确保相对于胶粘剂膜13的粘合强度，可以抑制胶 粘剂膜13与粘合带10之间的剥离，而提高胶粘剂膜13的截断性。在本发明中，关于粘合带10相对于胶粘剂膜13的剥离力，使用适于JIS B 7721 的拉伸试验装置，依据JIS Z 0237，通过如下所述的剥离试验而得到。剥离力(粘合强度)准备胶粘剂膜13与粘合带10经层叠而成的宽25mm、长约 IOOmm的试验片，使2kg的橡胶滚筒往返3次使其加热压接在硅晶片上，放置1小时后，使用 上述拉伸试验装置，在0°C 士2°C下，测量粘合带10相对于胶粘剂膜13的剥离力(粘合强 度)。测量是通过90°剥离法在拉伸速度50mm/min进行的。以下，分别详细地说明基材片、粘合剂层、及胶粘剂膜。<基材片>基材片11的伸长率为200%以上，在0°C 士2°C下的杨氏模量为200MPa以上。伸 长率小于200%时，伸展性差，晶片及胶粘剂膜的截断性变低。杨氏模量低时，基材片变得太 柔软，粘合带的伸展的均勻性劣化。在本发明中，关于基材片的伸长率，使用拉伸试验装置(JIS B 7721)，通过如下所述的拉伸试验而得到。伸长率将基材片冲压成1号哑铃形状(JIS K 6301)制作试验片，测定在标线间 距离40mm，拉伸速度300mm/min的条件下标线间断裂时的伸长率。此外，在本发明中，关于基材片的杨氏模量，是指通过上述拉伸试验所得到的应 力一伸长率曲线的直线部的斜率。作为构成基材片的材料，只要具有上述特性即可，并没有特别的限制，但优选从聚 烯烃及聚氯乙烯中选择。作为上述聚烯烃，可以举出聚乙烯、聚丙烯、乙烯_丙烯共聚物、聚丁烯-1、 聚-4-甲基戊烯-1、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸乙酯共聚物、乙烯-丙烯酸甲 酯共聚物、乙烯_丙烯酸共聚物、离聚物等α -烯烃的均聚物或共聚物或者它们的混合物寸。作为后述的粘合剂层，使用通过放射线照射而固化、粘合强度降低的类型时，基材 片优选具有上述特性，而且为放射线透过性，关于基材片的厚度，从强度及芯片的拾取性确 保的观点出发，优选50 300 μ m。此外，基材片可为单层，亦可为有多层构成。<粘合剂层>粘合剂层12可以在基材片11上涂布粘合剂而制造。作为粘合剂层12，并没有特 别限制，相对于在粘合剂层12上贴合的胶粘剂膜的剥离力(粘合强度)，满足上述的范围， 而且，具有拾取时与胶粘剂膜的剥离容易的特性者即可。为了提高拾取性，粘合剂层12优 选具有放射线固化性。例如，在本发明中，优选以相对于主链而言至少分别具有含有放射线固化性 碳-碳双键的基团、含有羟基及羧基的基团的丙烯酸系共聚物作为主成分，且凝胶分率为 60%以上。进一步优选使分子中具有碘值0. 5 20的放射线固化性碳_碳双键的化合物 (A)与选自聚异氰酸酯类、三聚氰胺·甲醛树脂及环氧树脂的至少一种的化合物(B)进行加 成反应而成的聚合物。对作为粘合剂层主成分之一的化合物(A)加以说明。化合物(A)的放射线固化性 碳-碳双键的优选导入量为以碘值计为0. 5 20，更优选为0. 8 10。若碘值为0. 5以上， 则可以获得放射线照射后的粘合强度降低的效果，碘值若为20以下，由于放射线照射后的 粘合剂流动性充分，可以充分获得延伸后的元件间隙，故可以抑制所谓在拾取时对各元件 的图像辨识变得困难的问题。进而，化合物(A)本身具有稳定性，制造变得容易。上述化合物(A)优选玻璃化转变温度为-70°C 0°C，更优选为-66°C _28°C。玻 璃化转变温度(以下称为Tg)若为-70°C以上，则对于放射线照射所伴随的热的耐热性充 分，若为0°C以下，可以充分获得表面状态粗糙的晶片中切割后的元件飞散的防止效果。上述化合物(A)可以以任何方式制造，例如使用使丙烯酸系共聚物或甲基丙烯酸 系共聚物等具有放射线固化性碳-碳双键且具有官能团的化合物((1))、与具有可与该官 能团反应的官能团的化合物((2))发生反应得到的化合物。其中，上述的具有放射线固化性碳_碳双键及官能团的化合物((1))，可以使丙烯 酸烷基酯或甲基丙烯酸烷基酯等具有放射线固化性碳-碳双键的单体((I)-I)与具有官能 团的单体((1)-2)共聚而获得。关于粘合剂双键量，是通过真空中在暗处进行溴加成反应 的重量增加法，对经加热干燥的粘合剂约10克中所含的碳_碳双键量加以定量测定。
作为单体((I)-I)，可以举例为碳数6 12的丙烯酸己酯、丙烯酸正辛酯、丙烯酸 异辛酯、丙烯酸2-乙基己酯、丙烯酸十二烷基酯、丙烯酸癸酯，或碳数5以下的单体的丙烯 酸戊酯、丙烯酸正丁酯、丙烯酸异丁酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸甲酯或与它们同样的甲基丙烯 酸酯等。作为单体((I)-I)，由于越使用碳数大的单体则玻璃化转变温度越降低，故可以制 作所需的玻璃化转变温度的化合物。另外，除了玻璃化转变温度以外，为了提高相溶性及各 种性能，配合乙酸乙烯酯、苯乙烯、丙烯腈等具有碳-碳双键的低分子化合物，可以在单体 ((I)-I)的总质量的5质量％以下的范围内。作为单体((1)_2)所具有的官能团，可以举例为羧基、羟基、氨基、环状酸酐基、环 氧基、异氰酸酯基等，作为单体((1)_2)的具体例，可以举例为丙烯酸、甲基丙烯酸、桂皮 酸、衣康酸、富马酸、苯二甲酸、丙烯酸2-羟基烷基酯类、甲基丙烯酸2-羟基烷基酯类、单丙 烯酸二醇酯类、单甲基丙烯酸二醇酯类、N-羟甲基丙烯酰胺、N-羟甲基甲基丙烯酰胺、烯丙 醇、丙烯酸N-烷基氨基乙酯类、甲基丙烯酸N-烷基氨基乙酯类、丙烯酰胺类、甲基丙烯酰胺 类、马来酸酐、衣康酸酐、富马酸酐、苯二甲酸酐、丙烯酸缩水甘油酯、甲基丙烯酸缩水甘油 酯、烯丙基缩水甘油醚、聚异氰酸酯化合物的异氰酸酯基的一部分被具有羟基或羧基以及 放射线固化性碳_碳双键的单体予以氨基甲酸酯化得到的化合物等。化合物⑵中，作为所用的官能团，在化合物(1)、即单体((1)_2)所具有的官能团 为羧基或环状酸酐基的情况下，可以举例为羟基、环氧基、异氰酸酯基等，在为羟基的情况 下，可以举例为环状酸酐基、异氰酸酯基等，在氨基的情况下，可以举例为环氧基、异氰酸酯 基等，在为环氧基的情况下，可以举例为羧基、环状酸酐基、氨基等，作为具体例，可以举出 与单体((1-2))具体列举的例子相同的官能团。在化合物⑴与化合物(2)的反应中，通过残留未反应官能团，可以制造关于酸值 或羟基值等特性符合本发明的规定的化合物。上述化合物(A)的合成中，作为以溶液聚合进行反应时的有机溶剂，可以使用酮 系、酯系、醇系、芳香族系的溶剂，其中，优选为甲苯、乙酸乙酯、异丙醇、苯甲基溶纤剂、乙基 溶纤剂、丙酮、甲基乙基酮等一般为丙烯酸系聚合物的良好溶剂、沸点60 120°C的溶剂， 作为聚合引发剂，通常使用α，α ’ _偶氮二异丁腈等偶氮双系、苯甲酰基过氧化物等有机 过氧化物是等自由基发生剂。此时，根据需要可以并用催化剂、聚合抑制剂，通过调节聚合 温度及聚合时间，可以获得所需分子量的化合物(A)。另外，关于分子量调节，优选使用硫 醇、四氯化碳系的溶剂。另外，此反应并不限于溶液聚合，以本体聚合、悬浮聚合等其它方法 亦无妨。如上所示，可以得到化合物(A)，但本发明中，化合物(A)的重均分子量优选为30 万 100万左右。在不到30万时，由放射线照射引起的凝集力变小，在晶片切割时，容易产 生元件的错位，会有图像辨识变困难的情况。为了极力防止此元件的错位，重均分子量优选 为40万以上。另外，重均分子量若超过100万，有合成时及涂布时凝胶化的可能性。另外，本发明中所谓的重均分子量，为聚苯乙烯换算的重均分子量。另外，化合物㈧若具有羟基值成为5 100的OH基，则可以通过减少放射线照 射后的粘合强度进一步降低拾取错误的危险性，故而优选。另外，化合物(A)优选具有成为 酸值0. 5 30的COOH基。
此处，化合物(A)的羟基值若过低，则放射线照射后粘合强度降低效果不足，若过 高，则有损及放射线照射后的粘合剂流动性的倾向。另外，如果酸值过低，则带复原性的改 善效果不足，如果过高，则有损及粘合剂的流动性的倾向。接着，对作为粘合剂的又一主成分的化合物⑶进行说明。化合物⑶为选自聚异 氰酸酯类、三聚氰胺·甲醛树脂以及环氧树脂的化合物，其可以单独或组合2种以上使用。 此化合物(B)是作为交联剂发挥作用，通过与化合物(A)或基材片反应结果的交联结构，使 以化合物(A)及化合物(B)作为主成分的粘合剂的凝集力在粘合剂涂布后可以提高。对聚异氰酸酯类并无特别限制，可以举例为例如4，4’ _ 二苯基甲烷二异氰酸酯、 甲苯二异氰酸酯、二甲苯二异氰酸酯、4，4’ - 二苯基醚二异氰酸酯、4，4’ -[2，2-双(4-苯氧 基苯基)丙烷]二异氰酸酯等芳香族异氰酸酯，六亚甲基二异氰酸酯、2，2，4_三甲基-六亚 甲基二异氰酸酯、异佛尔酮二异氰酸酯、4，4’ - 二环己基甲烷二异氰酸酯、2，4’ - 二环己基 甲烷二异氰酸酯、赖氨酸二异氰酸酯、赖氨酸三异氰酸酯等。具体可以使用CORONATE L(日 本聚氨酯股份有限公司制，商品名)等。另外，作为三聚氰胺 甲醛树脂，具体而言，可以使用二力7、y ” MX_45(三和化学 股份有限公司制，商品名)、J 7 > (日立化成工业股份有限公司制，商品名)等。进而，作为环氧树脂，可以使用TETRAD_X(三菱化学股份有限公司制，商品名)等。本发明中，尤其优选使用聚异氰酸酯类。作为(B)的添加量，有必要按照相对于化合物(A) 100质量份使得成为0. 1 10 质量份、优选成为0. 4 3质量份的比例进行选择。通过在此范围内选择，可以成为适当的 凝集力，不会进行激烈的交联反应，故粘合剂的配合、涂布等的作业性成为良好。另外，在本发明中，粘合剂层12中优选含有光聚合引发剂(C)。对粘合剂层12中 所含的光聚合引发剂(C)并无特别限制，可以使用以往已知的引发剂。可以举例为例如二 苯甲酮、4，4’_ 二甲基氨基二苯甲酮、4，4’_ 二乙基氨基二苯甲酮、4，4’_ 二氯二苯甲酮等二 苯甲酮类，苯乙酮、二乙氧基苯乙酮等苯乙酮类，2-乙基蒽醌、叔丁基蒽醌等蒽醌类，2-氯 噻吨酮、苯偶因乙醚、苯偶因异丙醚、苯偶酰、2，4，5-三芳基咪唑二聚物(洛粉碱(Iophine) 二聚物)，吖啶系化合物等，它们可以单独使用或组合两种以上使用。作为(C)的添加量，优选相对于化合物㈧100质量份为0. 1 10质量份，更优选 为0. 5 5质量份。进而，在本发明中所用的放射线固化性粘合剂中，根据需要可以配合增粘剂、粘合 调整剂、表面活性剂或其它改性剂等。另外，还可以适当添加无机化合物填料。粘合剂层的厚度优选至少为5 μ m，更优选为ΙΟμπι以上。粘合剂层可以为由多层 层叠而成的构成。〈胶粘剂层〉胶粘剂层13是在下述情况下作为粘结膜发挥功能的层，即在贴合半导体晶片并 切断后，在拾取芯片之际，将切断后的胶粘剂层13自粘合剂层12剥离而附着于芯片上，将 芯片固定于封装基板、引线框之时。作为胶粘剂层13，并无特别限制，但可以适当使用一般作为管芯键合膜所使用的 膜状胶粘剂，优选聚酰亚胺系胶粘剂、丙烯酸系粘胶粘剂、环氧树脂/酚醛树脂/丙烯酸树 脂/无机填料的混合物系粘胶粘剂等。其厚度适当设定即可，但优选为5 100 μ m左右。
〈用途〉作为本发明的晶片加工用带的使用用途，只要至少为胶粘剂膜截断用途即可，并 没有特别的限制。例如可以用于在通过全切削切割法而切割的晶片的背面贴附的胶粘剂膜 的截断用途、或在形成有成为通过半切削切割法及隐形切割法的截断的起点的部位的晶片 与其背面贴附的胶粘剂膜的截断用途。<使用方法>关于使用隐形切割法时的本发明的晶片加工用带的使用方法，边参考图2 图4 边说明。首先，如图2所示，对半导体晶片W的分割预定部分照射激光光，在晶片内部形成 基于多光子吸收的改性区域30。另外，在如图2所示的由基材片11及粘合剂层12所成的 粘合带10的粘合剂层12上，贴合胶粘剂膜13，准备如图1所示的晶片加工用带。接着，如图4(a)所示，将半导体晶片W的背面贴合于胶粘剂膜13，在粘合剂层12 的外周部贴合环形架20，将粘合带的基材片11的下面载置于伸展装置的台架21上。图中， 符号22为伸展装置的中空圆柱形状的顶起构件。需要说明的是，在对半导体晶片W照射激光光的工序之前，可以实施与胶粘剂膜 13的贴合工序。接着，在_15°C 5°C的低温下，如图4(b)所示，在固定环形架20的状态下，使伸 展装置的顶起构件22上升，伸展粘合带10。由此将粘合带10向圆周方向拉伸，半导体晶片 W以改性区域作为起点以芯片为单位加以截断，亦截断胶粘剂层13。随后，对粘合剂层12实施放射线固化处理或热固化处理等，拾取半导体芯片C，由 此可以获得带有胶粘剂层的半导体芯片。在如上所述的伸展工序中，胶粘剂膜13在胶粘于晶片W的背面的部分，因为伸展 所造成的伸长(变形)受到抑制，不会引起断裂，但另一方面，在芯片间的位置，则因为粘合 带10的伸展所产生的张力集中而断裂。依据本发明，通过使用相对于胶粘剂膜的剥离力 (粘合强度)优异的粘合带，即使在低温下的伸展工序中，亦可抑制、防止粘合剂带与胶粘 剂膜之间的剥离。因此，通过低温使胶粘剂膜的截断性维持在高的状态下，同时可以将伸展 时的张力传递至胶粘剂膜，可使胶粘剂膜对应各个芯片被良好地截断。此外，粘合带10因 为相对于伸展装置的环形架的粘合强度也优异，亦可以防止从环形架剥离。接着，对本发明的实施例加以说明，但本发明不限于这些实施例。将所使用的基材片、粘合剂层组合物以及胶粘剂层组合物显示如下。基材片A 离聚物树脂片(厚度150 μ m)基材片B 离聚物树脂片基材片C :乙烯-乙酸乙烯酯共聚物树脂片粘合剂层组合物a 丙烯酸系放射线固化性粘合剂组合物粘合剂层组合物b 丙烯酸系放射线固化性粘合剂组合物粘合剂层组合物c 丙烯酸系放射线固化性粘合剂组合物胶粘剂组合物(1)环氧_丙烯酸系胶粘剂胶粘剂组合物(2)环氧_丙烯酸系胶粘剂胶粘剂组合物(3)环氧_丙烯酸系胶粘剂
(实施例1)在基材片A上，涂布溶解在有机溶剂中的粘合剂层组合物a使干燥膜厚10 μ m，在 110°C下干燥3分钟，制作粘合带。另外，将溶解于有机溶剂中的胶粘剂层组合物(1)涂布 在经脱模处理的聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜上，在110°C下加热干燥1分钟，得到B阶 段状态的胶粘膜。将粘合带及带有PET膜的胶粘膜分别切成直径370mm、320mm的圆形，将 粘合带的粘合剂层与胶粘剂层贴合。最后，将PET膜自胶粘剂层剥离，获得实施例1的晶片 加工用带。(实施例2)除了使用胶粘剂组合物(2)作为胶粘剂组合物以外，与实施例1 一样，制作实施例 2的晶片加工用带。(实施例3)除了使用胶粘剂组合物(3)作为胶粘剂组合物以外，与实施例1 一样，制作实施例 3的晶片加工用带。(实施例4)除了使用基材片C作为基材片，使用粘合剂组合物c作为粘合剂组合物，使用胶粘 剂组合物(2)作为胶粘剂组合物以外，与实施例1 一样，制作实施例4的晶片加工用带。(比较例1)除了使用粘合剂组合物b作为粘合剂，使用基材片B作为基材片以外，与实施例1 一样，制作比较例1的晶片加工用带。〈剥离力试验〉使用适合JIS B 7721的拉伸试验装置，依据JIS Z 0237，实施如下所述的剥离试验。剥离力(粘合强度)准备胶粘剂膜与粘合带经层叠而成的宽25mm、长约IOOmm的 试验片，使2kg的橡胶滚筒往返3次而加热压接于硅晶片上。放置1小时后，使用上述拉伸 试验装置，以0°C 士 2°C，测量粘合带相对于胶粘剂膜的剥离力(粘合强度)。测量通过90° 剥离法以拉伸速度50mm/min进行的。<基材片的伸长率及杨氏模量>使用拉伸试验装置(JIS B 7721)，在0°C 士2°C的环境下，通过如下所述的拉伸试 验测量基材片的伸长率。伸长率将基材片冲压成1号哑铃形状(JIS K 6301)制作试验片，测定在标线间 距离40mm，拉伸速度300mm/min的条件下标线间断裂时的伸长率。此外，由通过该拉伸试验所得到的应力一伸长率曲线的直线部的斜率，算出杨氏模量。<胶粘剂层的截断性试验>对半导体晶片(厚度50 μ m，直径300mm)照射激光光，在晶片内部形成改性区域。 在激光照射后的半导体晶片及不锈钢制的环形架上，层叠实施例1、2、3及比较例1的晶片 加工用带。接着，在粘合带的外周部贴附内径330mm的树脂制伸展环，通过伸展装置对环进 行固定，粘合带在下列伸展条件下进行伸展。伸展速度100mm/秒
伸展量15mm随后，对粘合带照射紫外线，使粘合带的粘合剂层固化，使粘合力降低。<胶粘剂层的截断性评价方法>伸展后，用光学显微镜观察胶粘剂层是否与半导体晶片一起被截断。结果示于表 1。表1所示的截断性是以百分比表示良好截断的胶粘剂层相对于芯片总数的数。需要说 明的是，激光加工后的芯片总数约为400个，芯片尺寸为IOmmX 10mm。[表1] 由表1的结果，得知粘合带相对于胶粘剂膜的剥离力为0. 2N/25mm以上的实施例 1 4的晶片加工用带，显示出优异的截断性，可以确认本发明的效果。
权利要求
一种晶片加工用带，具备具有基材片与粘合剂层的粘合带、及在所述粘合带的所述粘合剂层上设置的胶粘剂膜，其特征在于，当在-15℃～5℃的低温下通过伸展所述粘合带使所述胶粘剂膜对应各个芯片而被截断时使用，通过0℃±2℃下的剥离试验所得到的所述粘合带相对于胶粘剂膜的剥离力，为0.2N/25mm以上。
2.如权利要求1所述的晶片加工用带，其特征在于，所述粘合带的所述基材片，伸长率为200%以上，0°C 士2°C下的杨氏模量为200MPa以上。
3.一种粘合带，具有基材片、和在该基材片的单面设置的粘合剂层，是在-15°C 5°C的低温下通过伸展使胶粘剂膜对应各个芯片而被截断时使用的可伸 展的粘合带，其特征在于，通过0°C 士2°C下的剥离试验所得到的相对于胶粘剂膜的剥离力为0. 2N/25mm以上。
全文摘要
本发明提供一种本发明的晶片加工用带，具备具有基材片(11)与粘合剂层(12)的粘合带(10)、及被设置于粘合剂层(12)上的胶粘剂膜(13)，当在-15℃～5℃的低温下通过伸展粘合带(10)使胶粘剂膜(13)对应各个芯片而被截断时使用，通过在0℃±2℃下的剥离试验所得到的粘合带(10)相对于胶粘剂膜(13)的剥离力为0.2N/25mm以上。
文档编号C09J7/02GK101883830SQ20088011883
公开日2010年11月10日 申请日期2008年11月7日 优先权日2007年12月11日
发明者丸山弘光, 大河原洋介, 杉山二朗, 盛岛泰正 申请人:古河电气工业株式会社