专利名称：联二吡啶衍生物及含有该衍生物的有机电致发光元件的制作方法
技术领域：
本发明涉及适合于有机太阳能电池、有机存储器、有机电致发光元件(以下简称 为有机EL元件)及其它装置等的有机电学领域的材料，特别涉及可用作电子传输性材料的 新型联二吡啶衍生物及含有该衍生物的有机EL元件。
背景技术：
有机EL元件是以有机化合物为发光材料的自发光型元件，由于能够以高速度发 光，因而适于动画的显示，另外元件结构简单，具有可以使显示面板纤薄化等的特性。由于 具有这种优异的特性，所以有机EL元件作为移动电话和车载用显示器在日常生活中日益普及。此外，近年来应用上述纤薄面发光的特点作为下一代的照明也备受关注。这种有机EL元件包含具有阳极/发光层/阴极的基本结构，为实现高效化、长寿 命化，通常插入含有具有输送空穴或电子功能的空穴传输性材料或电子传输性材料的层。目前，作为电子传输性材料使用三(8-羟基喹啉合铝)(Alq3)。但是，Alq3原本为绿色发光材料，可得到绿色发光，但为得到比绿色波长更短的蓝 色发光时无法使用。另外，Alq3的电离电势低，空穴穿透所造成的效率降低也令人忧虑。因此，作为具有宽带隙、空穴阻碍性能的其它材料，例如日本特开第2008-120696 号公报中公开了如下所示(化1)的三吡啶基苯基衍生物，日本特开第2007-15993号公报 中公开了如下所示(化2)的三苯基苯衍生物。另外，日本特开第2008-63232号公报中公 开了如下所示(化3)的具有联苯中心骨架的杂芳基化合物，国际公开第W02007/026847号 中公开了如下所示(化4)的三唑衍生物。[化1]
权利要求
由下列通式(1)所表示的联二吡啶衍生物A1、A2分别独立表示取代或未取代的芳族杂环基(咔唑基除外)，也可为芳族烃基和芳族杂环基组合而成的取代基；a、b分别独立表示1或2；Ar1、Ar2分别独立表示2或3价的芳族烃基，所述烃基也可分别独立地被氢原子、烷基、环烷基或烷氧基所取代；B1、B2分别独立表示氢原子、烷基、环烷基、烷氧基、取代或未取代的芳族烃基或取代或未取代的芳族杂环基；环E1、环E2表示吡啶环，可具有从氢原子、烷基、环烷基和烷氧基中分别独立选择的取代基。FSA00000179672700011.tif
2.由下列通式(2)所表示的权利要求1的联二吡啶衍生物
3.由下列通式(3)所表示的权利要求1的联二吡啶衍生物
4.由下列通式(4)所表示的联二吡啶衍生物
5.由下列通式(5)所表示的权利要求4的联二吡啶衍生物
6.由下列通式(6)所表示的联二吡啶衍生物
7.由下列通式(7)所表示的权利要求6的联二吡啶衍生物Hp H2分别独立表示取代或未取代的芳族杂环基(咔唑基除外)，也可为芳族烃基和芳 族杂环基组合而成的取代基；苯环上的任意氢原子可被烷基、环烷基或烷氧基所取代；t、u 分别独立表示1或2 ；环E3、环E4表示吡啶环，可具有从氢原子、烷基、环烷基和烷氧基中分 别独立选择的取代基。
8.由下列通式(8)所表示的联二吡啶衍生物
9.权利要求1 8中任1项的联二吡啶衍生物，其特征在于，可作为有机电子元件材料 使用。
10.权利要求1 8中任1项的联二吡啶衍生物，其特征在于，可作为电子传输性材料使用。
11.有机电致发光元件，所述元件是一对电极之间至少具有1层有机层的有机电致发 光元件，其特征在于，上述有机层中的至少ι层含有权利要求1 8中任1项的联二吡啶衍 生物。
12.有机电致发光元件，其特征在于，电子传输层、电子注入层、空穴阻碍层及发光层中 的至少1层含有权利要求1 8中任1项的联二吡啶衍生物。族杂环基组合而成的取代基·Μ 、Ar8分别独立表示2或3价的芳族烃基，所述烃基也可分 别独立地被氢原子、烷基、环烷基或烷氧基所取代；t、u分别独立表示1或2 ；环E3、环E4表 示吡啶环，可具有从氢原子、烷基、环烷基和烷氧基中分别独立选择的取代基。
全文摘要
本发明提供适合作为有机电子元件的电子传输性材料的具有联二吡啶中心骨架作为母核的新型联二吡啶衍生物，本发明进一步提供含有所述联二吡啶衍生物的有机电致发光元件。使用由下列通式所表示的联二吡啶衍生物作为电子传输性材料(A1、A2表示芳族杂环基(咔唑基除外)，也可为芳族烃基和芳族杂环基组合而成的取代基。a、b＝1或2。Ar1、Ar2表示2或3价的芳族烃基，也可被氢原子、烷基、环烷基或烷氧基所取代。B1、B2表示氢原子、烷基、环烷基、烷氧基、芳族烃基或芳族杂环基。环E1、环E2表示吡啶环，可具有氢原子、烷基、环烷基或烷氧基)。
文档编号C09K11/06GK101935298SQ20101022138
公开日2011年1月5日 申请日期2010年6月25日 优先权日2009年6月25日
发明者小田敦, 木村昌人 申请人:财团法人山形县产业技术振兴机构