专利名称：Ulsi多层铜布线铜的低下压力化学机械抛光的组合物的制作方法
技术领域：
本发明涉及化学机械抛光水性组合物领域，特别是一种ULSI多层铜布线铜的低下压力化学机械抛光的组合物。
背景技术：
集成电路由在硅基材上或硅基材内形成的数百万个活化元件构成，这些互相分离的活化元件通过互连形成功能电路和部件。一般采用金属布线的方法进行互连，即在蚀刻出的通路和触点内填充各种金属和合金，包括钛(Ti)、氮化钛(TiN)、钽(Ta)、铝(Al)、铜 (Cu)、硅铝(Si-Al)、钨(W)或其组合。随着半导体工业超大规模集成电路特征尺寸的进一步缩小，互连线的RC延迟和电迁移性引起的可靠性问题逐渐成为影响电路速度的关键所在。由于Cu具有低的电阻率和高的抗电迁移性，使其成为一种理想的内连线材料而取代传统常用的铝布线。Cu是氢后金属，不易被刻蚀，因此目前国际上一般采用镶嵌工艺进行布线，通过化学机械抛光技术去除上层多余的铜和扩散阻挡层。随着微电子技术的发展，特征尺寸已进入纳米级，这要求微电子工艺中的近百道工序，尤其是多层布线、衬底、介质必须进行全局平面化。而且曝光的浅焦深对超大规模集成电路的精细化和平坦化的要求增加，传统的平面化技术如选择淀积、旋涂玻璃、低压CVD、保护膜背腐蚀、淀积-腐蚀-淀积等技术只能提供局部平面化，平坦效果极其有限。化学机械抛光(CMP)技术对于平坦化而言，带来了集成电路制造技术极大的变革。CMP在二十世纪八十年代由IBM公司开发，目前业已成为微电子制造业中几乎所有步骤的核心微处理技术。CMP是颗粒的机械作用与腐蚀剂的化学作用相结合的抛光技术，其原理是工件在压力及抛光组合物(含有磨粒、腐蚀剂等)的存在下相对于抛光垫作旋转运动，利用磨粒磨削及化学组分腐蚀作用实现对工件表面材料的去除从而达到平坦化的效果。CMP 的性能由CMP装置的操作条件、抛光组合物的类型和抛光垫的类型等因素决定。抛光组合物在CMP步骤中是一种重要的影响因素。可根据选取的氧化剂、磨料和其它适合的添加剂来调节抛光组合物，以按所需的抛光速率来提供有效的抛光，同时将表面缺陷、腐蚀降至最低，并得到最佳的平面化效果。近几年来，已有一些专利报道了集成电路多层铜布线CMP过程中所使用的抛光组合物。CN101240147A描述了以高速离心过滤去除可溶性聚合硅酸盐后的胶体二氧化硅为抛光磨粒的用于含铜基底化学机械平坦化的组合物及相关方法，能大幅度降低铜表面的缺陷水平；英特尔(CN1256765C)采用有机缓冲体系维持局部PH值的稳定性，显著减少整体和局部腐蚀，减少被抛光表面的不均一性和腐蚀缺陷；CN1397994A在抛光液中引入氧化性金属化合物，籍以在导体结构上形成一金属化合物，此金属化合物用以保护导体结构以避免碟陷与侵蚀；CN100491072C采用金属离子螯合剂调节组合物PH值至碱性(9. 5 11. 5)，加入非离子表面活性剂，在抛光进行前加入氧化剂进行铜及异质表面的抛光；CN101333419A采用不含抛光磨粒的碱性抛光组合物进行铜抛光，以避免磨粒对抛光表面造成的损伤；CN101368068A将气相二氧化硅粉末均勻溶解于去离子水中作为抛光磨粒，以无机碱或有机胺调节PH值至10 12，抛光铜后能得到最低 0. 4nm的表面平坦度。随着集成电路技术进入到深亚微米级，由不断缩小特征尺寸所带来的互连性能降低已经越来越明显。这是因为特征尺寸的缩小将导致互连引线横截面和线间距的减小，电阻、电容、电感引起的寄生效应将会严重影响电路的性能。而采用低介电常数介质材料(即低k介质材料)则是提高互连性能的有效途径之一。但是当k< 2. 2时，低k介质层的机械强度下降，易出现低k薄膜脱层，所以必须开发低压力抛光设备及抛光组合物。一般，减小下压力会对包括抛光速率在内的CMP总体性能产生不利影响。例如，采用成熟的商用铜抛光组合物进行铜抛光，压力为5. OPsi时抛光速率为333. 3nm/min，而当压力减小到约 0. 5Psi时，抛光速率减小至101. 9nm/min，相差3倍左右。因此，减小压力抛光会严重的影响生产能力。US6, 620，037采用不添加缓蚀剂(如BTA)的抛光组合物进行铜抛光以期提升抛光速率，然而该组合物仍需要3. OPsi或更大的下压力以便有效的去除铜(3. OPsi时抛光速率为234.6nm/min)；美国罗门哈斯公司提出了一种用于铜的低下压力抛光组合物和方法 (CN1644644A)，适用于在至少小于3. OPsi的下压力下抛光半导体晶片上的铜，其中添加的含磷化合物可增加铜的去除，实施例中1. OPsi压力下，添加磷酸铵前后抛光去除速率分别为 150. Onm/min 禾口 266· 3nm/min。因此，行业的发展对能够以减小的下压力进行有效的铜抛光的改良抛光组合物存在需求，特别是1. OPsi以下，如0. 5Psi压力下有效的抛光铜互连层，从而适应low-k电介质的引入与发展。
发明内容
本发明的目的是提供一种化学机械抛光水性组合物，适用于在至少小于 l.OPsi (6. 89kPa)的下压力下抛光半导体晶片上铜互连层，抛光去除速率高，表面平整度好，能满足低下压力抛光环境中铜抛光的指标要求。为实现上述目的，本发明提出的一种ULSI多层铜布线铜的低下压力化学机械抛光的水性组合物，含有磨料、氧化剂、PH调节剂、缓蚀剂和水，其特征在于该组合物还含有适用于低下压力弱机械作用情况下的含硫腐蚀平衡剂。在上述抛光浆料中，所述磨料选自二氧化硅、二氧化铈、氧化铝、氧化锆、氧化钛、 氧化锗中的任何一种或一种以上的混合物，其磨料的含量为l-20wt%，优选为3-5wt% ；所述磨料优选为胶体二氧化硅，其平均粒度为10-200纳米，优选为50-80纳米。在上述抛光浆料中，所述氧化剂为无机/有机过氧化合物，即分子中含至少一个过氧基团(-0-0-)的化合物和含有处于高氧化态的元素的化合物中的任何一种或一种以上的混合物，包括过氧化氢、过氧化氢脲、二过硫酸盐、过氧乙酸、过氧化苯甲酰、过氧化二叔丁基、过氧化钠等；高氧化态化合物包括高碘酸、高碘酸盐、高溴酸、高溴酸盐、高氯酸、 高氯酸盐、过碘酸、过碘酸盐、过硼酸、过硼酸盐、碘酸盐、溴酸盐、氯酸盐、次氯酸盐、亚硝酸盐、铬酸盐、铁盐和高锰酸盐等。所述氧化剂优选为过氧化氢，含量为0. 5-10wt%，优选 0. 9-3wt%o所述pH调节剂为任何已知的酸、碱或胺及其盐的一种或一种以上的混合物，包括硫酸、盐酸、硝酸、磷酸、氯乙酸、酒石酸、琥珀酸、柠檬酸、甘氨酸、谷氨酸、苹果酸、丙二酸、 氢氧化钠、氢氧化钾、氨水、乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、异丙醇胺、氨基丙醇、二异丙醇胺、 乙二胺、氢氧化四甲基胺、氢氧化四乙基胺、氢氧化四丙基胺、胆碱、哌啶、哌嗪、多亚乙基亚胺、碳酸钠、碳酸钾、磷酸钠、磷酸钾、磷酸氢二钠、磷酸氢铵、柠檬酸铵等中的一种或其混合物。优选为氢氧化钾、氨水、甘氨酸、柠檬酸、柠檬酸铵等。所述抛光浆料的PH值为7-12的范围内，优选在9. 5-10的范围内。所述缓蚀剂指的是有助于在特定金属层如Cu的表面形成致密氧化物钝化层和溶解抑制层的任何化合物或其混合物，如苯并三氮唑、苯并咪唑、咪唑、苯并噻唑、脲、硫脲、亚乙基硫脲等。所述缓蚀剂优选含有一个或一个以上5或6元杂环作为活性官能团的杂环有机化合物，如苯并三氮唑、苯并咪唑或其混合物。所述缓蚀剂优选为苯并三氮唑(BTA)，含量为 0. Ol-Iwt%，优选 0. 01-0. 05wt%。所述腐蚀平衡剂为含硫化合物，包括含硫无机盐、含硫有机化合物中的一种或一种以上混合物，包括硫酸钠、硫酸钾、硫酸铵、过硫酸钠、过硫酸钾、过硫酸铵、亚硫酸钠、亚硫酸钾、亚硫酸铵、硫代硫酸钠、硫代硫酸钾、硫代硫酸铵、二甲苯磺酸钠、二甲苯磺酸铵、巯基乙酸钠、巯基丁二酸钠、烷基硫酸盐、烷基磺酸盐、烷基醚硫酸盐、烷基醚磺酸盐、木质素硫酸盐、木质素磺酸盐、氨基磺酸盐、羧乙基硫代琥珀酸等中的一种或一种以上的混合物。 所述腐蚀平衡剂优选为过硫酸铵和木质素磺酸钠的混合物，含量为0. 05-5wt%，优选含量为 0. 5-2wt%。所述水为去离子水或蒸馏水。本发明所述用于铜的低下压力化学机械抛光水性组合物的配制及使用方法如下 将各成分(纳米二氧化硅、过氧化氢除外)按配比加入去离子水中，搅拌均勻后，缓慢搅拌加入合适配比的纳米二氧化硅水溶胶，在抛光进行前加入氧化剂过氧化氢，校准PH值并补足水后进行低下压力的铜抛光。本发明方法的抛光机理及优点如下1.本抛光组合物呈碱性，pH值在9 10之间，能很好的保持纳米二氧化硅颗粒的稳定性和分散性，且对设备的腐蚀性小。2.碱性的抛光条件存在Cu(OH)2W生成问题，会导致抛光表面的沉积和划伤。本发明很好的解决了这个问题，通过合适PH调节剂的选择，如氢氧化钾、氨水、甘氨酸、柠檬酸、 柠檬酸铵等，不仅调节了体系PH值，也通过试剂对金属离子的配位、络合或螯合作用，有机试剂对的优良缓冲作用，消除了 Cu(OH)2的消极影响，并提升了抛光去除速率，减少了局部腐蚀缺陷和划痕等表面缺陷。3.本发明所使用的腐蚀平衡剂由两种含硫化合物协作构成，过硫酸铵提供一定的氧化整平性能，平衡过氧化氢的强氧化腐蚀作用，形成相对平滑紧致的金属氧化物层；木质素磺酸钠在碱性情况下电离完全，聚合物分子链上电荷密度大，能在形成的金属氧化物表面形成稳固的自组装分子膜层。在低下压力抛光的情况下，所处的抛光环境一般机械作用强度远弱于化学作用强度，此金属氧化物表层的分子膜层能有效的保护被抛光表面的凹陷区域，提供了形貌的高选择性。两种含硫化合物的协同作用很好的平衡了化学腐蚀作用和机械磨削作用强度，从而达到提高抛光去除效率和全局平坦化的效果。4.在低至0. 5 2. OPsi的下压力情况下，实验条件下优化组合物配方的抛光去除速率最高可达1711. 4nm/min，表面粗糙度可至0. 30 0. 95nm的范围。
图1是本发明对比例1、2和实施例1 3的抛光去除率变化规律示意图；图2是本发明实施例6 9的抛光去除率与压力关系的规律示意图；图3是本发明实施例7的抛光后表面形貌观测示意图；图4是本发明实施例7的抛光后表面形貌参数图。
具体实施例方式下面结合附图对本发明的具体实施方式
进行说明。以下实施例用于说明本发明，但不限制本发明的范围。实验使用CETR CP4为抛光实验机，使用Rodel公司IC1000/SUBA IV微孔聚氨酯抛光垫，抛光相对运动速度固定为lm/s、抛光液流量为lOOmL/min，被抛光片为2寸表面电镀铜片。抛光去除速率(MRR)采用精度为0. Olmg的精密电子天平测重计算，使用Veeco公司microXAM三维白光干涉表面形貌仪观察表面形貌并计算表面粗糙度(Sa)。实施例中使用的抛光组合物均含有优化含量的纳米二氧化硅研磨剂、pH调节剂、 缓蚀剂、去离子水等基础组分，碱性易分解的氧化剂过氧化氢于抛光实验前加入。对比例1配制1000克铜抛光液将10克甘氨酸和0. 1克苯并三氮唑依次加入800克去离子水中，搅拌溶解、均勻后，缓慢搅拌加入100克30%的50纳米二氧化硅水溶胶，在抛光进行前加入30克30%的氧化剂过氧化氢溶液，用KOH校准pH值至10. 0，最后加水补足1000 克并搅拌均勻后进行0. 5Psi下压力的铜抛光，抛光去除速率MRR为119. Snm/min，表面粗糙度 Sa 为 2. 83nm。对比例2配制1000克铜抛光液将10克甘氨酸、15克过硫酸铵和0. 1克苯并三氮唑依次加入800克去离子水中，搅拌溶解、均勻后，缓慢搅拌加入100克30%的50纳米二氧化硅水溶胶，在抛光进行前加入30克30 %的氧化剂过氧化氢溶液，用KOH校准pH值至10. 0，最后加水补足1000克并搅拌均勻后进行0. 5Psi下压力的铜抛光，抛光去除速率MRR为487. 6nm/ min，表面粗糙度Sa为1. IOnm0实施例1配制1000克铜抛光液将10克甘氨酸、5克过硫酸铵和0. 1克苯并三氮唑依次加入800克去离子水中，搅拌溶解、均勻后，缓慢搅拌加入100克30%的50纳米二氧化硅水溶胶，在抛光进行前加入30克30 %的氧化剂过氧化氢溶液，用KOH校准pH值至10. 0，最后加水补足1000克并搅拌均勻后进行0. 5Psi下压力的铜抛光，抛光去除速率MRR为358. Inm/ min，表面粗糙度为5. 73nm。实施例2配制1000克铜抛光液将10克甘氨酸、10克过硫酸铵和0. 1克苯并三氮唑依次加入800克去离子水中，搅拌溶解、均勻后，缓慢搅拌加入100克30%的50纳米二氧化硅水溶胶，在抛光进行前加入30克30%的氧化剂过氧化氢溶液，用KOH校准pH值至10. 0，最后加水补足1000克并搅拌均勻后进行0. 5Psi下压力的铜抛光，抛光去除速率MRR为376. Onm/ min，表面粗糙度为5. 80nm。实施例3配制1000克铜抛光液将10克甘氨酸、20克过硫酸铵和0. 1克苯并三氮唑依次加入800克去离子水中，搅拌溶解、均勻后，缓慢搅拌加入100克30%的50纳米二氧化硅水溶胶，在抛光进行前加入30克30 %的氧化剂过氧化氢溶液，用KOH校准pH值至10. 0，最后加水补足1000克并搅拌均勻后进行0. 5Psi下压力的铜抛光，抛光去除速率MRR为487. 6nm/ min，表面粗糙度为4. 07nm。实施例4配制1000克铜抛光液将10克甘氨酸、15克过硫酸铵、0. 1克苯并三氮唑和0. 5 克木质素磺酸钠依次加入800克去离子水中，搅拌溶解、均勻后，缓慢搅拌加入100克30% 的50纳米二氧化硅水溶胶，在抛光进行前加入30克30 %的氧化剂过氧化氢溶液，用KOH校准PH值至10. 0，最后加水补足1000克并搅拌均勻后进行0. 5Psi下压力的铜抛光，抛光去除速率MRR为563. 8nm/min,表面粗糙度Sa为0. 95nm。实施例5配制1000克铜抛光液将10克甘氨酸、15克过硫酸铵、0. 1克苯并三氮唑和0. 5 克木质素磺酸钠依次加入800克去离子水中，搅拌溶解、均勻后，缓慢搅拌加入100克30% 的50纳米二氧化硅水溶胶，在抛光进行前加入30克30%的氧化剂过氧化氢溶液，用KOH校准PH值至10. 0，最后加水补足1000克并搅拌均勻后进行2. OPsi下压力的铜抛光，抛光去除速率MRR为1051. 8nm/min,表面粗糙度Sa为0. 60nm。实施例6配制1000克铜抛光液将10克甘氨酸、15克过硫酸铵、0. 5克苯并三氮唑和0. 5克木质素磺酸钠依次加入700克去离子水中，搅拌溶解、均勻后，缓慢搅拌加入166. 7克30% 的80纳米二氧化硅水溶胶，在抛光进行前加入100克30%的氧化剂过氧化氢溶液，用氨水校准PH值至9. 5，最后加水补足1000克并搅拌均勻后进行0. 5Psi下压力的铜抛光，抛光去除速率 MRR 为 1328. 9nm/min。实施例7配制1000克铜抛光液将10克甘氨酸、15克过硫酸铵、0. 5克苯并三氮唑和0. 5克木质素磺酸钠依次加入700克去离子水中，搅拌溶解、均勻后，缓慢搅拌加入166. 7克30% 的80纳米二氧化硅水溶胶，在抛光进行前加入100克30%的氧化剂过氧化氢溶液，用氨水校准PH值至9. 5，最后加水补足1000克并搅拌均勻后进行1. OPsi下压力的铜抛光，抛光去除速率 MRR 为 1457. 7nm/min。实施例8配制1000克铜抛光液将10克甘氨酸、15克过硫酸铵、0. 5克苯并三氮唑和0. 5克木质素磺酸钠依次加入700克去离子水中，搅拌溶解、均勻后，缓慢搅拌加入166. 7克30% 的80纳米二氧化硅水溶胶，在抛光进行前加入100克30%的氧化剂过氧化氢溶液，用氨水校准pH值至9. 5，最后加水补足1000克并搅拌均勻后进行2. OPsi下压力的铜抛光，抛光去除速率 MRR 为 1711. 4nm/min。实施例9
配制1000克铜抛光液将10克甘氨酸、15克过硫酸铵、0. 5克苯并三氮唑和0. 5克木质素磺酸钠依次加入700克去离子水中，搅拌溶解、均勻后，缓慢搅拌加入166. 7克30% 的80纳米二氧化硅水溶胶，在抛光进行前加入100克30%的氧化剂过氧化氢溶液，用氨水校准PH值至9. 5，最后加水补足1000克并搅拌均勻后进行3. OPsi下压力的铜抛光，抛光去除速率 MRR 为 1969. lnm/min。表1过硫酸铵(APQ和木质素磺酸钠(木钠)对抛光效果的影响
权利要求
1.一种ULSI多层铜布线铜的低下压力化学机械抛光组合物，含有磨料、氧化剂、pH 调节剂、缓蚀剂和水，其特征在于，该组合物还含有适用于低下压力弱机械作用情况下的含硫腐蚀平衡剂；磨料优选为胶体二氧化硅；氧化剂优选为过氧化氢；PH调节剂优选为无机或有机酸碱，如氢氧化钾、氨水、甘氨酸、柠檬酸、柠檬酸铵等；缓蚀剂优选为苯并三氮唑 (BTA)；腐蚀平衡剂优选为过硫酸铵和木质素磺酸钠的混合物；水为去离子水或蒸馏水。
2.按照权利要求1所述的ULSI多层铜布线铜的低下压力化学机械抛光组合物，其特征在于，所述磨料优选为胶体二氧化硅，其含量为l_20wt%，优选含量为3-5wt% ；其平均粒度为10-200纳米，优选平均粒度为50-80纳米。
3.按照权利要求1所述的ULSI多层铜布线铜的低下压力化学机械抛光组合物，其特征在于，所述氧化剂为无机/有机过氧化合物，即分子中含至少一个过氧基团(-0-0-)的化合物和含有处于高氧化态的元素的化合物中的任何一种或一种以上的混合物；氧化剂优选为过氧化氢，其含量为0. 5-10wt%，优选含量为0. 9-3wt%。
4.按照权利要求1所述的ULSI多层铜布线铜的低下压力化学机械抛光组合物，其特征在于，所述PH调节剂优选为无机或有机酸碱，如氢氧化钾、氨水、甘氨酸、柠檬酸、柠檬酸铵等；抛光浆料的PH值为7-12 ；优选抛光浆料的pH值为9. 5-10。
5.按照权利要求1所述的ULSI多层铜布线铜的低下压力化学机械抛光组合物，其特征在于，缓蚀剂优选为苯并三氮唑(BTA)，其含量为0. Ol-Iwt%，优选含量为0. 01-0. 05wt%。
6.按照权利要求1所述的ULSI多层铜布线铜的低下压力化学机械抛光组合物，其特征在于，所述腐蚀平衡剂优选为过硫酸铵和木质素磺酸钠的混合物，其含量为0. 05-5wt%，优选含量为0. 5-2wt%。
全文摘要
一种ULSI多层铜布线铜的低下压力化学机械抛光的组合物，属于化学机械抛光水性组合物领域。本发明提供了适用于在至少小于1.0Psi(6.89kPa)的下压力下抛光半导体晶片上铜的水性组合物，该组合物含有磨料、氧化剂、pH调节剂、缓蚀剂和水，主要还含有适用于低下压力弱机械作用情况下的含硫腐蚀平衡剂。采用本发明提供的抛光组合物对超大规模集成电路多层铜布线中的铜进行低下压力抛光，具有高平滑化效率和高抛光速率，能最大限度的避免抛光缺陷的产生。
文档编号C09G1/02GK102181232SQ201110065350
公开日2011年9月14日 申请日期2011年3月17日 优先权日2011年3月17日
发明者刘宇宏, 戴媛静, 潘国顺, 路新春, 雒建斌 申请人:清华大学