1.一种研磨组合物，其包含金属氧化物颗粒作为磨粒，所述研磨组合物的特征在于，
作为所述金属氧化物颗粒，包含：在粉末X射线衍射图案中的衍射强度达到最大的峰部分的半值宽度不足1°的金属氧化物颗粒；
进一步地，作为选择比调节剂，包含：2种以上的具有不同重均分子量的水溶性聚合物，该水溶性聚合物的不同重均分子量的比值为10以上。
2.如权利要求1所述的研磨组合物，其中，作为所述金属氧化物颗粒，包含：氧化钛、氧化锆、氧化铈、氧化铝、氧化锰中的任一种；或这些金属氧化物中的至少2种以上的混合物；或者含有这些金属氧化物中的1种以上的复合氧化物。
3.如权利要求1或2所述的研磨组合物，其中，作为所述水溶性聚合物，包含选自由聚羧酸或其盐、聚苯乙烯磺酸或其盐、聚丙烯酸或其盐、聚乙烯吡咯烷酮、阴离子改性聚乙烯醇、聚丙烯酰胺、聚醚所组成的群组中的至少1种以上。
4.如权利要求1至3中任一项所述的研磨组合物，其中，进一步包含氧化剂。
5.如权利要求4所述的研磨组合物，其中，作为所述氧化剂，包含过氧化物与铁(III)盐中的至少1种以上。
6.如权利要求5所述的研磨组合物，其中，作为所述过氧化物，包含选自由过硫酸、高碘酸、高氯酸、这些酸的盐以及过氧化氢所组成的群组中的至少1种以上。
7.如权利要求5或6所述的研磨组合物，其中，作为所述铁(III)盐，包含选自由硫酸铁(III)、硝酸铁(III)、氯化铁(III)、草酸铁(III)、三(草酸)铁(III)钾、六氰合铁(III)酸铵、六氰合铁(III)酸钾、柠檬酸铁(III)、柠檬酸铁(III)铵所组成的群组中的至少1种以上。
8.一种研磨方法，其特征在于，使用权利要求1至7中任一项所述的研磨组合物，来研磨半导体基板。
9.如权利要求8所述的研磨方法，其中，所述半导体基板包含金属层。
10.如权利要求9所述的研磨方法，其中，所述金属层是钨或钨合金。